光掩模制造方法、检查方法及装置，描绘装置、显示装置制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供光掩模制造方法、检查方法及装置，描绘装置、显示装置制造方法，能够提高在被转印体上形成的图案的坐标精度。本发明专利技术的光掩模的制造方法具有：准备图案设计数据A的工序；准备表示基板的厚度分布的厚度分布数据T的工序；准备表示在曝光装置上保持光掩模时的主表面的形状的转印面形状数据C的工序；采用厚度分布数据T和转印面形状数据C来获得描绘差值数据F的工序；估算与描绘差值数据F对应的主表面上的多个点处的坐标偏差量来求出描绘用坐标偏差量数据G的工序；采用描绘用坐标偏差量数据G和图案设计数据A在光掩模坯体上进行描绘的描绘工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有利于应用在半导体装置或显示装置(LCD、有机EL等)的制造中的光掩模，涉及其制造方法或装置、检查方法或装置。
技术介绍
目前，期望提高在光掩模中形成的转印用图案的精度，进而提高已形成的转印用图案的检查精度。在专利文献1(日本特开2010-134433号公报)中记载有当光掩模图案被转印在被转印体上时能够提高其坐标精度的描绘方法、描绘装置。尤其是，在专利文献1中记载了如下方法：在光掩模制造工序中，为了消除由于描绘转印用图案时的膜面(图案形成面)的形状与曝光时不同而使得被转印体上没有形成按照设计的图案的问题，取得校正后的描绘数据。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-134433号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在显示装置的制造中，大多利用具有基于想要得到的器件(device)的设计做出的转印用图案的光掩模。作为器件，在以智能手机或平板终端为代表的液晶显示装置或有机EL显示装置中，需要明亮省电、动作速度快且分辨率高的精美图像。因此，对于专利技术人来说，对于上述用途中使用的光掩模显然存在新的技术课题。详细地说，为了鲜明地表现细微的图像，需要提高像素密度，当前，期望实现超过像素密度400ppi(pixel per inch：每英寸像素)的器件。因此，光掩模的转印用图案的设计的趋势是细微化、高密度化。但是，包含显示用器件的多个电子器件由形成
了细微图案的多个层(Layer)的叠层立体地形成。因此，这些多个层中的坐标精度的提高以及坐标彼此的匹配成为关键。也就是说，只要各个层的图案坐标精度没有全部满足预定水平，就会引起在完成的器件中未产生适当动作等不良状况。因此，存在对各个层要求的坐标偏差的容许范围越来越小的趋势。但是，在专利文献1中记载了如下内容：估算光掩模坯体的描绘工序中的膜面形状与曝光时的膜面形状之间的形状变化量，并根据估算出的形状变化量来校正用于描绘的设计描绘数据。在该专利文献1中记载了如下方法：在描绘转印用图案的阶段，对于基板膜面(在透明基板中称作成膜侧的面，在光掩模坯体中称作形成了膜的面，在光掩模中称作形成了图案的面。)之中从理想平面变形的要因中的、曝光时的残留的部分以及曝光时消失的部分进行区分，获得校正后的描绘数据。当在附有光致抗蚀剂的光掩模坯体上利用描绘装置描绘图案时，光掩模坯体在描绘装置的工作台上以膜面向上的状态被载置。此时，作为光掩模坯体的膜面的表面形状从理想的平面变形的要因，认为存在下述4个变形要因：(1)工作台不充分的平整性；(2)由于工作台上夹入异物而导致的基板挠曲；(3)光掩模坯体膜面的凹凸；以及(4)由于光掩模坯体背面的凹凸引起的膜面的变形。(即，由(3)以及基板厚度的偏差引起的膜面的变形)因此，上述4个变形要因累积形成了此状态下的光掩模坯体的表面形状。并且，在此状态的光掩模坯体上进行描绘。