【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种微结构的制造方法,包括以下步骤: 在衬底上形成牺牲层; 在所述牺牲层上形成包括晶体的金属膜; 使所述晶体生长,以增大所述晶体的晶粒尺寸; 蚀刻所述金属膜的一部分,以使所述牺牲层的一部分露出;以及 在蚀刻所述金属膜的一部分之后除去所述牺牲层。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:山口真弓,泉小波,白石康次郎,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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