【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供一种半导体元件保护用材料，可以得到涂布性优异、散热性及柔软性优异的固化物且可以良好地保护半导体元件。本专利技术的半导体元件保护用材料为了保护半导体元件而用于涂布在所述半导体元件的表面上，并在所述半导体元件的表面上形成固化物，所述半导体元件保护用材料与下述物质不同，所述物质配置于半导体元件和其它连接对象部件之间，并形成粘接及固定所述半导体元件和所述其它连接对象部件从而使它们不会发生剥离的固化物，所述半导体元件保护用材料包含：挠性环氧化合物、与挠性环氧化合物不同的环氧化合物、在23℃下为液态的固化剂、固化促进剂、和导热率为10W/m·K以上且为球状的无机填料。【专利说明】半导体元件保护用材料及半导体装置
本专利技术涉及为了保护半导体元件而涂布在上述半导体元件的表面上使用的半导 体元件保护用材料。另外，本专利技术还涉及使用了上述半导体元件保护用材料的半导体装置。
技术介绍
半导体装置的高性能化不断发展。随之，从半导体装置产生的热进行扩散的必要 性越来越高。另外，半导体装置中，半导体元件的电极与例如表面具有电极的其它连接对象 部件中的电极...
【技术保护点】
一种半导体元件保护用材料，其为了保护半导体元件而用于涂布在所述半导体元件的表面上，并在所述半导体元件的表面上形成固化物，所述半导体元件保护用材料与下述物质不同，所述物质配置于半导体元件和其它连接对象部件之间，并形成粘接及固定所述半导体元件和所述其它连接对象部件从而使它们不会发生剥离的固化物，所述半导体元件保护用材料包含：挠性环氧化合物、与挠性环氧化合物不同的环氧化合物、在23℃下为液态的固化剂、固化促进剂、和导热率为10W/m·K以上且为球状的无机填料。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：西村贵史，前中宽，小林佑辅，中村秀，青山卓司，金千鹤，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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