用于在MEMS装置内形成层以实现锥形边缘的方法制造方法及图纸

技术编号:1323117 阅读:201 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
某些MEMS装置包含经图案化以具有锥形边缘的层。一种形成具有锥形边缘的层的方法包含使用蚀刻前导层。另一种形成具有锥形边缘的层的方法包含沉积其中上部部分可以比下部部分快的速率蚀刻的层。另一种形成具有锥形边缘的层的方法包含使用多个反复蚀刻。另一种形成具有锥形边缘的层的方法包含使用具有包含负角的孔的剥离掩模层,使得可在所述剥离掩模层上沉积一层并去除所述掩模层,从而留下具有锥形边缘的结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种制造MEMS装置的方法,其包括:    形成电极层;    在所述电极层上形成掩模;    使用所述掩模图案化所述电极层以形成隔离电极部件;以及    使所述电极部件成锥形以形成向外成锥形的边缘部分,其中所述掩模的至少一部分在所述成锥形期间保持在适当位置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:桂成斌笹川照夫董明豪王春明斯蒂芬泽
申请(专利权)人:高通MEMS科技公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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