一种阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，可减少阵列基板中薄膜晶体管以及栅线所占据的不透光区域的面积，增加阵列基板的开口率。该阵列基板包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的隔离层，所述隔离层包括：平行于所述衬底基板的主体层，和位于所述主体层上与栅线平行排列的多个凸出部；薄膜晶体管以及所述栅线；其中，所述凸出部平行于所述栅线方向的相对两个侧面中的至少一个侧面上设置有沿所述栅线方向排列的一行所述薄膜晶体管以及一根栅线；设置有所述薄膜晶体管以及所述栅线的所述侧面为相对于所述主体层朝上设置的斜面。用于阵列基板及包括该阵列基板的显示面板的制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
阵列基板中设置有作为像素开关的薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，简称TFT)、显示用的透明像素电极、控制TFT栅极的栅线以及控制TFT源极的数据线等结构。以目前阵列基板中常见的顶栅结构的LTPSTFT(LTPS为低温多晶硅的英文“LowTemperature Poly Si 1 icon”缩写，LTPS TFT即指TFT中的有源层采用的半导体材料为LTPS)为例，如图1所示，在LTPS TFT结构中，有源层的图案通常为U型，栅线与有源层的U型图案相重叠的部分即为TFT中的栅极。数据线的一部分即作为源极，通过栅绝缘层上的过孔与有源层的U型图案一端相连，与源极同层设置的漏极通过栅绝缘层上的另一过孔与有源层的U型图案的另一端相连，从而形成了顶栅结构的LTPS TFT。由于TFT导通时的电性能与有源层对应于源极和漏极之间的部分，即通常所说的TFT导通时的沟道(channel)面积有关，因此在目前的LTPS TFT结构中，需要栅线具有一定的宽度，有源层的U型图案也需要具有一定的U型长度，从而导致栅线与TFT占据了阵列基板中的较大面积。此外，当TFT中的栅极是与栅线直接相连时，受限于目前的制造工艺，栅线的宽度也难以制备地很窄，从而导致目前阵列基板中的栅线、TFT所占据的不透光的面积通常较大，从而制约了阵列基板开口率的进一步提高。
技术实现思路
鉴于此，为解决现有技术的问题，本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，可减少阵列基板中的薄膜晶体管以及栅线所占据的不透光的面积，增加阵列基板的开口率。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:—方面、本专利技术实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括:衬底基板;所述阵列基板还包括:位于所述衬底基板上的隔离层，所述隔离层包括:平行于所述衬底基板的主体层，和位于所述主体层上与栅线平行排列的多个凸出部;薄膜晶体管以及所述栅线;其中，所述凸出部包括沿栅线方向延伸的相对设置的两个侧面;至少一个所述侧面上设置有沿所述栅线方向排列的一行所述薄膜晶体管以及一根栅线;设置有所述薄膜晶体管以及所述栅线的所述侧面为相对于所述主体层朝上设置的斜面。可选的，所述阵列基板还包括:位于所述薄膜晶体管下方且覆盖所述隔离层的光学层;其中，所述衬底基板、所述隔离层以及所述光学层的折射率依次增加。进一步优选的，所述光学层由多层透明材料构成;其中，沿远离所述衬底基板的方向，每层透明材料的折射率依次增加。可选的，所述凸出部具有设置在两个所述侧面之间的且远离所述主体层的顶面；所述阵列基板具体包括:隔离所述薄膜晶体管的有源层与所述薄膜晶体管的栅极的栅绝缘层；隔离所述薄膜晶体管的源极、漏极与所述栅极的层间绝缘层;其中，所述栅线对应于所述有源层的部分为所述薄膜晶体管的栅极;所述有源层的图案为U型的低温多晶硅有源层；所述有源层的图案跨越所述主体层、所述斜面以及所述顶面;其中，所述有源层的U型两端分别位于所述顶面上;所述栅绝缘层覆盖所述有源层、且所述栅线位于所述栅绝缘层覆盖所述斜面的区域上;所述层间绝缘层覆盖所述栅线;所述源极、所述漏极分别通过贯通所述层间绝缘层与所述栅绝缘层的第一通孔、第二通孔与所述有源层的U型两端相连。进一步优选的，所述阵列基板还包括:位于所述衬底基板与所述隔离层之间、且与所述薄膜晶体管一一对应的挡光层;其中，所述挡光层的图案至少对应于所述有源层位于所述斜面上的部分。可选的，所述主体层与所述凸出部均由氮化硅材料构成;所述阵列基板还包括:位于所述有源层下方且覆盖所述隔离层的氧化硅绝缘层。