一种基于NiO/ZnO异质结构纳米花敏感材料的丙酮传感器及其制备方法技术

一种基于NiO/ZnO异质结构纳米花敏感材料的丙酮气体传感器及其制备方法，属于半导体氧化物气体传感器技术领域。本发明专利技术所使用的是由水浴法和浸渍法制得的NiO-ZnO异质结构纳米花敏感材料。利用NiO纳米颗粒对于有机气体的催化作用，以及两者之间的异质结构进而有效地提高了传感器对于丙酮的敏感特性。此外，本发明专利技术所采用的传感器结构是由市售的带有2个环形金电极的Al2O3绝缘陶瓷管、涂敷在环形金电极和Al2O3绝缘陶瓷管上的半导体敏感材料、以及穿过Al2O3绝缘陶瓷管的镍铬合金加热线圈组成。器件工艺简单，体积小，适于大批量生产，因而在检测微环境中丙酮含量方面有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体氧化物气体传感器
，具体涉及一种基于N1/ZnO异质结构纳米花敏感材料的丙酮气体传感器及其制备方法。
技术介绍
丙酮在工业上不仅可以作为生产炸药、塑料、橡胶的重要溶剂，还是用作合成烯酮、碘仿、环氧树脂等物质的重要原料。然而，类似于其他有机溶剂，它具有易燃、易挥发的特点，遇明火、高热极易燃烧爆炸。而且，丙酮不仅具有较大的火灾危险性，还对人的中枢神经系统具有麻醉作用，高浓度时甚至会导致人昏迷和死亡。因此，对于丙酮气体的检测具有十分重要的意义。在种类众多的气体传感器中，以半导体氧化物为敏感材料的电阻型气体传感器具有灵敏度高、检测下限低、选择性好、响应和恢复速度快、制作方法简单、成本较低等优点，是目前应用最广泛的气体传感器之一。随着纳米科学与技术的发展，将气敏材料调控成纳米结构能够极大地提高材料的比表面积，增加活性位点，可以使气敏特性得到改善。另外，通过使两种气敏材料相结合，利用它们之间的协同效应可以使得气敏材料得到进一步改性，从而获得更好的气敏特性。ZnO是一种宽禁带的η型半导体材料，由于其无毒，制作方法简单等被广泛应用在气体传感方面。然而，尽管许多不同形貌、具有大比表面积和活性位点密度的ZnO材料被研制出来，但大多数ZnO在检测VOC(挥发性有机化合物)气体时，都表现出了较低的灵敏度和较高的检测温度。因此，利用N1的催化氧化能力，对于ZnO材料进一步改性，从而提升其气敏性能至关重要。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种基于N1/ZnO异质结构纳米花敏感材料的丙酮气体传感器及其制备方法。利用N1/ZnO异质结构纳米花作为敏感材料，一方面ZnO的三维结构使得材料疏松、分散性好，为MO的修饰提供了好的基体形貌，有利于气体的传输和检测；另一方面N1纳米颗粒具有较强的氧化性，且对多种VOC气体都具有催化氧化的能力，所以会引起更多的氧分子参与反应;此外，N1和ZnO之间由于费米能级的不同会形成大量的异质结，这些异质结的出现会提供更多的反应活性位点。这三方面的共同作用大幅提高了气体与敏感材料的反应效率，进而提高了传感器的灵敏度。本专利技术所采用的市售的管式结构传感器制作工艺简单，体积小，利于工业上批量生产，因此具有重要的应用价值。本专利技术所述的基于N1/ZnO异质结构纳米花敏感材料的丙酮气体传感器，由外表面带有两条平行、环状且彼此分立的金电极的陶瓷管衬底、涂覆在陶瓷管外表面和金电极上的敏感材料、置于陶瓷管内的镍铬合金加热丝组成；其特征在于:敏感材料为N1/ZnO异质结构纳米花，且由如下步骤制备得到:(I)ZnO纳米花的制备①首先将I?3g的Zn(CHfOO)2.2H20溶于100?150mL的去离子水当中，并保持不断地搅拌直至其全部溶解;再缓缓向其加入3?5mL的氨水直至溶液澄清；②把上述溶液转移到恒温水浴锅中，在60?90°C下保持30?90分钟后取出，自然冷却至室温后将生成的沉淀用去离子水和乙醇多次离心清洗，然后在室温下干燥后再在400?500°C下煅烧I?2小时，从而得到了由ZnO纳米颗粒组装而成的ZnO纳米花粉末；(2)Ni0/Zn0异质结构纳米花的制备①取30?50mg上述ZnO纳米花粉末加入至丨」5?1mL乙醇中，超声并搅拌10?30分钟使得ZnO纳米花粉末完全分散在乙醇中；然后再加入8?1mg Ni(NO3)2.6H20，在室温下搅拌至乙醇基本挥发完毕；②将上述干燥粉末收集并在在500?550°C下煅烧2?4小时，从而得到以ZnO纳米花为主干、N1纳米颗粒均勾附着在ZnO表面的N1/ZnO异质结构纳米花粉末；本专利技术所述的一种基于Ni 