晶片装置和用于加工晶片的方法制造方法及图纸

本申请涉及晶片装置及加工晶片的方法。根据不同实施例，晶片装置可以包括：晶片和晶片支撑环，其中所述晶片和所述晶片支撑环配置为彼此可释放地附接。

【技术实现步骤摘要】

不同的实施例涉及晶片装置及加工晶片的方法。
技术介绍
半导体芯片通常由半导体晶片制成。由于薄晶片例如容易翘曲和/或破裂，因此处理和/或加工薄晶片非常困难。为了安全处理和/或加工晶片，可能需要增加晶片的机械稳定性。
技术实现思路
根据不同的实施例，晶片装置可以包括:晶片和晶片支撑环，其中所述晶片和所述晶片支撑环配置为可释放地彼此附接。【附图说明】在附图中，相似附图标记通常是指不同视图中的相同部分。附图并不一定按照比例绘制，通常重点在于示出本专利技术的原理。在下面的说明书中，将参照附图描述本专利技术的不同实施例，其中:图1A和图1B为示出了根据不同实施例的晶片装置及加工晶片的方法的透视图；图2A和图2B为示出了根据不同实施例的晶片装置及加工晶片的方法的透视图；图3示出了根据不同实施例的加工晶片的方法；图4A至图4C和图5A至图5C为分别示出了根据不同实施例的晶片装置及加工晶片的方法的透视图和侧视图；图6为图5C中的部段的放大图；图7为根据不同实施例的晶片装置中的部段的放大图；图8为根据不同实施例的晶片装置中的部段的放大图；以及图9A至图9C和图10A至图10C为分别示出了根据不同实施例的晶片装置及加工晶片的方法的透视图和侧视图。【具体实施方式】下面将参照附图详细描述，附图以图示方式显示了特定细节和实施本专利技术的实施例。将详尽地描述这些实施例，以使本领域的技术人员能够实施本专利技术。在不偏离本专利技术的范围内，可以利用其他实施例并可以在结构、逻辑和电气方面做出改变。不同实施例并不一定相互排斥，因为一些实施例可以与一个或多个实施例组合以形成新的实施例。将结合方法和器件描述不同实施例。但是，可以理解的是，结合方法描述的实施例同样适用于器件，反之亦然。此处词语“示例性的”用于表示“作为例子、实例或图示”。在此作为“示例性的”描述的任何实施例或设计都不应该理解为优于其他实施例或设计。术语“至少一个”和“一个或多个”可以理解为包括大于或等于1的任何整数，例如:1、2、3、4…等。术语“多个”可以理解为包括大于或等于2的任何整数例如:2、3、4、5…等。此处词语“在…上方”用于描述在侧面或表面“上方”形成特征例如层，也可以用于表示特征例如层“直接”形成在隐含的侧面或表面上，例如直接接触隐含的侧面或表面。此处词语“在…上方”用于描述在侧面或表面“上方”形成特征例如层，也可以用于表示特征例如层“间接”形成在隐含的侧面或表面上，其中一个或多个附加层布置在隐含的侧面或表面与所形成的层之间。类似地，此处词语“覆盖”用于描述设置在另一特征上方的特征，例如覆盖侧面或表面的层，也可以用于表示特征例如层设置在隐含的侧面或表面上，并与隐含的侧面或表面直接接触。此处词语“覆盖”用于描述设置在另一特征上方的特征，例如覆盖侧面或表面的层，也可以用于表示特征例如层设置在隐含的侧面或表面上，并与隐含的侧面或表面直接接触，其中一个或多个附加层布置在隐含的侧面或表面与覆盖层之间。为了安全处理和/或加工晶片，可能需要增加晶片的机械稳定性。为此，晶片通常可以包括支撑环(例如所谓的“Taiko环”)，其形成在晶片的边缘区域处，从而增加晶片的机械稳定性。根据传统的支撑环概念，支撑环的高度可以通过所谓的预磨削预先限定。根据应用的需要，支撑环的高度可以大于原始晶片的最大起始厚度约200 μπι，原始晶片的起始厚度取决于晶片直径。原则上，可以使用具有取决于加工流程，例如更厚的正面金属化的较高弯曲力/应力水平的加工性能的较厚的环制造薄晶片。然而，传统支撑环概念受限于环的最大可能尚度，最大可能尚度可以是原始晶片的起始厚度，起始厚度取决于晶片直径，例如8英寸晶片起始厚度725 μ m。因而，实现这些概念比较困难，因为需要晶片具有更厚的正面金属化。