【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
适用于纯水压元件的QPQ处理工艺,其特征在于:工艺步骤如下:清洗在水基清洗剂的作用下,以100~150 A/dm2的电流密度清洗0.05‑0.1s;2)预热在350‑400℃的温度下,在空气炉中对工件加热10‑20min;盐浴氮化温度520~580℃,时间120~180min;盐浴氧化温度380‑400℃,时间15~20min;冷却在空气下冷却,机械抛光;再氧化温度380‑400℃下,氧化15~20min,氧化完成后,浸油。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:郭军,
申请(专利权)人:德阳瑞泰科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川;51
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