0/ZnO异质结构纳米花敏感材料的丙酮气体传感器的制备方法，其步骤如下:①将N1/ZnO异质结构纳米花粉末与去离子水按质量比3?5:1混合，并研磨形成糊状浆料，然后蘸取少量浆料均匀地涂覆在市售的外表面自带有2个环形金电极的Al2O3陶瓷管表面，形成10?30μηι厚的敏感材料薄膜，陶瓷管的长为4?4.5mm，外径为1.2?1.5mm,内径为0.8?1.0mm，并使敏感材料完全覆盖环形金电极；②在红外灯下烘烤30?45分钟，待敏感材料干燥后，把Al2O3陶瓷管在400?450°C下煅烧2?3小时;然后将电阻值为30?40 Ω的镍镉加热线圈穿过Al2O3陶瓷管内部作为加热丝，最后将上述器件按照通用旁热式气敏元件进行焊接和封装，从而得到N1/ZnO氧化物半导体丙酮传感器。本专利技术制备的基于N1/ZnO异质结构纳米花敏感材料的丙酮气体传感器具有以下优点:1.利用简单的水浴法和浸渍法在低温下就可制备分等级纳米材料的复合结构，合成方法简单，成本低廉；2.通过在ZnO纳米花上生长N1，将两种材料相结合，提高了对丙酮的灵敏度，降低了材料的最佳工作温度，且具有快速的响应恢复速度和良好的重复性，在检测丙酮含量方面有广阔的应用前景；3.采用市售管式传感器，器件工艺简单，体积小，适于大批量生产。【附图说明】图1:Ni0/Zn0异质结构纳米花的SEM形貌图，其中(a)图的放大倍数为5000倍，(b)图的放大倍数为30000倍；图2:ZnO纳米花和N1/ZnO异质结构纳米花的XRD图；图3:基于N1/ZnO异质结构纳米花敏感材料的丙酮传感器结构示意图；图4:对比例和实施例中传感器在不同工作温度下对10ppm丙酮气体的灵敏度曲线；图5:对比例和实施例中传感器在各自最佳工作温度下对10ppm丙酮气体的响应恢复曲线；图6:对比例和实施例中传感器在各自最佳工作温度下的灵敏度-丙酮浓度特性曲线。如图1所示，(a)图中可以看出Ni0/Ζη0异质结构为花状纳米结构，分散性良好；(b)图中看出N1/ZnO异质结构纳米花以ZnO纳米花为主干，N1纳米粒子均勾分布在纳米花上。纳米花的直径约为2?3μηι ；如图2所示，Ni 0/Ζη0异质结构纳米花的XRD谱图出现Ni O和ZnO的特征峰，说明样品包含N1和ZnO晶体;ZnO纳米花则为纯相ZnO结构；如图3所示，器件由Al2O3陶瓷管I，半导体敏感材料2，镍镉合金线圈3，环形金电极4和铂线5组成；如图4所示，对比例和实施例的最佳工作温度分别为350°C和300°C，此时器件对10ppm丙酮的灵敏度分别为5.1和23.5;如图5所示，当器件各自工作在最佳工作温度、丙酮气体浓度为10ppm下，对比例和实施例均具有良好的重复性；如图6所示，当实施例器件在工作温度为300°C下，器件的灵敏度随着丙酮浓度的增加而增大，实施例对1当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于NiO/ZnO异质结构纳米花敏感材料的丙酮气体传感器，由外表面带有两条平行、环状且彼此分立的金电极的陶瓷管衬底、涂覆在陶瓷管外表面和金电极上的敏感材料、置于陶瓷管内的镍铬合金加热丝组成；其特征在于：敏感材料为NiO/ZnO异质结构纳米花粉末，且由如下步骤制备得到：(1)ZnO纳米花的制备①首先将1～3g的Zn(CH3COO)2·2H2O溶于100～150mL的去离子水当中，并保持不断地搅拌直至其全部溶解；再缓缓向其加入3～5mL的氨水直至溶液澄清；②把上述溶液转移到恒温水浴锅中，在60～90℃下保持30～90分钟后取出，自然冷却至室温后将生成的沉淀用去离子水和乙醇多次离心清洗，然后在室温下干燥后再在400～500℃下煅烧1～2小时，从而得到了由ZnO纳米颗粒组装而成的ZnO纳米花粉末；(2)NiO/ZnO异质结构纳米花的制备①取30～50mg上述ZnO纳米花粉末加入到5～10mL乙醇中，超声并搅拌10～30分钟使得ZnO纳米花粉末完全分散在乙醇中；然后再加入8～10mg Ni(NO3)2·6H2O，在室温下搅拌至乙醇基本挥发完毕；②将上述干燥粉末收集并在在500～550℃下煅烧2～4小时，从而得到以ZnO纳米花为主干、NiO纳米颗粒均匀附着在ZnO表面的NiO/ZnO异质结构纳米花粉末。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卢革宇，刘畅，孙鹏，刘凤敏，梁喜双，马健，孙彦峰，高原，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：吉林;22