半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明专利技术的实施例，利用包括由交替的第一材料层和第二材料层构成的叠层的半导体鳍，在半导体器件的沟道中诱发应力，从而能够有效地实施应变finFET。此外，可选地，利用设置于第二材料层的横向凹进的空间中的绝缘体，可以形成隔离的finFET结构，从而能够更加有效地在半导体器件的沟道中诱发应力，进一步提高半导体器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，更具体地涉及应变半导体器件finFET及其制造方法。
技术介绍
半导体器件衬底中的应力能够改善器件的性能。亦即，应变的半导体器件能够具有提高的特性。于是，为了改善半导体器件的特性，期望在器件的沟道中产生张应力和/或压应力。已知对于平面型(planar)器件而言，在沟道中引入应力(或应变)是可行的。但是，对于例如鳍式场效应晶体管(finFET)的非平面型器件而言，本领域缺乏有效地实施应变结构的技术方案。于是，提供具有有效应变的finFET及其制造方法一直是本领域所期望的。
技术实现思路
本专利技术的专利技术人发现，有效地实施finFET应变结构的主要障碍在于:finFET的鳍具有从沟道表面突起的高度，这阻碍了应变效应的实施。例如，为了半导体器件FET中形成适当的应力，可以采用沟槽隔离(STI)结构。在这种情况下，对于finFET而言，由半导体鳍与STI结构形成的异质结构的界面与沟道之间存在相当的距离。从而影响了应变效应，难以有效地实施应变finFET。鉴于此，本专利技术的一个目的是提供一种改进的具有有效应变的半导体器件finFET及其制造方法。根据本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成至少一个半导体鳍，所述半导体鳍包括由交替的第一材料层和第二材料层构成的叠层；以及形成与所述半导体鳍相邻的浅沟槽隔离结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：三重野文健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11