可选的，所述凸出部具有设置在两个所述侧面之间的且远离所述主体层的顶面；所述阵列基板具体包括:位于所述光学层上的挡光层，所述挡光层的位置对应于所述光学层覆盖所述斜面的区域;位于所述光学层上方的缓冲层；隔离所述薄膜晶体管的有源层与所述薄膜晶体管的栅极的栅绝缘层；隔离所述薄膜晶体管的源极、漏极与所述薄膜晶体管的栅极的层间绝缘层;其中，所述栅线对应于所述有源层的部分为所述栅极;所述有源层为U型的低温多晶硅有源层，所述有源层的图案跨越所述缓冲层对应于所述主体层、所述斜面以及所述顶面的区域;其中，所述有源层的U型两端分别位于所述缓冲层对应于所述顶面的区域上;所述栅绝缘层覆盖所述有源层、且所述栅线位于所述栅绝缘层对应于所述斜面的区域上;所述层间绝缘层覆盖所述栅线;所述源极、所述漏极分别通过贯通所述层间绝缘层与所述栅绝缘层的第一通孔、第二通孔与所述有源层的U型两端相连。进一步优选的，所述缓冲层的折射率小于所述光学层的折射率，所述缓冲层对应于所述顶面的至少部分区域为镂空结构;和/或，所述栅绝缘层的折射率小于所述光学层的折射率，所述栅绝缘层对应于所述顶面的至少部分区域为镂空结构;和/或，所述层间绝缘层的折射率小于所述光学层的折射率，所述层间绝缘层对应于所述顶面的至少部分区域为镂空结构。优选的，所述缓冲层、所述栅绝缘层以及所述层间绝缘层的折射率均小于所述光学层的折射率;所述缓冲层的镂空结构、所述栅绝缘层的镂空结构以及所述层间绝缘层的镂空结构的区域相对应。优选的，所述阵列基板具体包括:与所述薄膜晶体管的漏极相连的像素电极;所述像素电极位于所述凸出部的所述顶面上方。优选的，所述阵列基板具体包括:覆盖所述薄膜晶体管的平坦层;位于所述平坦层对应于所述顶面的区域上的公共电极;覆盖所述公共电极与所述平坦层的保护层;位于所述保护层上且与所述公共电极相对应的像素电极;其中，所述像素电极通过贯通所述保护层与所述平坦层的第三通孔与所述漏极相连。在上述基础上优选的，所述斜面与水平面的夹角取值范围为10?80°。可选的，构成所述隔离层、所述光学层的材料包括:氧化硼、硼砂、氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化锌、水晶、石英、氧化镁、氧化镓、氧化锡、氧化镉、氧化铟、氧化祕、氧化镍、硫化镉、氟化钙、氧化铜、红宝石、蓝宝石、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、树脂中的至少一种材料构成。可选的，所述隔离层的最大厚度取值范围为30?90000nm;所述光学层的厚度取值范围为30?90000nm。优选的，所述隔离层的最大厚度取值范围为30?90000nm;每层透明材料的厚度取值范围为30?90000nmo另一方面、本专利技术实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括:在衬底基板上形成隔离层，所述隔离层包括:平行于所述衬底基板的主体层，和位于所述主体层上与栅线平行排列的多个凸出部;在所述凸出部沿栅线方向延伸的相对设置的两个侧面中的至少一个侧面上形成沿所述栅线方向排列的一行薄膜晶体管以及一根栅线；其中，形成有所述薄膜晶体管以及所述栅线的所述侧面为相对于所述主体层朝上设置的斜面。再一方面、本专利技术实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述所述的阵列基板。基于此，通过本专利技术实施例提供的上述阵列基板，由于TFT以及栅线设置在斜面上，在制造相同宽度的图形时，由于设置在斜面上的结构在平面上的投影更小，因此与在平面上制备TFT以及栅线的现有技术相比，本专利技术实施例在斜面上制备TFT以及栅线对阵列基板中的不透光面积占据的更小，从而增加了阵列基板的开口率。【附图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板；其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板上的隔离层，所述隔离层包括：平行于所述衬底基板的主体层，和位于所述主体层上与栅线平行排列的多个凸出部；薄膜晶体管以及所述栅线；其中，所述凸出部包括沿栅线方向延伸的相对设置的两个侧面；至少一个所述侧面上设置有沿所述栅线方向排列的一行所述薄膜晶体管以及一根栅线；设置有所述薄膜晶体管以及所述栅线的所述侧面为相对于所述主体层朝上设置的斜面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭星煜，李付强，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11