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本发明的题目是石墨衬底上的III‑V或II‑VI化合物半导体膜。包括在石墨衬底上的膜的物质组合物，所述膜在所述衬底上外延生长，其中所述膜包括至少一种III‑V族化合物或至少一种II‑VI族化合物。...
该专利属于挪威科技大学(NTNU)所有，仅供学习研究参考，未经过挪威科技大学(NTNU)授权不得商用。

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