TFT器件结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种TFT器件结构及其制作方法。本发明专利技术的TFT器件结构，采用氧化铝层与氮化铝层叠加的双层结构的绝缘介质层，由于氧化铝具有优良的隔绝水汽、各种金属离子的特性，并具有强耐化学腐蚀、高热稳定性等特点，所述氧化铝层能够很好的保护半导体层和TFT器件，而氮化铝具有良好的热导电性和化学稳定性，能和硅形成良好的接触界面，叠加于所述氧化铝层上的氮化铝层能够消除氧化铝层和硅界面的热应力，以及防止高温下在界面形成硅氧化合物，另外，氧化铝与氮化铝均能够通过简单的磁控溅射或者CVD方式成膜，因此相比于传统的TFT器件结构，具有较低的材料工艺成本，产品性能更为优良。

【技术实现步骤摘要】
201610404269

【技术保护点】
一种TFT器件结构，其特征在于，包括绝缘介质层(30)，所述绝缘介质层(30)包括自下而上依次设置的氧化铝层(31)、及氮化铝层(32)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄秋平，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44