另一方面，当光掩模搭载于曝光装置时，通过使膜面向下并仅支承光掩模外缘部而被固定。在光掩模下面配置形成抗蚀膜的被转印体(因为在转印了图案之后利用刻蚀等进行加工，所以也称为被加工体)，从光掩模上(从背面侧)照射曝光的光。在此状态下，上述4个变形要因中的(1)工作台不充分的平整性以及(2)由于在工作台上夹入异物引起的基板的挠曲这样的要因消失。另外，虽然(4)基板背面的凹凸在此状态下仍然残留，但没有形成图案的背面的表面形状对表面(图案形成面)的转印没有影响。另一方面，光掩模在曝光装置中被使用时仍残存的变形要因是上述(3)。也就是说，(1)、(2)、(4)的变形要因在描绘时存在、在曝光时消失。由于该变化，产生描绘时与曝光时的坐标偏差。因此，对于由上述(1)、(2)、(4)的变形要
因引起的表面形状从理想平面的变化量，校正设计描绘数据而设定描绘数据，另一方面，只要由(3)的变形要因引起的表面形状变化量未反映于上述校正，就能够获得具有更正确的坐标设计数据的转印性能的光掩模。因此，根据专利文献1的方法，可提高在被转印体上形成的图案的坐标精度。另一方面，曝光装置内的光掩模在基板外缘附近的保持区域中通过曝光装置的保持部件进行保持并支承为大致水平，此时，由于保持部件而受到强制性的约束，产生基板的变形。而且，如果是显示装置制造用等的光掩模，则仅利用基板外缘附近来支承大面积的基板，由于自重而产生挠曲。在此情况下，由于膜面所示的变形，给已形成光掩模图案的区域也带来了影响，这样会产生其坐标精度劣化的情况。如果考虑当前正开发的高性能的显示装置等中的图案细微化或高集成化，则本专利技术人发现考虑这种细微影响也是有意义的。例如，显示装置等器件通过层叠已构图的薄膜来形成，但层叠的各层是由具有各不相同的光掩模的转印用图案形成的。依据严格的品质管理来制造所使用的各个光掩模是不言而喻的。但是，除了各个光掩模是不同的以外，使其表面的平坦度全部成为完全的理想平面是很困难的，另外，使其膜面形状在多个光掩模中完全一致也是很困难的。因此，在各个光掩模中，其膜面形状存在个体差异，如果考虑这些各个光掩模保持在曝光装置内时示出的膜面形状，进行描绘数据的校正，则能够形成坐标精度更高的转印用图案。也就是说，对于专利文献1的方法，本专利技术人认为：在防止由描绘时与曝光时的膜面姿势的差异而引起的坐标精度劣化时，为了进一步提高精度、提高具有多层的器件的合格率，还考虑有关在各层中采用的光掩模基板的膜面形状的个体差异以及它们在曝光装置内由于受力而带来的影响并实质性消除该影响所引起的转印性劣化的方法是有益的。但是，在上述专利文献1中记载了以下这样的工序：使光掩模坯体以膜面为上侧的方式载置于描绘装置的工作台上，在此状态下测定该光掩模坯体的上侧的面的高度分布。该工序在能够使上述4个变形要因的结果定量化的点上是有用的。但是，该工序具有使光掩模坯体的描绘装置占有时间增加的缺点。因为描绘装置占有时间对光掩模的生产效率或成本的影响较大，所以本专利技术人着眼于具有改善此影响的潜在的技术
课题的情况。因此，本专利技术可解决上述课题，其目的在于，提供能够提高在被转印体上形成的图案的坐标精度的光掩模的制造方法、描绘装置、光掩模的检查方法、光掩模的检查装置以及显示装置的制造方法。解决问题的手段为了解决上述的课题，本专利技术具有以下的结构。(结构1)一种光掩模的制造方法，该方法包括准备在基板的主表面上形成有薄膜和光致抗蚀膜的光掩模坯体，并利用描绘装置描绘预定的转印用图案，在该光掩模的制造方法中，具有以下的工序：根据所述预定的转印用图案的设计来准备图案设计数据A的工序；准备表示所述基板的厚度分布的厚度分布数据T的工序；准备转印面形状数据C的工序，该转印面形状数据C表示所述光掩模保持在曝光装置中时的所述主表面的形状；采用所述厚度分布数据T和所述转印面形状数据C来获得描绘差值数据F的工序；估算所述主表面上的多个点处的与所述描绘差值数据F对应的坐标偏差量而求出描绘用坐标偏差量数据G的工序；以及描绘工序，采用所述描绘用坐标偏差量数据G和所述图案设计数据A，在所述光掩模坯体上进行描绘。