本发明专利技术提供一种能抑制簇射头所具有的气体分散板发生阻塞的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。具有：处理室，其对衬底进行处理；簇射头，其设置于上述处理室的上游；气体供给管，其与上述簇射头连接；第一排气管，其与上述处理室的下游侧连接；第二排气管，其连接于构成上述簇射头的壁面中的、与相邻于上述处理室的第一壁面不同的第二壁面；压力检测部，其设置于上述第二排气管；控制部，其对各结构进行控制。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及、程序以及记录介质。
技术介绍
近年来、闪存等半导体器件有高集成化的倾向。与之相伴，图案尺寸显著微细化。在形成这些图案时，作为制造工序的一项工序，有时要实施对衬底进行氧化处理、氮化处理等规定的处理的工序。作为形成上述图案的方法之一，存在在电路间形成槽并在槽中形成种晶膜、内衬膜、配线等的工序。伴随近年来的微细化，该槽构成为高纵横比。在形成内衬膜等时，要求在槽的上部侧面、中部侧面、下部侧面、底部均形成无膜厚不均、良好的阶梯覆盖(st印-coverage)膜。这是因为，通过使其为良好的阶梯覆盖膜，能够使半导体器件的特性在槽间均勾，由此能抑制半导体器件的特性不均。作为使半导体器件的特性均匀的硬件结构的处理方式(approach)，例如存在单片装置中的簇射头结构。通过在衬底上方设置气体的分散孔，从而均匀地供给气体。另外，作为使半导体器件的特性均匀的衬底处理方法，有例如交替地供给至少二种处理气体并使其在衬底表面反应的交替供给方法。交替供给方法中，为了抑制各气体在衬底表面之外进行反应，在供给各气体之间利用吹扫(purge)气体除去残余气体。为了进一步提高膜特性可以考虑在采用簇射头构造的装置中使用交替供给法。在为这样的装置的情况下，考虑按每种气体设置用于防止各气体混合的通路、缓冲空间，但因其结构复杂，所以存在维护耗费功夫并且成本升高的问题。因此，使用将二种气体及吹扫气体的供给系统集成在一个缓冲空间的簇射头是现实的。—般认为，在使用具有二种气体共用的缓冲空间的簇射头的情况下，残余气体彼此之间会在簇射头内进行反应、附着物会堆积于簇射头内壁。为了防止这样的情况，理想的是在缓冲室设置排气孔并将气氛从排气孔排出，以便能高效地除去缓冲室内的残余气体。
技术实现思路
然而，认为如果继续进行规定的成膜处理，则副产物、气体会附着于簇射头的分散孔的内壁，导致分散孔堵塞。认为在这样的情况下，由于会产生不能将所希望的气体量供给到衬底上等问题，所以无法形成所希望膜质的膜。本专利技术鉴于上述课题，目的在于提供一种能够抑制具有簇射头的气体分散板堵塞的衬底处理装置、半导体器件的制造方法、程序及记录介质。根据本专利技术的一个方案，提供一种结构，其具有:处理室，其对衬底进行处理；簇射头，其设置于所述处理室的上游；气体供给管，其与所述簇射头连接；第一排气管，其与所述处理室的下游侧连接；第二排气管，其连接于构成所述簇射头的壁面中的、与相邻于所述处理室的第一壁面不同的第二壁面；压力检测部，其设置于所述第二排气管；控制部，其对各构成进行控制。根据本专利技术，即使是如上述那样的复杂结构，也能抑制副产物的产生。【附图说明】图1是表示本专利技术的第一实施方式的衬底处理装置的图。图2是第一实施方式的第一分散结构的说明图。图3是第一实施方式的压力检测器的说明图。图4是表不图1所不的衬底处理装置的衬底处理工序的流程图。图5是表示图1所示的成膜工序的详情的流程图。图6是表示基于检测到的压力的动作流程的流程图。图7是对检测到的压力与传感器状况的关系进行说明的表。符号说明100…衬底处理装置200…晶片(衬底)201…处理室202…反应容器203…搬送室簇射头230232…缓冲室261、262、263、264 …排气管265…TMP (涡轮分子栗)277…压力检测部2卻…压力检测部282...0卩(干栗)【具体实施方式】以下，对本专利技术的第一实施方式进行说明。<装置构成>本实施方式的衬底处理装置100的构成如图1所示。如图1所示，衬底处理装置100以单片式的衬底处理装置的形式构成。(处理容器)如图1所示，衬底处理装置100具备处理容器202。处理容器202构成为例如横截面为圆形的扁平的密闭容器。