薄膜晶体管及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管及显示装置，属于显示技术领域，能够降低第一金属层与第二金属层之间的寄生电容，提高液晶显示器的显示品质。该薄膜晶体管包括栅极；覆盖在所述栅极上的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上的半导体层；形成于所述半导体层上的源极和漏极；所述半导体层具有一延伸部分，所述延伸部分的平面投影超出所述栅极的边缘，且所述漏极覆盖所述延伸部分。本发明专利技术可应用于手机、平板电脑等高PPI的显示装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，具体的说，涉及一种薄膜晶体管及显示装置。
技术介绍
随着显示技术的发展，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，简称TFT-LCD)已经成为最为常见的显示装置，是当前平面显示装置的主要品种之一，已经成为了现代IT、视讯产品中重要的显示平台。其中的薄膜晶体管在有源矩阵显示技术中有着非常重要的作用。具体来说，在主动矩阵式(active matrix)液晶显示器中，每个子像素都配置有一个薄膜晶体管，使得每一个子像素可以独立的运作，且不易受到其他子像素的影响。如图1和图2所示，目前的薄膜晶体管大多采用底栅型结构，自下而上依次为栅极11、栅极绝缘层12、半导体层13，以及位于同一层的源极14和漏极15。其中，栅极11与扫描线110连接，源极14与数据线140连接。在这样结构的薄膜晶体管中，第二金属层(源极14和漏极15所在的图层)覆盖在半导体层之上。在实际设计中，源极14和漏极15的线宽较细，同时为了降低在蚀刻过程中发生断线的风险，在漏极15的爬坡部分(即覆盖住半导体层13边缘的部分)往往会增加其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极；覆盖在所述栅极上的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上的半导体层；形成于所述半导体层上的源极和漏极；所述半导体层具有一延伸部分，所述延伸部分的平面投影超出所述栅极的边缘，且所述漏极覆盖所述延伸部分。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极；覆盖在所述栅极上的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上的半导体层；形成于所述半导体层上的源极和漏极；所述半导体层具有一延伸部分，所述延伸部分的平面投影超出所述栅极的边缘，且所述漏极覆盖所述延伸部分。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏极呈直线形结构。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏极包括爬坡部分和平铺部分，所述爬坡部分覆盖着所述半导体层的延伸部分。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述爬坡部分的宽度大于所述平铺部分的宽度。5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：雍玮娜，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44