一种阵列基板以及显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板以及显示面板，该阵列基板包括：透明基板，所述透明基板包括显示区以及边框区；设置所述透明基板同一侧的像素结构以及防静电开关管；所述像素结构包括像素薄膜晶体管；所述像素薄膜晶体管位于所述显示区，所述防静电开关管位于所述边框区；位于所述防静电开关管背离所述透明基板一侧的第一接地走线以及位于所述防静电开关管与所述透明基板之间的第二接地走线；其中，在垂直于所述透明基板的方向上，所述第一接地走线以及所述第二接地走线在所述透明基板上的投影均位于所述边框区；所述第一接地走线通过所述防静电开关管与所述第二接地走线连接。所述阵列基板具有较好的静电防护效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示装置
，更具体的说，涉及一种阵列基板以及显示面板。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，越来越多的显示装置被广泛的应用到人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。显示装置通过显示面板进行图像显示。参考图1，图1为现有的显示面板的结构示意图，所示显示面板包括：相对设置的阵列基板11以及彩膜基板12。其中，阵列基板11包括玻璃基板111以及TFT膜层112。彩膜基板12与阵列基板11通过框胶14封装。为了避免显示面板受到静电损伤，彩膜基板12背离阵列基板11一侧的表面设置有静电屏蔽层13，且在TFT膜层112内设置有接地走线16。图1所示显示面板进行ESD(静电释放)测试时，高压电极15释放的电荷大部分通过静电屏蔽层13导走，当高压电极15的电压高达一定程度时，在显示面板的边缘会形成从高压电极15到接地走线16的电弧，将电荷转移到接地走线16导走。当静电电压较大时，现有的显示面板仅仅通过接地走线16释放静电电荷。而显示面板窄边框设计是显示装置的发展趋势，这样导致显示面板的边框区宽度越来越窄，使得接地走线16的宽度不断变小，导致接地走线的阻抗也越来越大。而接地走线的阻抗较大时，在其释放静电电荷时会产生较多的热量，使得接地走线16容易被击穿而损坏，静电防护效果较差。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供了一种阵列基板以及显示面板，所述阵列基板通过第一接地走线、第二接地走线以及位于第一接地走线与第二接地走线之间的防静电开关传导静电电荷，避免了接地走线易被静电击穿的问题，提高了静电防护效果。为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种阵列基板，用于显示面板，所述显示面板具有接地部件，所述阵列基板包括：透明基板，所述透明基板包括显示区以及边框区；设置所述透明基板同一侧的像素结构以及防静电开关管；所述像素结构包括像素薄膜晶体管；所述像素薄膜晶体管位于所述显示区，所述防静电开关管位于所述边框区；位于所述防静电开关管背离所述透明基板一侧的第一接地走线以及位于所述防静电开关管与所述透明基板之间的第二接地走线；其中，在垂直于所述透明基板的方向上，所述第一接地走线以及所述第二接地走线在所述透明基板上的投影均位于所述边框区；所述第一接地走线通过所述防静电开关管与所述第二接地走线连接；当静电电压不超过设定阈值时，静电电荷通过所述第一接地走线传导至所述接地部件；当静电电压大于所述设定阈值时，所述静电电压使得所述防静电开关管导通，一部分静电电荷依次通过所述第一接地走线、所述防静电开关管以及所述第二接地走线传导至所述接地部件，另一部分静电电荷通过所述第一接地走线传导至所述接地部件。本专利技术还提供了一种显示面板，该显示面板包括：相对设置的彩膜基板以及阵列基板；其中，所述阵列基板为上述阵列基板。通过上述描述可知，本专利技术技术方案提供的阵列基板具有如下有益效果：本专利技术提供的阵列基板通过第一接地走线、第二接地走线以及位于第一接地走线与第二接地走线之间的防静电开关传导静电电荷。当静电电压不超过设定阈值时，静电电荷通过所述第一接地走线传导至所述接地部件。当静电电压大于所述设定阈值时，即当静电电压较高时，所述静电电压使得所述
防静电开关管导通，一部分静电电荷依次通过所述第一接地走线、所述防静电开关管以及所述第二接地走线传导至所述接地部件，另一部分静电电荷通过所述第一接地走线传导至所述接地部件。当静电电压大于设定阈值时，通过第一接地走线、防静电开关、第二接地走线以及接地部件构成的回路释放静电，此时静电击穿主要发生在防静电开关位置，静电击穿用于促使防静电开关导通，从而避免了静电击穿损坏第一接地走线以及第二接地走线。所述防静电开关为半导体开关器件，防静电开关的被静电击穿只是高压导通的暂时导通状态，当静电高压消失，防静电开关会恢复初始状态，静电击穿不容易导致防静电开关的损坏。因此，相对于现有技术仅通过接地走线释放静电的方式，避免了接地走线被击穿，提高了静电防护效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为现有的显示面板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种第二有源区的俯视图；图4为本专利技术实施例提供的一种防静电开关管的第二源极以及第二漏极的俯视图；图5为本专利技术实施例提供的一种防静电开关的俯视图；图6为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种防静电开关管的俯视图；图8为本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图9为本专利技术实施例所述阵列基板中的等效电路图；图10为本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。正如
技术介绍
