石墨衬底上的Ⅲ-Ⅴ或Ⅱ-Ⅵ化合物半导体膜制造技术

包括在石墨衬底上的膜的物质组合物，所述膜在所述衬底上外延生长，其中所述膜包括至少一种III-V族化合物或至少一种II-VI族化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于在石墨衬底上外延生长薄膜的方法。特别地，本专利技术采用分子束外延技术在石墨衬底上外延生长半导体薄膜。所得的石墨负载的半导体膜形成本专利技术进一步的方面。膜优选地是半导体材料，并且在例如电子行业或在太阳能电池应用中具有广泛应用。
技术介绍
近年来，随着纳米技术成为重要的工程学科，对半导体的兴趣增加。已经发现半导体技术在各种电子设备诸如传感器、太阳能电池和LED中的重要应用。许多不同类型的半导体是已知的，一些是膜形式。通常，半导体膜生长在与半导体本身相同的衬底上(同质外延生长)。因而，GaAs生长在GaAs上，Si生长在Si上，等等。当然，这确保衬底的晶体结构和生长的半导体的晶体结构之间存在晶格匹配。衬底和半导体二者可以具有相同的晶体结构。然而，使用相同的材料作为衬底也是高度局限性的。而且，必要的衬底材料可能是昂贵的。也正常的是，需要切割衬底以暴露衬底的晶体结构内的特定平面诸如(001)平面或(111)平面。这可能是困难的并且增加了衬底的成本。然而，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种物质组合物，其包括在石墨衬底上的膜，其中所述组合物以如下的顺序包括，(a)石墨衬底，(b)基层膜，其包括与石墨烯的晶格失配为2.5％或更小，优选地1％或更小的元素或化合物；和(c)III‑V族化合物或II‑VI族化合物或IV族化合物的膜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.06.21 GB 1311101.81.一种物质组合物，其包括在石墨衬底上的膜，其中所述组合物以如下的顺序包括，
(a)石墨衬底，
(b)基层膜，其包括与石墨烯的晶格失配为2.5％或更小，优选地1％或更小的元素或化
合物；和
(c)III-V族化合物或II-VI族化合物或IV族化合物的膜。
2.一种物质组合物，其包括在石墨衬底上的膜，其中所述组合物以如下的顺序包括，
(a)石墨衬底，
(b)包括GaSb、InAs、AsSb、GaN、SbBi、AlAs、AISb、CdSe或Sb的基层膜；和
(c)包括III-V族化合物或II-VI族化合物或IV族化合物的膜。
3.一种物质组合物，其包括在石墨衬底上的膜，所述膜在所述衬底上外延生长，
其中所述膜包括至少一种III-V族化合物或至少一种II-VI族化合物或IV族化合物。
4.任一前述权利要求所述的组合物，其中膜生长发生在存在于衬底上的掩模的孔中。
5.任一前述权利要求所述的组合物，其中III-V族化合物或II-VI族化合物的所述膜或
部分所述膜被掺杂。
6.任一前述权利要求所述的组合物，其中所述石墨衬底被承载在载体上。
7.任一前述权利要求所述的组合物，其中所述石墨衬底是无晶界的。
8.任一前述权利要求所述的组合物，其中所述膜不包括AlN。
9.任一前述权利要求所述的组合物，其中所述基层是GaSb、InAs、CdSe、AlSb、AlAs、
AsSb(例如As0.08Sb0.92)、SbBi(例如Sb0.45Bi0.55)、GaN或Sb，优选地GaSb、InAs、AsSb(例如
As0.08Sb0.92)、SbBi(例如Sb0.45Bi0....

【专利技术属性】
技术研发人员：BO·费姆兰，D·L·戴斯，H·沃曼，
申请(专利权)人：挪威科技大学NTNU，
类型：发明
国别省市：挪威;NO