薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及CMOS器件技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及CMOS器件。薄膜晶体管包括：基板；邻近基板设置的低温多晶硅层；与低温多晶硅层同层且设置在低温多晶硅层相对两端的第一、第二轻掺杂区，与低温多晶硅层同层设置的第一、第二重掺杂区，第一重掺杂区设置在第一轻掺杂区远离低温多晶硅层的一端，第二重掺杂区设置在第二轻掺杂区远离低温多晶硅层的一端，第一、第二轻掺杂区及第一、第二重掺杂区掺杂类型相同；第一绝缘层，包括第一、第二部分，第一部分覆盖低温多晶硅层、第一、第二轻掺杂区及第一、第二重掺杂区，第二部分设置在第一部分的表面中部，第一、第二部分形成“凸”字；栅极，设置在第二部分。

【技术实现步骤摘要】
201610363860

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：基板；低温多晶硅层，邻近所述基板设置；第一轻掺杂区及第二轻掺杂区，与所述低温多晶硅层同层设置，且设置在所述低温多晶硅层相对的两端，所述第一轻掺杂区与所述第二轻掺杂区关于所述低温多晶硅层对称部分的掺杂浓度相等；第一重掺杂区及第二重掺杂区，与所述低温多晶硅层同层设置，所述第一重掺杂区设置在所述第一轻掺杂区远离所述低温多晶硅层的一端，所述第一重掺杂区与所述第二重掺杂区关于所述低温多晶硅层对称部分的掺杂浓度相等，所述第二重掺杂区设置在所述第二轻掺杂区远离所述低温多晶硅层的一端，所述第一轻掺杂区、所述第二轻掺杂区、所述第一重掺杂区及所述第二重掺杂区的掺杂类...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵芬利，谢应涛，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44