OLED阵列基板及制作方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:13467286 阅读:19 留言:0更新日期:2016-08-04 23:17
本发明专利技术公开了一种OLED阵列基板及制作方法、显示装置,属于显示器领域。所述OLED阵列基板包括基板、设置在所述基板上的薄膜晶体管TFT阵列、设置在所述TFT阵列上的多个发光单元和多个隔垫物,所述隔垫物设置在相邻的发光单元之间;所述OLED阵列基板还包括多个压力传感器,所述压力传感器设置在所述隔垫物和所述TFT阵列之间。本发明专利技术通过在隔垫物下设置压力传感器,当受到压力后,隔垫物受到挤压,从而对压力传感器产生挤压,压力传感器受到挤压产生感应信号,从而实现压力检测,实现了不外接任何组件的前提下OLED的压力感应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示器领域,特别涉及一种有机电致发光器件(OrganicLight-EmittingDiode,简称OLED)阵列基板及制作方法、显示装置。
技术介绍
压力感应技术是指对外部受力能够实施探测的技术,例如当用户对显示器进行按压时,显示器通过压力感应技术能够准确检测用户的按压操作。目前,在显示领域,压力感应主要通过外接组件的方式来实现。以OLED显示器为例,实现压力感应的手段主要是通过在OLED显示器上外接额外的具有压力感应功能的组件来实现,这种外接组件的方式会造成显示器厚度变大。
技术实现思路
为了解在OLED显示器上外接组件实现压力感应会造成显示器厚度变大的问题,本专利技术实施例提供了一种OLED阵列基板及制作方法、显示装置。所述技术方案如下:第一方面,本专利技术实施例提供了一种有机电致发光器件OLED阵列基板,包括基板、设置在所述基板上的薄膜晶体管TFT阵列、设置在所述TFT阵列上的多个发光单元和多个隔垫物,所述隔垫物设置在相邻的发光单元之间;所述OLED阵列基板还包括多个压力传感器,所述压力传感器设置在所述隔垫物和所述TFT阵列之间。在本专利技术实施例的一种实现方式中,任意相邻的两个所述发光单元之间设有一个所述隔垫物,每个所述隔垫物下方设置有一个所述压力传感器。在本专利技术实施例的另一种实现方式中,所述压力传感器为纳米压电材料制成的压力传感器。在本专利技术实施例的另一种实现方式中,所述OLED阵列基板还包括:底面信号线和顶面信号线,所述底面信号线与所述压力传感器的底面连接,所述顶面信号线与所述压力传感器的顶面连接,所述压力传感器的底面为远离所述隔垫物的一面,所述压力传感器的顶面为靠近所述隔垫物的一面。在本专利技术实施例的另一种实现方式中,所述底面信号线包括垂直交叉相连的第一底面信号线和第二底面信号线,所述第一底面信号线与相邻两行所述发光单元之间的所述压力传感器的底面相连,所述第二底面信号线与相邻两列所述发光单元之间的所述压力传感器的底面相连;所述顶面信号线包括垂直交叉相连的第一顶面信号线和第二顶面信号线,所述第一顶面信号线与相邻两行所述发光单元之间的所述压力传感器的顶面相连,所述第二顶面信号线与相邻两列所述发光单元之间的所述压力传感器的顶面相连。在本专利技术实施例的另一种实现方式中,所述OLED阵列基板还包括检测电路,所述检测电路包括放大器、电容和开关,所述压力传感器与放大器的正相输入端和反相输入端电连接,所述电容两端分别连接所述放大器的反相输入端和输出端,所述开关并联在所述电容的两端,所述放大器的正向输入端还用于与基准电压连接。在本专利技术实施例的另一种实现方式中,所述发光单元包括依次设置的阳极层、有机发光层和阴极层。第二方面,本专利技术实施例提供了一种显示装置,包括第一方面任一项所述的OLED阵列基板。第三方面,本专利技术实施例提供了一种OLED阵列基板制作方法,所述方法包括:提供一基板;在所述基板上形成薄膜晶体管TFT阵列;在所述TFT阵列上形成多个发光单元;在所述TFT阵列上形成多个压力传感器和多个隔垫物,所述隔垫物设置在相邻的发光单元之间,所述压力传感器设置在所述隔垫物和所述TFT阵列之间。在本专利技术实施例的一种实现方式中,任意相邻的两个所述发光单元之间设有一个所述隔垫物,每个所述隔垫物下方设置有一个所述压力传感器。在本专利技术实施例的另一种实现方式中,所述压力传感器采用纳米压电材料制成。在本专利技术实施例的另一种实现方式中,所述方法还包括:在形成所述压力传感器之前,形成底面信号线,所述底面信号线与所述压力传感器的底面连接,所述压力传感器的底面为远离所述隔垫物的一面;在形成所述压力传感器之后,形成顶面信号线,所述顶面信号线与所述压力传感器的顶面连接,所述压力传感器的顶面为靠近所述隔垫物的一面。在本专利技术实施例的另一种实现方式中,所述形成底面信号线,包括:形成垂直交叉相连的第一底面信号线和第二底面信号线,所述第一底面信号线与相邻两行所述发光单元之间的所述压力传感器的底面相连,所述第二底面信号线与相邻两列所述发光单元之间的所述压力传感器的底面相连;所述形成顶面信号线,包括:形成垂直交叉相连的第一顶面信号线和第二顶面信号线,所述第一顶面信号线与相邻两行所述发光单元之间的所述压力传感器的顶面相连,所述第二顶面信号线与相邻两列所述发光单元之间的所述压力传感器的顶面相连。