薄膜晶体管阵列基板制造技术

本发明专利技术公开一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包含：一薄膜晶体管层；一色阻层，设置于所述薄膜晶体管层上，所述色阻层包含多个色阻单元，且具有多个开口；以及一透明电极层，通过所述开口电性连接至所述薄膜晶体管层；其中所述多个开口包含一第一开口横跨两个相邻的色阻单元。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种薄膜晶体管阵列基板，特别是有关于一种具有较高开口率及透光率的薄膜晶体管阵列基板。
技术介绍
在现今的各种显示技术中，液晶显示作为一种成熟的技术被广泛接受。液晶显示器(LCD)利用了液晶的电光效应，通过电路控制液晶分子的透射率及反射率，调控背光模块发出的光透过色阻的强度，来实现不同灰阶和不同色彩的图像显示。一般液晶显示面板包含一阵列基板、一彩膜基板和一液晶层夹设在所述阵列基板和所述彩膜基板之间。所述阵列基板设置多个薄膜晶体管作为每一个像素的电源开关，可控制每一个像素的液晶分子的位置，故可以使所述液晶显示面板显示出彩色画面。在另一种液晶显示面板中，则进一步将彩膜基板的色阻层转移至形成在阵列基板上，也就是成为具有色阻层的阵列基板(colorfilteronarray，简称COA)，以简化液晶显示面板的组装。然而，COA型的阵列基板上所涂布的色阻层(RGB层)并非是完全透光的材料，因此会损耗通过的光强度，使其透光率下降。再者，在阵列基板上用来导通透明电极与TFT电极的色阻层开口必须与数据线之间相距至少3微米，以避免色阻层的剥离，故也使开口率提升上有所限制。故，有必要提供一种薄膜晶体管阵列基板，可提供较高的开口率及透光率，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板，其具有较大的色阻开口，且利用两个薄膜晶体管共用一个开口的设计，达成开口率的提升，进而改善薄膜晶体管阵列基板的透光率。为达成本专利技术的前述目的，本专利技术一实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述薄膜晶体管阵列基板包含：一薄膜晶体管层；一色阻层，设置于所述薄膜晶体管层上，所述色阻层包含多个色阻单元，且具有多个开口；以及一透明电极层，通过所述开口电性连接至所述薄膜晶体管层；其中所述多个开口包含一第一开口横跨两个相邻的色阻单元。在本专利技术的一实施例中，所述薄膜晶体管层包含一栅极层和一漏极层。在本专利技术的一实施例中，所述透明电极层延伸至所述第一开口内，使所述色阻单元电性连接于所述漏极层。在本专利技术的一实施例中，所述透明电极层延伸至所述第一开口内，通过所述透明电极层使所述漏极层电性连接于所述栅极层。在本专利技术的一实施例中，所述第一开口具有一第一侧壁和一第二侧壁分别设置于相邻的两个所述色阻单元中，并且彼此连接以共同形成所述第一开口。在本专利技术的一实施例中，所述第一开口呈一矩形，具有两个长边和两个短边，其中所述两个短边分别设置于所述两个相邻的色阻单元中。在本专利技术的一实施例中，所述薄膜晶体管层包含多个薄膜晶体管，其中所述第一开口使至少两个所述薄膜晶体管各自独立的电性连接于所述透明电极层。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：附图说明图1是本专利技术一实施例的薄膜晶体管阵列基板的局部上视图。图2是本专利技术一实施例的薄膜晶体管阵列基板沿图1中A-A的剖面图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。再者，本专利技术所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧面、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。请参照图1及图2所示，其揭示本专利技术一实施例的薄膜晶体管阵列基板100的结构示意图，其中图1显示其上视图；图2则显示图1中沿A-A的剖面图。本专利技术的薄膜晶体管阵列基板100属于COA(colorfilteronarray)型的阵列基板，也就是将色阻层直接形成在阵列基板上的一种液晶显示器技术。所述薄膜晶体管阵列基板100主要包含一薄膜晶体管层110；一色阻层120；以及一透明电极层130。所述色阻层120设置于所述薄膜晶体管层110上，可包含多个色阻单元，例如红色的R色阻121、绿色的G色阻122，或蓝色的B色阻、黄色的Y色阻等。下文将以R色阻121及G色阻122作为示例代表两个左右相邻或上下相邻的第一及第二色阻单元。再者，如图1所示，所述薄膜晶体管层110依照需求对应每个色阻单元可形成一第一薄膜晶体管111、一第二薄膜晶体管112以及一第三薄膜晶体管113，用以作为所述色阻单元的电源导通开关，然不限于此。所述色阻层120设置有不同位置的多个开口123。所述透明电极130通过所述开口123可电性连接至所述薄膜晶体管层110。在所述多个开口123之中，包含一第一开口1231横跨两个相邻的色阻单元(如R色阻121及G色阻122)。请继续参照图2，所述薄膜晶体管层110包含一栅极层1101、一漏极层1102以及一绝缘层1103。在所述G色阻122的范围内，所述透明电极层130延伸至所述第一开口1231内，使所述G色阻122可以电性连接于所述漏极层1102，因此可对像素通电。此外，在所述R色阻121的范围内，所述透明电极层130亦延伸至所述第一开口1231内，通过所述透明电极层130使所述漏极层1102电性连接于所述栅极层1101。所述第一开口1231具有一第一侧壁1231a和一第二侧壁1231b分别设置于所述R色阻121和所述G色阻122，并且彼此连接以共同形成所述第一开口1231。优选的，所述第一开口1231呈一矩形，且具有两个长边和两个短边，其中所述两个短边分别设置于所述两个相邻的色阻单元，例如所述R色阻121和所述G色阻122。优选的，如图1所示，所述第一开口1231使至少两个相邻的所述薄膜晶体管，例如所述R色阻121对应的所述第一薄膜晶体管111和所述G色阻122对应的所述第二薄膜晶体管112，两者均可各自独立的电性连接于所述透明电极层130经图案化后已彼此形成独立的不同透明导电区块。因此，通过两个相邻的色阻单元所共同形成的开口，使至少两个薄膜晶体管共用所述开口但各自独立的与透明电极层的不同透明导电区块形成电性连接，可增加所述开口的面积，提高整体开口率，进而提升所述薄膜晶体管阵列基板的透光率。依照本专利技术的薄膜晶体管阵列基板，可获得透光率从37.5％提高到至少40.35％。如上所述，利用增大色阻层开口的面积，并使至少两个薄膜晶体管共用色阻层的同一个开口，可获得较高的开口率，并可以有效改善薄膜晶体管阵列基板的透光率。本专利技术已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述薄膜晶体管阵列基板包含：一薄膜晶体管层；一色阻层，设置于所述薄膜晶体管层上，所述色阻层包含多个色阻单元，且具有多个开口；以及一透明电极层，通过所述开口电性连接至所述薄膜晶体管层；其中所述多个开口包含一第一开口横跨两个相邻的色阻单元。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述薄膜晶体管阵列基板包含：
一薄膜晶体管层；
一色阻层，设置于所述薄膜晶体管层上，所述色阻层包含多个色阻单元，
且具有多个开口；以及
一透明电极层，通过所述开口电性连接至所述薄膜晶体管层；
其中所述多个开口包含一第一开口横跨两个相邻的色阻单元。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述薄膜晶体管
层包含一栅极层和一漏极层。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述透明电极层
延伸至所述第一开口内，使所述色阻单元电性连接于所述漏极层。
4.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述透明电极层

【专利技术属性】
技术研发人员：赵阳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44