用于形成基于二氧化硅的层的组合物和基于二氧化硅的层制造技术

本发明专利技术公开了一种用于形成基于二氧化硅的层的组合物和基于二氧化硅的层。该组合物包含具有20,000至160,000的重均分子量的含硅聚合物以及溶剂。另外，本发明专利技术还公开了一种用于制造基于二氧化硅的层的方法。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种用于形成基于二氧化硅的层的组合物和基于二氧化硅的层。该组合物包含具有20,000至160,000的重均分子量的含硅聚合物以及溶剂。另外，本专利技术还公开了一种用于制造基于二氧化硅的层的方法。【专利说明】用于形成基于二氧化枯的层的组合物和基于二氧化枯的层[000。 相关申请的引用 本申请要求分别于2013年10月1日和2014年8月25日在韩国知识产权局提交 的韩国专利申请号10-2013-0117498和10-2014-0110915的优先权和权益，通过引用将其 全部内容合并在本文中。
本公开内容涉及用于基于二氧化娃的层（基于娃石的层，二氧化娃类层， silica-based layer)的组合物、基于二氧化娃的层、W及用于制造该基于二氧化娃的层的 方法。
技术介绍
由于半导体技术的加速发展，对于通过增加具有较小尺寸的半导体芯片的集成而 具有改善的性能的高度集成和高速的半导体存储器单元已经进行了研究。然而，半导体的 高集成需求可能缩小导线之间的距离，从而，造成可W引起半导体互连方面的问题的RC延 迟、串扰、响应速度的劣化等。此外，对于由多个包括半导体存储器单元中的一个M0S晶体 管和一个电容器的单元电池组成的动态随机存取存储器值RAM)，电容器包括位于两个电 极之间的介电层，可W根据介电常数、介电层的厚度、W及形成电容器的电极的面积测定电 容的量，因此，当电容器根据半导体芯片变小而变小时，存在电容器能够确保存储容量的要 求。通过增加其垂直面积代替降低其水平面积W增加其总体有效面积，可W实现该电容器。 当使用该方法制造电容器时，与使水平面积变小相比，使用模具并且利用用于形成二氧化 娃层的组合物填充模具上的间隙形成的二氧化娃层可W用于有效地形成相对较高的电极。 因此，需要能够确保厚度均匀性和间隙中的高致密性的半导体绝缘层材料。
技术实现思路
本专利技术的一个实施方式提供了用于能够确保厚度均匀性和间隙中的高紧凑性的 基于二氧化娃的层（基于娃石的层，二氧化娃类层，silica-based layer)的组合物。 另一个实施方式提供了使用用于基于二氧化娃的层的组合物的基于二氧化娃的 层。 又一个实施方式提供了 一种用于制造基于二氧化娃的层的方法。 根据一个实施方式，提供了一种用于包括具有20, 000至160, 000的重均分子量的 含娃聚合物和溶剂的基于二氧化娃的层的组合物。 含娃聚合物可W是聚娃氮焼、聚娃氧氮焼、或它们的组合。 含娃聚合物可W具有21，000至50, 000的重均分子量。 含娃聚合物可W具有4, 000至10, 000的数均分子量。 溶剂可W选自；苯、甲苯、二甲苯、己苯、二己苯、H甲苯、H己苯、环己焼、环己帰、 十氨化蔡（蔡焼）、二戊帰、戊焼、己焼、庚焼、辛焼、壬焼、癸焼、己基环己焼、甲基环已焼、环 己焼、环己帰、对薄荷焼、二丙離、二下離、茵香離、己酸下醋、己酸戊醋、甲基异下基丽、w及 它们的组合。 基于用于基于二氧化娃的层的组合物的总量，可0. Iwt%至30wt%的量包含 含娃聚合物。 含娃聚合物可W包括氨化聚娃氧氮焼或氨化聚娃氮焼。 氨化聚娃氧氮焼或氨化聚娃氮焼可W具有基于lOOwt %的氨化聚娃氧氮焼或氨 化聚娃氮焼为0. 2wt %至3wt %的氧含量，W及相对于氨化聚娃氧氮焼或氨化聚娃氮焼中 Si-H键总量的15%至40%的-SiHs基团含量。 根据另一个实施方式，提供了使用用于基于二氧化娃的层的组合物制造的基于二 氧化娃的层。 基于二氧化娃的层可W具有小于或等于1.0的厚度均匀性（厚度一致性， thickness uniformity)。 