此外，随着支撑环的厚度增加，框架分层的复杂度也会增加。而且，支撑环也可能需要最小宽度以提供足够的机械稳定性。根据不同实施例，可以提供一种可分离的晶片支撑环(例如背面支撑环)。可分离的晶片支撑环可以附接到晶片并随后再次与晶片分离。因而，可分离的晶片支撑环可以重复使用，例如与另一个晶片一起使用。作为示例，根据不同实施例的晶片支撑环可以作为单独元件提供(即与晶片分开)，而传统晶片支撑环(例如“Taiko环”)由晶片材料本身制成并形成晶片整体的一部分。因而，根据不同实施例，可以提高晶片支撑环(例如背面支撑环)的适用性概念，和/或可以提高支撑环高度的灵活性。根据不同实施例，支撑环的厚度可以不受晶片(例如硅晶片)的起始厚度限制。为此，可以实施较厚的支撑环，由此也可以对超薄晶片(例如硅晶片)实施新技术概念，例如金属厚度(例如铜厚度)大于约20 μ m的正面金属化。在一个或多个实施例中，术语“超薄晶片”可以包括或可以是指厚度小于或等于约280 μm，例如在约10 μπι至约250 μπι范围内，或者在约20 μπι至约250 μπι范围内的晶片，具体厚度取决于晶片直径。根据不同实施例，支撑环的宽度可以小于传统支撑环概念的宽度。在一个或多个实施例中，术语“宽度”可以包括或可以是指支撑环的外圆周与内圆周之间的距离。在一个或多个实施例中，术语“宽度”可以包括或可以是指支撑环的外径与内径之间的差值。作为示意性透视图，图1A和图1B示出了根据不同实施例的晶片装置100。晶片装置100可以包括晶片101和晶片支撑环102。晶片101和晶片支撑环102可以配置为彼此可释放地附接。在一个或多个实施例中，晶片101和晶片支撑环102可以配置为彼此可逆地机械附接，例如通过机械锁定机构如扭锁机构。在一个或多个实施例中，晶片101和晶片支撑环102可以配置为彼此可释放地附接，而无需使用粘合剂。在一个或多个实施例中，晶片101和晶片支撑环102可以配置为通过磁附着力彼此可释放地附接。也就是说，晶片101和晶片支撑环102之间的磁力可以将晶片支撑环102附接到晶片101。为此，根据一个实施例，晶片101和晶片支撑环102可以包含磁性材料。例如，晶片101和晶片支撑环102之间磁力或磁附着力可以足够强，以使晶片支撑环102不会在重力效应下从晶片101上脱落，并且晶片101和晶片支撑环102之间磁力或磁附着力也可以足够弱，以使晶片支撑环102从晶片101上脱落而不会损坏晶片101或晶片支撑环102。图1A示出了晶片支撑环102没有附接到晶片101的晶片装置100，而图1B示出了晶片支撑环102附接到晶片101的晶片装置100。例如晶片支撑环102附接到晶片101的背面。例如，晶片101的厚度(在图1A中标识为“tl”)在约30μπι至约280 μπι范围内，例如在约50 μ m至约220 μ m范围内或者例如约120 μ m，不过，晶片101也可以有其他厚度值。晶片支撑环102可以暂时附接到晶片101，例如在加工和/或处理晶片101期间。晶片支撑环102可以与晶片101分离，而不会损坏晶片101或晶片支撑环102。晶片支撑环102可以附接到晶片101并与晶片101再次分离，该操作可以进行一次或多次。例如为了在加工和/或处理第一晶片期间提供机械稳定性，晶片支撑环102可以附接到第一晶片例如晶片101，随后晶片支撑环102可以与第一晶片分离；例如为了在加工和/或处理第二晶片期本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片装置，包括：晶片；以及晶片支撑环，其中，所述晶片和所述晶片支撑环被配置为彼此可释放地附接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：F·J·桑托斯罗德里奎兹，G·拉克纳，J·昂特韦格，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE