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本发明涉及半导体装置及其制造方法。薄膜晶体管的电子特性和可靠性由于杂质元素到沟道区中的扩散而下降。本发明提供了一种其中铝原子不可能扩散到氧化物半导体层的薄膜晶体管。一种包括包含铟、镓、和锌的氧化物半导体层的薄膜晶体管包括其中堆叠有包括铝作为...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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