石墨衬底上的III-V或II-VI化合物半导体膜制造技术

本发明专利技术的题目是石墨衬底上的III‑V或II‑VI化合物半导体膜。包括在石墨衬底上的膜的物质组合物，所述膜在所述衬底上外延生长，其中所述膜包括至少一种III‑V族化合物或至少一种II‑VI族化合物。

【技术实现步骤摘要】
石墨衬底上的III-V或II-VI化合物半导体膜本申请是申请日为2014年6月23日、申请号为2014800463317、题为“石墨衬底上的III-V或II-VI化合物半导体膜”的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及用于在石墨衬底上外延生长薄膜的方法。特别地，本专利技术采用分子束外延技术在石墨衬底上外延生长半导体薄膜。所得的石墨负载的半导体膜形成本专利技术进一步的方面。膜优选地是半导体材料，并且在例如电子行业或在太阳能电池应用中具有广泛应用。
技术介绍
近年来，随着纳米技术成为重要的工程学科，对半导体的兴趣增加。已经发现半导体技术在各种电子设备诸如传感器、太阳能电池和LED中的重要应用。许多不同类型的半导体是已知的，一些是膜形式。通常，半导体膜生长在与半导体本身相同的衬底上(同质外延生长)。因而，GaAs生长在GaAs上，Si生长在Si上，等等。当然，这确保衬底的晶体结构和生长的半导体的晶体结构之间存在晶格匹配。衬底和半导体二者可以具有相同的晶体结构。然而，使用相同的材料作为衬底也是高度局限性的。而且，必要的衬底材料可能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种包括物质组合物的光电子设备，所述物质组合物包括在具有20nm或更小的厚度的石墨衬底上的膜，其中所述组合物以如下的顺序包括，/n(a)石墨衬底，/n(b)在所述衬底上外延生长的基层，其中所述基层是GaSb、InAs、AsSb、SbBi、AlAs、AlSb、Sb、AlAsSb、AlInSb、InGaSb或AlInAs；和/n(c)包括至少一种III-V族化合物的膜；/n其中所述基层(b)和所述膜(c)不相同。/n

【技术特征摘要】
20130621 GB 1311101.81.一种包括物质组合物的光电子设备，所述物质组合物包括在具有20nm或更小的厚度的石墨衬底上的膜，其中所述组合物以如下的顺序包括，
(a)石墨衬底，
(b)在所述衬底上外延生长的基层，其中所述基层是GaSb、InAs、AsSb、SbBi、AlAs、AlSb、Sb、AlAsSb、AlInSb、InGaSb或AlInAs；和
(c)包括至少一种III-V族化合物的膜；
其中所述基层(b)和所述膜(c)不相同。


2.权利要求1所述的光电子设备，其中膜生长发生在存在于衬底上的掩模的孔中。


3.一种包括物质组合物的光电子设备，所述物质组合物包括在具有20nm或更小的厚度的石墨衬底上的膜，其中所述组合物以如下的顺序包括，
(a)石墨衬底，
(b)在所述衬底上的有孔图案的掩模，
(c)通过所述掩模的孔在所述衬底上外延生长的基层膜，其中所述基层膜是三元或四元III-V族化合物；和
(d)包括至少一种III-V族化合物的膜；
其中所述基层膜(b)和所述膜(c)不相同。


4.权利要求1或3所述的光电子设备，其中所述基层膜与所述石墨衬底的晶格失配是2.5％或更少。


5.权利要求1或3所述的光电子设备，其中III-V族化合物的所述膜或部分所述膜被掺杂。


6.权利要求1或3所述的光电子设备，其中所述石墨衬底被承载在载体上。


7.权利要求1或3所述的光电子设备，其中所述膜的所述V族原子是N。


8.权利要求1或3所述的光电子设备，其中所述膜的所述III族原子是Ga、Al和/或In。


9.权利要求1或3所述的光电子设备，其中所述膜不包括AlN。


10.权利要求1所述的光电子设备，其中所述基层是GaSb、InAs、AlSb、AlAs、AsSb(例如As0.08Sb0.92)、SbBi(例如Sb0.45Bi0.55)或Sb。

【专利技术属性】
技术研发人员：BO·费姆兰，D·L·戴斯，H·沃曼，
申请(专利权)人：挪威科技大学NTNU，
类型：发明
国别省市：挪威;NO