另外，处理容器202由例如铝(A1)、不锈钢(SUS)等金属材料构成。处理容器202内形成有:处理室201，其对作为衬底的硅晶片等晶片200进行处理；搬送室203，其具有将晶片搬送至200处理室201内时供晶片200通过的搬送空间203。处理容器202由上部容器202a和下部容器202b构成。在上部容器202a与下部容器202b之间设置有分隔板204。在下部容器202b的侧面设置有与闸阀205相邻的衬底搬入搬出口 206，晶片200经由衬底搬入搬出口 206在处理室与相邻的未图示的搬送室之间移动。在下部容器202b的底部设置有多个提升销207。而且，下部容器202b接地。在处理室201内设置有支承晶片200的衬底支承部210。衬底支承部210主要具有:载置晶片200的载置面211 ;在表面具有载置面211的衬底载置台212 ;和内置于衬底载置台212的作为加热源的加热器213。在衬底载置台212上与提升销207相对应的位置，分别设置有供提升销207贯通的贯通孔214。衬底载置台212由轴217支承。轴217贯穿处理容器202的底部，进一步在处理容器202的外部与升降机构218连接。通过使升降机构218工作而使轴217以及衬底载置台212升降，从而能够使载置在衬底载置面211上的晶片200升降。需要说明的是，轴217下端部的周围由波纹管219覆盖，处理容器202内保持气密。对于衬底载置台212而言，在搬送晶片200时，下降至衬底载置面211与衬底搬入搬出口 206相对的位置(晶片搬送位置)，在处理晶片200时，如图1所示，上升直至晶片200达到处理室201内的处理位置(晶片处理位置)。具体而言，在使衬底载置台212下降至晶片搬送位置时，使得提升销207的上端部从衬底载置面211的上表面突出而使提升销207从下方支承晶片200。另外，在使衬底载置台212上升至晶片处理位置时，使得提升销207从衬底载置面211的上表面没入而使衬底载置面211从下方支承晶片200。需要说明的是，由于提升销207与晶片200直接接触，所以由例如石英、氧化铝等材质形成是理想的。在处理室201的上部(上游侧)设置有作为气体分散机构的簇射头230。簇射头230中设置有缓冲室232。缓冲室232在内侧具有缓冲空间232a。在簇射头230的盖231上设置有供第一分散机构241插入的贯通孔231a。第一分散机构241具有插入于簇射头内的前端部241a和固定于盖231的凸缘241b。图2是对第一分散机构241的前端部241a进行说明的说明图。点划线箭头表示气体的供给方向。前端部241a为柱状，例如构成为圆柱状。在圆柱的侧面设置有分散孔241c。从后述气体供给部(供给系统)供给的气体经由前端部241a及分散孔241c被供给至缓冲空间232a。簇射头的盖231由具有导电性的金属形成，其用作用于在缓冲空间232a或处理室201内生成等离子体的电极。在盖231与上部容器202a之间设置有绝缘块233，盖231与上部容器202a之间绝缘。簇射头230具备作为用于使气体分散的第二分散机构的分散板234。该分散板234的上游侧为缓冲室232，下游侧为处理室201。处理室201经由分散板234而与簇射头230相邻。在分散板234上设置有多个贯穿孔234a。分散板234与衬底载置面211相对配置。在盖231上设置有作为控制簇射头230温度的簇射头温度控制部的簇射头加热部231b。簇射头加热部231b将供给至缓冲空间2本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种衬底处理装置，其具有：处理室，其对衬底进行处理；簇射头，其设置于所述处理室的上游侧；气体供给管，其与所述簇射头连接；第一排气管，其与所述处理室的下游侧连接；第二排气管，其连接于构成所述簇射头的壁面中的、与相邻于所述处理室的第一壁面不同的第二壁面；压力检测部，其设置于所述第二排气管；控制部，其对各结构进行控制。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山本哲夫，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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