本发明专利技术提供一种阵列基板的ESD检测方法，通过在阵列基板的第一金属层上引出第一导线并连接至第一测试位点；在阵列基板的第二金属层上引出第二导线并连接至第二测试位点；当阵列基板发生ESD故障时，通过电阻检测装置测量所述第一测试位点与第二测试位点之间的电阻值；若所述第一测试位点与第二测试位点之间的电阻值为正无穷，则所述第一金属层与第二金属层之间未发生ESD；若所述第一测试位点与第二测试位点之间的电阻值在可测范围内，则所述第一金属层与第二金属层之间发生ESD；从而根据所测量的第一测试位点与第二测试位点之间的电阻值检测出阵列基板上发生ESD的位置；可快速准确地检测出阵列基板上发生ESD的位置，省时省力，同时可以节省检测成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板的ESD检测方法。
技术介绍
液晶显示装置(LiquidCrystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无福射等众多优点，得到了广泛的应用，如:移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置，其包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组(Backlight module)。传统的液晶面板的结构是由一彩色滤光片基板(Color Filter Substrate)、一薄膜晶体管阵列基板(Thin FilmTransistor Array Substrate ,TFT Array Substrate)以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。低温多晶娃(LowTemperature Poly_silicon，LTPS)技术是新一代TFT基板的制造技术，与传统非晶硅(a-Si)技术的最大差异在于，低温多晶硅显示器反应速度较快，且有高亮度、高解析度与低耗电量等优点。随着低温多晶硅半导体薄膜晶体管的发展，而且由于LTPS半导体本身超高载流子迀移率的特性，相应的面板周边集成电路也成为大家关注的焦点，并且很多人投入到SOP(System on Panel，系统集成于面板)的相关技术研究，并逐步成为现实。但是由于LTPS制程比较复杂，需要的工艺数目比较多，这样发生ESD(Electro-Static Discharge，静电释放)的几率就比较大。ESD是液晶显示屏中最常见的一种工艺故障，当发生ESD时，ESD相关的线路由于瞬间强电流而熔融，冷却后使本应不相连的金属连接在一起，从而加剧了ESD产生的损害，因此ESD检测是极其重要且非常必要的。当前ESD的检测只能通过在显微镜下寻找ESD损害处去查找，这样不仅费时费力，且成本也高。因此，有必要提供一种阵列基板的ESD检测方法，以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板的ESD检测方法，可快速准确地检测出阵列基板上发生ESD的位置。为实现上述目的，本专利技术提供一种阵列基板的ESD检测方法，包括如下步骤:步骤1、提供待进行ESD检测的阵列基板，所述阵列基板上设有第一金属层与第二金属层，所述第一金属层通过第一导线连接至阵列基板表面的第一测试位点，所述第二金属层通过第二导线连接至阵列基板表面的第二测试位点；步骤2、提供电阻检测装置，通过所述电阻检测装置测量所述第一测试位点与第二测试位点之间的电阻值；若所述第一测试位点与第二测试位点之间的电阻值为正无穷，则所述第一金属层与第二金属层之间未发生ESD;若所述第一测试位点与第二测试位点之间的电阻值在可测范围内，则所述第一金属层与第二金属层之间发生ESD;从而根据所测量的第一测试位点与第二测试位点之间的电阻值检测出阵列基板上发生ESD的位置。所述阵列基板上的第一金属层与第二金属层位于不同层。所述第一金属层与第二金属层之间设有绝缘层。所述阵列基板上的第一金属层与第二金属层位于同一层。所述阵列基板为低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板。所述第一金属层与第二金属层为钼、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。所述绝缘层的材料为氮化硅、氧化硅、或二者的组合。所述第一导线、第二导线均为金属线，所述第一测试位点、及第二测试位点均为金属块。所述第一导线与第二导线的材料为铜或铝。所述第一测试位点与第二测试位点的材料为铜或铝。本专利技术的有益效果:本专利技术的阵列基板的ESD检测方法，通过在阵列基板的第一金属层上引出第一导线并连接至第一测试位点;在阵列基板的第二金属层上引出第二导线并连接至第二测试位点；当阵列基板发生ESD故障时，通过电阻检测装置测量所述第一测试位点与第二测试位点之间的电阻值;若所述第一测试位点与第二测试位点之间的电阻值为正无穷，则所述第一金属层与第二金属层之间未发生ESD;若所述第一测试位点与第二测试位点之间的电阻值在可测范围内，则所述第一金属层与第二金属层之间发生ESD;从而根据所测量的第一测试位点与第二测试位点之间的电阻值检测出阵列基板上发生ESD的位置;本专利技术的阵列基板的ESD检测方法与现有技术中通过显微镜寻找ESD位置的方法相比，可更加快速准确地检测出阵列基板上发生ESD的位置，省时省力，同时可以节省检测成本。【附图说明】为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为本专利技术的阵列基板的ESD检测方法的示意流程图；图2为本专利技术的阵列基板的ESD检测方法的第一实施例的步骤I的示意图；图3为本专利技术的阵列基板的ESD检测方法的第一实施例的步骤I中提供的阵列基板上的第一金属层与第二金属层在正常情况下的示意图；图4为图3中的第一金属层与第二金属层的剖面结构示意图；图5为图3中的第一金属层与第二金属层在发生ESD后的示意图；图6为图5中的第一金属层与第二金属层的剖面结构示意图；图7为本专利技术的阵列基板的ESD检测方法的第二实施例的步骤I的示意图；图8为本专利技术的阵列基板的ESD检测方法的第二实施例的步骤I中提供的阵列基板上的第一金属层与第二金属层在正常情况下的示意图；图9为图8中的第一金属层与第二金属层在发生ESD后的示意图；图10为本专利技术的阵列基板的ESD检测方法的第三实施例的步骤I的示意图；图11为本专利技术的阵列基板的ESD检测方法的第三实施例的步骤I中提供的阵列基板上的第一金属层与第二金属层在正常情况下的示意图；图12为图11中的第一金属层与第二金属层在发生ESD后的示意图。【具体实施方式】为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图1，并结合图2至图6，为本专利技术的一种阵列基板的ESD检测方法的第一实施例，包括如下步骤:步骤1、如图2所示，提供待进行ESD检测的阵列基板，所述阵列基板上设有第一金属层11与第二金属层12，所述第一金属层11通过第一导线21连接至阵列当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板的ESD检测方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供待进行ESD检测的阵列基板，所述阵列基板上设有第一金属层(11)与第二金属层(12)，所述第一金属层(11)通过第一导线(21)连接至阵列基板表面的第一测试位点(31)，所述第二金属层(12)通过第二导线(22)连接至阵列基板表面的第二测试位点(32)；步骤2、提供电阻检测装置，通过所述电阻检测装置测量所述第一测试位点(31)与第二测试位点(32)之间的电阻值；若所述第一测试位点(31)与第二测试位点(32)之间的电阻值为正无穷，则所述第一金属层(11)与第二金属层(12)之间未发生ESD；若所述第一测试位点(31)与第二测试位点(32)之间的电阻值在可测范围内，则所述第一金属层(11)与第二金属层(12)之间发生ESD；从而根据所测量的第一测试位点(31)与第二测试位点(32)之间的电阻值检测出阵列基板上发生ESD的位置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李亚锋，彭香艺，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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