基于二氧化娃的层在小于或等于200皿的图案中可W具有大于或等于0.5的范围 内的内部氧化物层的致密性（致密度，compactness)。 根据又一个实施方式，提供了制造基于二氧化娃的层的方法，包括；将用于基于二 氧化娃的层的组合物涂覆在基板上；对利用所述用于基于二氧化娃的层的组合物涂覆的基 板进行干燥；W及在包括大于或等于15CTC的湿气的气氛下固化基板。 可W实现能够确保厚度均匀性并且同时确保间隙中的高致密性的基于二氧化娃 的层。 【专利附图】【附图说明】 图1是示出了通过使用反射光谱层厚度仪（ST-5000，K-MAC)在具有十字（+)形状 的晶片上的9个点下测量氨化聚娃氧氮焼层的厚度的示意性示图。 【具体实施方式】 本专利技术的示例性实施方式将在下文中详细地描述，并且可W由相关领域中具有公 共常识的技术人员容易地实施。然而，本公开可W体现为许多不同形式，而不应解释为局限 于本文中阐述的示例性实施方式。 如在本文中使用的，当没有另外提供定义时，术语"取代的"是指用下述的一种取 代基取代，代替化合物中的氨，所述取代基选自团素原子（F、Br、C1或I)、轻基、焼氧基、硝 基、氯基、氨基、叠氮基、脉基、脱基、亚脱基（脱叉基，hy化azono group)、撰基、氨甲醜基、硫 醇基、醋基、駿基或其盐、賴酸基或其盐、磯酸基或其盐、焼基、C2至C16帰基、C2至C16快 基、芳基、C7至C13芳焼基、C1至C4氧焼基（oxyalkyl)、C1至C20杂焼基、C3至C20杂芳 焼基、环焼基、C3至C15环帰基、C6至C15环快基、杂环焼基、W及它们的组合。 在下文中，描述了根据一个实施方式的用于基于二氧化娃的层的组合物。 根据一个实施方式的用于基于二氧化娃的层的组合物包括含娃聚合物和溶剂。 含娃聚合物可W是包括而不仅限于娃（Si)原子的任何聚合物，并且可W是例如 聚娃氮焼、聚娃氧氮焼、或它们的组合。含娃聚合物可W具有20, 000至160, 000的重均分 子量。 当重均分子量在该范围内时，不仅可W最小化厚度均匀性劣化（例如，厚度误差 (厚度变化）可W被最小化）而且还增加了间隙内部的致密性，从而，最小化层内部的缺陷。 在本文中，含娃聚合物可W具有21，000至50, 000或20, 000至46, 000的重均分 子量。 含娃聚合物可W具有4, 000至10, 000,或4, 000至9, 000的数均分子量。 当数均分子量在该范围内时，不仅可W最小化厚度均匀性劣化（例如，厚度误差 (厚度变化）可W被最小化）而且还增加了间隙内部的致密性，其可W有助于最小化层内部 的缺陷。 例如，含娃聚合物可W包括氨化聚娃氧氮焼或氨化聚娃氮焼。 基于lOOwt %的氨化聚娃氧氮焼或氨化聚娃氮焼，氨化聚娃氧氮焼或氨化聚娃氮 焼可W具有0. 2wt%至3wt%的氧含量。 当氨化聚娃氧氮焼包含在该范围内时，可W防止热处理过程中的收缩，从而可W 防止通过热处理形成的电荷图案上的裂纹。具体地，氨化聚娃氧娃氮焼或氨化聚娃氮焼的 氧含量可W为0. 4wt %至2wt %。 此外，氨化聚娃氧氮焼或氨化聚娃氮焼在末端可W具有由-SiHs表示的部分，并且 基于氨化聚娃氧氮焼或氨化聚娃氮焼中的Si-H键的总量，可W W 15wt %至40wt %的量包 含-SiHs。 基于用于基于二氧化娃的层的组合物的总量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于基于二氧化硅的层的组合物，包含：具有20,000至160,000的重均分子量的含硅聚合物；以及溶剂。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：韩权愚，郭泽秀，金补宣，朴银秀，裵镇希，徐珍雨，李汉松，任浣熙，黄丙奎，金相均，赵娟振，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR