薄膜晶体管基板、其制作方法及使用之液晶显示面板技术

本发明专利技术涉及一种薄膜晶体管基板、其制作方法及使用此薄膜晶体管基板的液晶显示面板。本发明专利技术的薄膜晶体管基板的制作方法，其包括先在一基板上形成薄膜晶体管，然后将该薄膜晶体管基板置于一高于1个标准大气压的高压环境下对该薄膜晶体管基板进行氧离子修补。本发明专利技术通过一高压环境对薄膜晶体管基板进行氧离子修补，能够得到具有稳定导电效果的薄膜晶体管基板。

【技术实现步骤摘要】


本专利技术涉及一种薄膜晶体管基板、其制作方法及使用此薄膜晶体管基板的液晶显示面板。

技术介绍

液晶显示面板因其功耗小、成本低和无辐射等特点，近年来得到了广泛的应用于各个领域，如家庭、公共场所、办公场及个人电子相关产品等。液晶显示面板一般包括薄膜晶体管基板、对向基板以及夹设在两基板之间的液晶层。该薄膜晶体管基板包括由多个薄膜晶体管所组成的阵列。该薄膜晶体管用于控制液晶显示面板的数据写入，其包括栅极、沟道层、源极以及漏极等结构。其中，该沟道层通常由非晶硅、多晶硅或金属氧化物半导体等材料形成。但是，使用金属氧化物半导体作为沟道层的薄膜晶体管基板在制造过程中容易因为在形成源极与漏极等结构时对该沟道层造成影响，导致电子迁移率下降，导电效果不稳定，从而影响液晶显示器的显示效果。

