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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明的实施例，利用包括由交替的第一材料层和第二材料层构成的叠层的半导体鳍，在半导体器件的沟道中诱发应力，从而能够有效地实施应变finFET。此外，可选地，利用设置于第二材料层的横向凹进的空间中的...该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。