在本专利技术实施例的另一种实现方式中,在所述TFT阵列上形成多个发光单元,包括:依次形成阳极层、有机发光层和阴极层。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是:本专利技术通过在隔垫物下设置压力传感器,当受到压力后,隔垫物受到挤压,从而对压力传感器产生挤压,压力传感器受到挤压产生感应信号,从而实现压力检测,实现了不外接任何组件的前提下OLED的压力感应。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种OLED阵列基板的结构示意图;图2是图1提供的OLED阵列基板的俯视图;图3是本专利技术实施例提供的另一种OLED阵列基板的结构示意图;图4是本专利技术实施例提供的检测电路的电路图;图5是本专利技术实施例提供的OLED阵列基板的详细结构示意图;图6是图5的OLED阵列基板中发光单元的放大结构示意图;图7是本专利技术实施例提供的一种OLED阵列基板制作方法的流程图;图8是本专利技术实施例提供的另一种OLED阵列基板制作方法的流程图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。图1是本专利技术实施例提供的一种OLED阵列基板的结构示意图,图2是该OLED阵列基板的俯视图,参见图1和图2,该OLED阵列基板包括基板100、设置在基板100上的薄膜晶体管TFT阵列110、设置在TFT阵列110上的多个发光单元120和多个隔垫物130,隔垫物130设置在相邻的发光单元120之间;OLED阵列基板还包括多个压力传感器140,压力传感器140设置在隔垫物130和TFT阵列110之间。本专利技术通过在隔垫物下设置压力传感器,当受到压力后,隔垫物受到挤压,从而对压力传感器产本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件OLED阵列基板,包括基板、设置在所述基板上的薄膜晶体管TFT阵列、设置在所述TFT阵列上的多个发光单元和多个隔垫物,所述隔垫物设置在相邻的发光单元之间;其特征在于,所述OLED阵列基板还包括多个压力传感器,所述压力传感器设置在所述隔垫物和所述TFT阵列之间。

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件OLED阵列基板,包括基板、设置在所述基板上
的薄膜晶体管TFT阵列、设置在所述TFT阵列上的多个发光单元和多个隔垫物,
所述隔垫物设置在相邻的发光单元之间;其特征在于,所述OLED阵列基板还
包括多个压力传感器,所述压力传感器设置在所述隔垫物和所述TFT阵列之间。
2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于,任意相邻的两个
所述发光单元之间设有一个所述隔垫物,每个所述隔垫物下方设置有一个所述
压力传感器。
3.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于,所述压力传感器
为纳米压电材料制成的压力传感器。
4.根据权利要求3所述的OLED阵列基板,其特征在于,所述OLED阵列
基板还包括:底面信号线和顶面信号线,所述底面信号线与所述压力传感器的
底面连接,所述顶面信号线与所述压力传感器的顶面连接,所述压力传感器的
底面为远离所述隔垫物的一面,所述压力传感器的顶面为靠近所述隔垫物的一
面。
5.根据权利要求4所述的OLED阵列基板,其特征在于,所述底面信号线
包括垂直交叉相连的第一底面信号线和第二底面信号线,所述第一底面信号线
与相邻两行所述发光单元之间的所述压力传感器的底面相连,所述第二底面信
号线与相邻两列所述发光单元之间的所述压力传感器的底面相连;
所述顶面信号线包括垂直交叉相连的第一顶面信号线和第二顶面信号线,
所述第一顶面信号线与相邻两行所述发光单元之间的所述压力传感器的顶面相
连,所述第二顶面信号线与相邻两列所述发光单元之间的所述压力传感器的顶
面相连。
6.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于,所述OLED阵列
基板还包括检测电路,所述检测电路包括放大器、电容和开关,所述压力传感
器与放大器的正相输入端和反相输入端电连接,所述电容两端分别连接所述放
大器的反相输入端和输出端,所述开关并联在所述电容的两端,所述放大器的
正向输入端还用于与基准电压连接。
7.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:丁小梁董学王海生陈小川刘英明杨盛际赵卫杰刘伟李昌峰王鹏鹏
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司北京京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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