中所述，现有技术仅通过设置在边框区的接地走线释放静电。静电电压过高时，接地走线在释放静电的过程中容易产生大量的热量，接地走线容易被击穿损害，静定防护效果较差。为了解决上问题，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板用于显示面板，所述显示面板具有接地部件。所述阵列基板包括：透明基板，所述透明基板包括显示区以及边框区；设置所述透明基板同一侧的像素结构以及防静电开关管；所述像素结构包括像素薄膜晶体管；所述像素薄膜晶体管位于所述显示区，所述防静电开关管位于所述边框区；位于所述防静电开关管背离所述透明基板一侧的第一接地走线以及位于所述防静电开关管与所述透明基板之间的第二接地走线；其中，在垂直于所述透明基板的方向上，所述第一接地走线以及所述第二接地走线在所述透明基板上的投影均位于所述边框区；所述第一接地走线通过所述防静电开关管与所述第二接地走线连接；当静电电压不超过设定阈值时，静电电荷通过所述第一接地走线传导至所述接地部件；当静电电压大于所述设定阈值时，所述静电电压使得所述防静电开关管导通，一部分静电电荷依次通过所述第一接地走线、所述防静电开关管以及所述第二接地走线传导至所述接地部件，另一部分静电电荷通过所述第一接地走线传导至所述接地部件。本专利技术提供的阵列基板通过第一接地走线、第二接地走线以及位于第一接地走线与第二接地走线之间的防静电开关传导静电电荷。当静电电压不超过设定阈值时，静电电荷通过所述第一接地走线传导至所述接地部件。当静电电压大于所述设定阈值时，即当静电电压较高时，所述静电电压使得所述防静电开关管导通，一部分静电电荷依次通过所述第一接地走线、所述防静
电开关管以及所述第二接地走线传导至所述接地部件，另一部分静电电荷通过所述第一接地走线传导至所述接地部件。当静电电压大于设定阈值时，通过第一接地走线、防静电开关、第二接地走线以及接地部件构成的回路释放静电，此时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，用于显示面板，所述显示面板具有接地部件，其特征在于，所述阵列基板包括：透明基板，所述透明基板包括显示区以及边框区；设置所述透明基板同一侧的像素结构以及防静电开关管；所述像素结构包括像素薄膜晶体管；所述像素薄膜晶体管位于所述显示区，所述防静电开关管位于所述边框区；位于所述防静电开关管背离所述透明基板一侧的第一接地走线以及位于所述防静电开关管与所述透明基板之间的第二接地走线；其中，在垂直于所述透明基板的方向上，所述第一接地走线以及所述第二接地走线在所述透明基板上的投影均位于所述边框区；所述第一接地走线通过所述防静电开关管与所述第二接地走线连接；当静电电压不超过设定阈值时，静电电荷通过所述第一接地走线传导至所述接地部件；当静电电压大于所述设定阈值时，所述静电电压使得所述防静电开关管导通，一部分静电电荷依次通过所述第一接地走线、所述防静电开关管以及所述第二接地走线传导至所述接地部件，另一部分静电电荷通过所述第一接地走线传导至所述接地部件。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，用于显示面板，所述显示面板具有接地部件，其特征在于，所述阵列基板包括：透明基板，所述透明基板包括显示区以及边框区；设置所述透明基板同一侧的像素结构以及防静电开关管；所述像素结构包括像素薄膜晶体管；所述像素薄膜晶体管位于所述显示区，所述防静电开关管位于所述边框区；位于所述防静电开关管背离所述透明基板一侧的第一接地走线以及位于所述防静电开关管与所述透明基板之间的第二接地走线；其中，在垂直于所述透明基板的方向上，所述第一接地走线以及所述第二接地走线在所述透明基板上的投影均位于所述边框区；所述第一接地走线通过所述防静电开关管与所述第二接地走线连接；当静电电压不超过设定阈值时，静电电荷通过所述第一接地走线传导至所述接地部件；当静电电压大于所述设定阈值时，所述静电电压使得所述防静电开关管导通，一部分静电电荷依次通过所述第一接地走线、所述防静电开关管以及所述第二接地走线传导至所述接地部件，另一部分静电电荷通过所述第一接地走线传导至所述接地部件。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素结构包括：多个阵列排布的像素薄膜晶体管；所述像素薄膜晶体管包括：第一有源区；位于所述第一有源区背离所述透明基板一侧的第一源极以及第一漏极；所述第一源极以及所述第一漏极同层设置；所述防静电开关管包括：与所述第一有源区同层设置的第二有源区以及与所述第一源极同层设置的第二漏极以及第二源极。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源区包括：N型半导体区以及P型半导体区；所述N型半导体区与所述P型半导体区中的一者与所述第二漏极连接，另一者与所述第二源极连接；其中，所述第一接地走线与所述第二接地走线中的一者与所述第二源极连接，另一者与所述第二漏极连接。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述防静电开关管还包括：在垂直于所述透明基板的方向上，与所述第二有源区相对设置的第二栅极；所述第二栅极与所述第二有源区之间具有栅绝缘层；所述第二源极与所述第二漏极中的一者与所述第二栅极连接；所述第二源极与所述第二漏极中的一者与所述第一接地走线连接，另一者与所述第二接地走线连接。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素结构包括：位于所述透明基板表面的遮光走线；覆盖所述遮光走线的第一介质层；位于所述第一介质层表面的第一有源区；在垂直于所述透明基板的方向上，所述第一有源区在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李元行，朱绎桦，蔡寿金，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35