(结构2)一种光掩模的制造方法，该方法包括准备在基板的主表面上形成有薄膜和光致抗蚀膜的光掩模坯体，并利用描绘装置来描绘预定的转印用图案，在该光掩模的制造方法中，具有以下的工序：根据所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光掩模的制造方法，该方法包括准备在基板的主表面上形成有薄膜和光致抗蚀膜的光掩模坯体，并利用描绘装置描绘预定的转印用图案，在该光掩模的制造方法中，具有以下的工序：根据所述预定的转印用图案的设计来准备图案设计数据A的工序；准备表示所述基板的厚度分布的厚度分布数据T的工序；准备转印面形状数据C的工序，该转印面形状数据C表示所述光掩模保持在曝光装置中时的所述主表面的形状；采用所述厚度分布数据T和所述转印面形状数据C来获得描绘差值数据F的工序；估算所述主表面上的多个点处的与所述描绘差值数据F对应的坐标偏差量而求出描绘用坐标偏差量数据G的工序；以及描绘工序，采用所述描绘用坐标偏差量数据G和所述图案设计数据A，在所述光掩模坯体上进行描绘。

【技术特征摘要】
2015.02.19 JP 2015-0303401.一种光掩模的制造方法，该方法包括准备在基板的主表面上形成有薄膜和光致抗蚀膜的光掩模坯体，并利用描绘装置描绘预定的转印用图案，在该光掩模的制造方法中，具有以下的工序：根据所述预定的转印用图案的设计来准备图案设计数据A的工序；准备表示所述基板的厚度分布的厚度分布数据T的工序；准备转印面形状数据C的工序，该转印面形状数据C表示所述光掩模保持在曝光装置中时的所述主表面的形状；采用所述厚度分布数据T和所述转印面形状数据C来获得描绘差值数据F的工序；估算所述主表面上的多个点处的与所述描绘差值数据F对应的坐标偏差量而求出描绘用坐标偏差量数据G的工序；以及描绘工序，采用所述描绘用坐标偏差量数据G和所述图案设计数据A，在所述光掩模坯体上进行描绘。2.一种光掩模的制造方法，该方法包括准备在基板的主表面上形成有薄膜和光致抗蚀膜的光掩模坯体，并利用描绘装置来描绘预定的转印用图案，在该光掩模的制造方法中，具有以下的工序：根据所述预定的转印用图案的设计来准备图案设计数据A的工序；准备表示所述基板的厚度分布的厚度分布数据T以及表示所述主表面的表面形状的基板表面形状数据B的工序；获得转印面形状数据C的工序，所述光掩模被保持在曝光装置内时所述表面形状中产生的移位反映到所述基板表面形状数据B中而获得表示保持在曝光装置时的所述主表面的形状的所述转印面形状数据C；采用所述厚度分布数据T和所述转印面形状数据C来获得描绘差值数据F的工序；估算所述主表面上的多个点处的与所述描绘差值数据F对应的坐标偏差量而求出描绘用坐标偏差量数据G的工序；以及采用所述描绘用坐标偏差量数据G和所述图案设计数据A在所述光掩模坯体上
\t进行描绘的描绘工序。3.根据权利要求1或2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，求出自重变形量数据R，该自重变形量数据R表示所述基板保持在曝光装置内时产生的所述主表面的变形中的由所述基板的自重挠曲引起的所述主表面的变形量，在获得所述描绘差值数据F的工序中，采用所述厚度分布数据T、所述转印面形状数据C以及所述自重变形量数据R。4.根据权利要求2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，在以主表面实质上铅直的方式保持所述光掩模坯体或用于成为所述光掩模坯体的基板的状态下，测定所述主表面上的多个测定点的位置，由此求出所述基板表面形状数据B。5.