技术实现思路

鉴于此，有必要提供一种可以提高薄膜晶体管性能的薄膜晶体管基板的制作方法。
进一步，提供一种由前述方法制作的薄膜晶体管基板及具有此薄膜晶体管基板的液晶显示面板。
一种薄膜晶体管基板的制作方法，其包括如下步骤：
提供一基板；
于该基板上形成薄膜晶体管；
于该薄膜晶体管上形成钝化层及像素电极层，该像素电极层与该薄膜晶体管的漏极电性连接；
将形成有该钝化层及该像素电极层的该薄膜晶体管基板置于一大气压强为2个标准大气压到7个标准大气压的高压环境下以增加该沟道层的氧离子浓度。
一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板采用上述的制作方法制得。
一种液晶显示面板，其包括薄膜晶体管基板、与该薄膜晶体管基板相对设置的对向基板及夹于该薄膜晶体管基板与该对向基板之间的液晶层，该薄膜晶体管基板采用上述制作方法制作的薄膜晶体管基板。
相较于现有技术，本专利技术所提供的薄膜晶体管基板、其制作方法及使用此薄膜晶体管基板的液晶显示面板，通过一高于标准大气压强的高压环境对薄膜晶体管基板进行氧离子修补，能够得到具有稳定导电效果的薄膜晶体管基板。
附图说明
图1是本专利技术一较佳实施方式所提供的薄膜晶体管基板的制作流程图。
图2至图11是本专利技术具体实施方式薄膜晶体管基板之制作方法各部流程的剖视图。
图12是本专利技术一较佳实施方式所提供的液晶显示面板的剖视图。
主要元件符号说明
薄膜晶体管基板11第一基底110栅极1110第一金属层20栅极绝缘层1111沟道层1112金属氧化物半导体层30第二金属层40光致抗蚀剂层50源极1113漏极1114薄膜晶体管111钝化层112接触孔1121公共电极层114绝缘层115像素电极层113通孔1151对向基板12液晶层13第二基底120彩色滤光片121第一开口1131第二开口1141如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。
具体实施方式
如图1所示，其为本专利技术一较佳实施方式所提供的薄膜晶体管基板11的制作方法的流程图，请同时参阅图2至图11，该方法包括如下步骤：
步骤S101，提供第一基底110，并在该第一基底110上形成栅极1110。具体地，如图2所示，首先提供第一基底110，并在该第一基底110上形成第一金属层20。该第一基底110的材质可以选自玻璃、石英、有机聚合物或其它可适用的透明材料。该第一金属层20的材质通常为金属材料，但也可以使用其它导电材料，如合金、金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物等。接着，如图3所示，利用光蚀刻工艺来图案化第一金属层20以定义出该栅极1110。另外，在形成栅极1110的同时，也可以同时定义出与栅极1110电性连接的扫描线（图未示）。
步骤S102，如图4所示，在该第一基底110与该栅极1110上沉积栅极绝缘层1111以覆盖该第一基底110及该栅极1110。该栅极绝缘层1111的材质可以选自无机材料（例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等）、有机材料或其它可适用的材料等。该栅极绝缘层1111形成的方法包括等离子体化学气相沉积工艺等。
步骤S103，在该栅极绝缘层1111上正对该栅极1110的位置形成沟道层1112。具体地，首先，如图5所示，在该栅极绝缘层1111上沉积一金属氧化物半导体层30。该金属氧化物半导体层30的材质可以为铟镓锌氧化物（IndiumGalliumZincOxide，IGZO）等。然后，如图6所示，利用光蚀刻工艺来图案化该金属氧化物半导体层30，以在该栅极绝缘层1111上正对该栅极1110的位置形成该沟道层1112。
步骤S104，形成覆盖该栅极绝缘层1111及该沟道层1112的第二金属层40以及覆盖该第二金属层40的光致抗蚀剂层50，对该第二金属层40进行图案化蚀刻，以得到源极1113及漏极1114。具体地，如图7所示，依次在该栅极绝缘层1111及该沟道层1112上形成该第二金属层40及光致抗蚀剂层50。与第一金属层20类似，该第二金属层40的材质通常也为金属材料，但也可以使用其它导电材料，例如合金、金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物等。接着，对该光致抗蚀剂层50进行图案化曝光显影并对该第二金属层40进行蚀刻，得到如图8所示的，形成在该栅极绝缘层1111上且分别与该沟道层1112的相对两端连接的源极1113和漏极1114，得到形成于该第一基底110上的薄膜晶体管111。另外，在形成源极1113和漏极1114的同时，也可以同时定义出与源极1113电性连接的数据线（图未示）。
步骤S105，如图9所示，形成一层钝化层112于该薄膜晶体管111上，且该钝化层112覆盖该薄膜晶体管111。在形成该钝化层112的同时，在该钝化层112上与该漏极1114对应的位置形成接触孔1121。该钝化层112的材质可以选自无机材料（例如硅的氧化物、硅的氮化物或氮氧化硅等）、有机材料或其它可适用的材料及其组合。本实施方式中，该钝化层112的材质选用硅的氮化物。
步骤S16，如图10所示，依次形成公共电极层114、绝缘层115及像素电极层113于该钝化层112上。形成该绝缘层115的同时，在该绝缘层115上与该接触孔1121对应的位置形成贯穿该绝缘层115的通孔1151，该通孔1151与该接触孔1121连通，以暴漏处该漏极1114，该像素电极层113通过该通孔1151及该接触孔1121与该漏极1114电性连接。该绝缘层115的材质可以选自无机材料（例如硅的氧化物、硅的氮化物或氮氧化硅等）、有机材料或其它可适用的材料及其组合。本实施方式中，该绝缘层115选用硅的氮化物。
步骤S107，如图11所示，对该薄膜晶体管基板11进行氧离子修补。由于在前述各步骤中，尤其是在步骤S104制作源极1113及漏极1114的过程中，会对沟道层1112中的氧离子浓度有一定的破坏，导致该沟道层1112中氧离子浓度降低，影响了该沟道层1112的导电能力。因此，在该薄膜晶体管基板11制作完成后，需要对该薄膜晶体管基板11进行氧离子的修补，以增加该沟道层1112中的氧离子浓度，但是由于该沟道层1112上有至少一层该钝化层112、该源极1113、该漏极1114、该公共电极层114、该绝缘层115及该像素电极层113等结构的阻挡，寻常情况下氧气很难进入到该沟道层1112来进行氧离子的修补。
因此，将上述步骤S16制得的形成有该钝化层112、该公共电极层114、该绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板的制作方法，其包括如下步骤：提供一基板；于该基板上形成薄膜晶体管；于该薄膜晶体管上形成钝化层及像素电极层，该像素电极层与该薄膜晶体管的漏极电性连接；将形成有该钝化层及该像素电极层的该薄膜晶体管基板置于一大气压强为2个标准大气压到7个标准大气压的高压环境下以增加该沟道层的氧离子浓度。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管基板的制作方法，其包括如下步骤：
提供一基板；
于该基板上形成薄膜晶体管；
于该薄膜晶体管上形成钝化层及像素电极层，该像素电极层与该薄膜晶体管的漏极电性连接；
将形成有该钝化层及该像素电极层的该薄膜晶体管基板置于一大气压强为2个标准大气压到7个标准大气压的高压环境下以增加该沟道层的氧离子浓度。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，该高压环境的温度范围选取为200度到500度之间。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，该高压环境中氧气的浓度为20%到50%。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，该沟道层远离该栅极绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员：高逸群，林欣桦，李志隆，方国龙，施博理，
申请(专利权)人：业鑫科技顾问股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71