半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置及其制造方法。薄膜晶体管的电子特性和可靠性由于杂质元素到沟道区中的扩散而下降。本发明专利技术提供了一种其中铝原子不可能扩散到氧化物半导体层的薄膜晶体管。一种包括包含铟、镓、和锌的氧化物半导体层的薄膜晶体管包括其中堆叠有包括铝作为主要组分的第一导电层和包括高熔点金属材料的第二导电层的源或漏电极层。氧化物半导体层与第二导电层和包括氧化铝作为主要组分的阻挡层接触，由此抑制铝原子到氧化物半导体层的扩散。

【技术实现步骤摘要】
201610397118

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：在基板之上的栅电极；在所述栅电极之上的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜之上的源电极层和漏电极层；电连接到所述源电极层和所述漏电极层的氧化物半导体层；其中所述氧化物半导体层包括铟、镓和锌，其中所述源电极层和所述漏电极层中的每一个包括第一导电层和在所述第一导电层之上的第二导电层，并且其中所述第一导电层的氧化物设置在所述第一导电层的端部。

【技术特征摘要】
2008.10.10 JP 2008-2644971.一种半导体装置，包括：在基板之上的栅电极；在所述栅电极之上的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜之上的源电极层和漏电极层；电连接到所述源电极层和所述漏电极层的氧化物半导体层；其中所述氧化物半导体层包括铟、镓和锌，其中所述源电极层和所述漏电极层中的每一个包括第一导电层和在所述第一导电层之上的第二导电层，并且其中所述第一导电层的氧化物设置在所述第一导电层的端部。2.一种半导体装置，包括：在基板之上的栅电极；在所述栅电极之上的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜之上的源电极层和漏电极层；电连接到所述源电极层和所述漏电极层的氧化物半导体层；其中所述氧化物半导体层包括铟、镓和锌，其中所述源电极层和所述漏电极层中的每一个包括第一导电层和在所述第一导电层之上的第二导电层，其中所述第一导电层的氧化物设置在所述第一导电层的端部，并且其中所述第一导电层具有锥形的侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋元健吾，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP