【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种制造MEMS装置的方法,其包括: 形成电极层; 在所述电极层上形成掩模; 使用所述掩模图案化所述电极层以形成隔离电极部件;以及 使所述电极部件成锥形以形成向外成锥形的边缘部分,其中所述掩模的至少一部分在所述成锥形期间保持在适当位置。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:桂成斌,笹川照夫,董明豪,王春明,斯蒂芬泽,
申请(专利权)人:高通MEMS科技公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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