根据权利要求1或2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，在以主表面实质上铅直的方式保持所述光掩模坯体或用于成为所述光掩模坯体的基板的状态下，测定所述主表面上的多个测定点的位置，由此求出所述厚度分布数据T。6.根据权利要求1或2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，预先求出与所述描绘装置所固有的坐标偏差成分相关的坐标偏差固有数据Q，在所述描绘工序中，采用所述描绘用坐标偏差量数据G、所述图案设计数据A以及所述坐标偏差固有数据Q，在所述光掩模坯体上进行描绘。7.根据权利要求1或2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，在获得所述转印面形状数据C的工序中，采用有限元法。8.根据权利要求1或2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，在所述描绘工序中，采用根据所述描绘用坐标偏差量数据G校正所述图案设计数据A而获得的校正图案数据H来进行描绘。9.根据权利要求1或2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，在所述描绘工序中，根据所述描绘用坐标偏差量数据G来校正所述描绘装置所具有的坐标系，并采用所获得的校正坐标系和所述图案设计数据A进行描绘。10.根据权利要求1或2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，当所述光掩模保持在曝光装置内时，由保持部件保持的多个保持点配置在平面上。11.一种描绘装置，用于对在基板的主表面上形成有薄膜和光致抗蚀膜的光掩模坯体描绘转印用图案，该描绘装置具有：输入单元，其输入所述转印用图案的图案设计数据A、表示所述基板的厚度分布的厚度分布数据T、以及转印面形状数据C，该转印面形状数据C表示所述基板保持在曝光装置中的状态下所述基板的主表面形状；运算单元，其采用所述厚度分布数据T和所述转印面形状数据C，运算所述主表面上的多个点处的描绘用坐标偏差量数据G；以及描绘单元，其采用所述描绘用坐标偏差量数据G和所述图案设计数据A，在所述光掩模坯体上进行描绘。12.一种描绘装置，用于对在基板的主表面上形成有薄膜和光致抗蚀膜的光掩模坯体描绘转印用图案，该描绘装置具有：输入单元，其输入所述转印用图案的图案设计数据A、表示所述基板的厚度分布的厚度分布数据T、表示所述基板的主表面的形状的基板表面形状数据B、与在曝光装置上保持所述基板时的保持状态相关的信息、以及包含所述基板的原料的物性值的基板信息；运算单元，其能采用所述基板表面形状数据B、与所述保持状态相关的信息以及所述基板信息，来运算表示保持在曝光装置内的状态下的所述基板的主表面形状的转印面形状数据C，并且采用所述厚度分布数据T和所述转印面形状数据C，来运算所述主表面上的多个点处的描绘用坐标偏差量数据G；以及描绘单元，其采用所述描绘用坐标偏差量数据G和所述图案设计数据A，在所述光掩模坯体上进行描绘。13.根据权利要求12所述的描绘装置，其特征在于，所述描绘装置还具备存储单元，该存储单元保存自重变形量数据R，该自重变形量数据R表示所述基板保持在曝光装置内时产生的所述主表面的变形中的由所述基板的自重挠曲引起的所述主表面的变形量，所述运算单元使用所述自重变形量数据R进行运算。14.根据权利要求12或13所述的描绘装置，其特征在于，所述描绘装置具备存储单元，该存储单元保存与所述描绘装置所固有的...

【专利技术属性】
技术研发人员：剑持大介，
申请(专利权)人：HOYA株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP