下载石墨衬底上的Ⅲ-Ⅴ或Ⅱ-Ⅵ化合物半导体膜的技术资料

文档序号:13118966

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包括在石墨衬底上的膜的物质组合物,所述膜在所述衬底上外延生长,其中所述膜包括至少一种III-V族化合物或至少一种II-VI族化合物。...
该专利属于挪威科技大学(NTNU)所有,仅供学习研究参考,未经过挪威科技大学(NTNU)授权不得商用。

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