本发明专利技术提供一种绝缘体靶，在组装到溅射装置上并向其施加交流电时其可防止在屏蔽件和靶之间的间隙处发生放电。本发明专利技术的在溅射装置中使用的绝缘体靶(2)在组装到溅射装置SM上时，在绝缘体靶(2)周围配置有屏蔽件(5)，绝缘体靶(2)具有板状的靶材(21)，其被屏蔽件环绕；以及环状的支撑件(22)，以靶材的一面为进行溅射的溅射面(2a)，该支撑件(22)具有与靶材的另一面的外周边部相连接，从靶材的周面向外伸出并距离屏蔽件规定间隔的延伸部(22a)，在向绝缘体靶施加交流电对溅射面进行溅射时，该支撑件的阻抗大于等于靶材的阻抗。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在溅射装置中使用的绝缘体靶。
技术介绍
如今，使用氧化铝膜或氧化镁膜等绝缘膜例如作为MRAM(磁阻内存）的隧道势皇， 使用溅射（以下称为"溅射"）装置以便生产性良好地形成绝缘膜。在该装置中，将基板和 绝缘体靶（以下也称为"靶"）相对配置在真空室内并向真空室内导入溅射气体，与之配合 地向靶施加交流电在基板与靶之间的空间中形成等离子体溅射靶的溅射面，使飞散出的溅 射粒子附着并堆积在基板上形成绝缘膜。目前，已知例如在专利文献1中，为防止等离子体绕到靶的侧面溅射到靶以外的 部件（例如背板），在将靶组装到溅射装置上时，在靶的周围配置屏蔽件。在该设备中，减小 靶的外周部的厚度，在减小厚度的外周部上距离规定间隔配置有屏蔽件。 但是，研究发现，如像上述以往的例子一样，如果向外周部的厚度减小的靶施加交 流电，靶和屏蔽件之间的间隙处会发生放电。这被认为是由于在溅射过程中，整个绝缘体靶 的电位并不都是相同，比靶的中央部厚度略薄的靶的外周部的阻抗降低而引起的。 现有技术文献 专利文献 【专利文献1】专利公开2001-64773号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题 鉴于以上问题，本专利技术的目的是提供一种绝缘体靶，其在组装到溅射装置上并向 其施加交流电时可防止在屏蔽件和靶之间的间隙处发生放电。 解决技术问题的手段 为了解决上述技术问题，在组装到溅射装置上时，周围配置有屏蔽件的本专利技术的 在溅射装置中使用的绝缘体靶，其特征在于：具有板状的靶材，其被屏蔽件环绕；以及环状 的支撑件，以靶材的一面为进行溅射的溅射面，该支撑件具有与靶材的另一面的外周边部 相连接，从靶材的周面向外伸出并距离屏蔽件规定间隔的延伸部，在向绝缘体靶施加交流 电对溅射面进行溅射时，该支撑件的阻抗大于等于靶材的阻抗。另外，在本专利技术中，除了单 独形成的靶材和支撑件相连接的产品，还包括靶材和支撑件一体成型的产品。 根据本专利技术，不是如以往的例子那样减小靶的外周部的厚度而配置屏蔽件，而是 以靶材和环状的支撑件构成靶，距离支撑件的延伸部规定间隔配置屏蔽件并在溅射靶材的 溅射面时使支撑件的阻抗大于等于靶材的阻抗。因此，可防止在靶和屏蔽件之间发生放电， 可防止溅射到靶以外的部件。 在本专利技术中，如果用相同材料形成靶材和支撑件，使支撑件的厚度大于等于靶材 的板厚度的话，则可在溅射时使支撑件的阻抗大于等于靶材的阻抗。 在本专利技术中，也可用不同材料形成靶材和支撑件。此时，如果支撑件使用介电常数 低于靶材的材料的话，则支撑件的厚度可比靶材的板厚薄，因此可加工性良好地生产绝缘 体靶。且与用相同材料形成靶材和支撑件相比，可降低绝缘体靶的制造成本。【附图说明】 图1是组装了本专利技术的实施方式的绝缘体靶的溅射装置的剖面示意图。 图2是绝缘体靶的剖面放大图。 图3(a)和（b)分别是绝缘体靶的其他实施方式的剖面图。【具体实施方式】 下面参照附图以组装在溅射装置上的产品为例对本专利技术的实施方式的绝缘体靶 进行说明。另外，在各附图中，对于共同的要件采用了相同标号并省略重复说明。 参照图1，SM是磁控方式的溅射装置，该溅射装置SM具有划分出真空处理室Ia的 真空室1。真空室1的内顶部上安装有阴极单元c。下面以朝向图1中真空室1的内顶部 侧的方向为"上"，以朝向其底部侧的方向为"下"进行说明。阴极单元C由绝缘体靶2、设 置在绝缘体靶2上的背板3、以及设置在背板3上方的磁铁单元4构成。 再参照图2,绝缘体靶2具有：绝缘材质的靶材21，其与基板W的轮廓对应，并以公 知的方法制成平面视图为圆形的板状；以及环形的支撑件22,以该靶材21的下表面为溅射 面2a，该溅射面2a的相反侧的上表面的外周边部与该支撑件22相连接。靶材21和支撑件 22采用相同材料一体成型，支撑件22的厚度T 2、T3大于等于靶材21的厚度T i。此时，板厚 !\可设置在1~15mm的范围内，在与支撑件22的溅射面2a正交的方向上延伸的部分的厚 度TjP下文中提到的延伸部22a的厚度T 3可设置在2~20mm的范围内。支撑件22具有 从靶材21的周面向外探出的延伸部22a，距离该延伸部22a规定距离（例如0.5~5mm)配 置金属材质的屏蔽件5,以便不溅射到溅射面2a以外。屏蔽件5可接地也可悬空，可使用公 知结构的产品，故此处省略对其的详细说明。再有，靶材21的溅射面2a和屏蔽件5的下表 面在同一平面上，所以不容易在屏蔽件5上成膜。 靶2的上表面（背对溅射面2a的面）与背板3相连接，在溅射成膜过程中，可冷 却靶2。背板3上表面的周边部通过绝缘体I安装在真空室1的上壁内表面。靶2上连接 有高频电源等交流电源E的输出，成膜时向革El 2施加交流电。磁铁单元4是公知结构的产 品，其具有使靶2的溅射面2a的下方空间中产生磁场，溅射时捕捉在溅射面2a的下方电离 的电子等的结构，有效地使从靶2飞散的溅射粒子离子化，此处省略对其的详细说明。 在真空室1的底部配置有与靶2的溅射面2a相对的台架6,基板W被定位并保持 为其成膜面朝上。此时，考虑到生产性和散射次数等，靶2和基板W之间的距离设置在45~ IOOmm的范围内。再有，在真空室1的侧壁上连接有气管7来导入氩气等是稀有气体即溅射 气体，气管7上插设有质量流量控制器71，与省略图示的气源相连通。由此，可通过下文提 到的真空排气装置P以一定的排气速度将控制了流量的溅射气体导入到抽为真空的真空 处理室Ia内，在成膜过当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种绝缘体材质溅射靶，是在溅射装置中使用的绝缘体靶，其特征在于：在将该绝缘体靶组装到溅射装置上时，其周围配置有屏蔽件；所述绝缘体靶具有：板状的靶材，其被屏蔽件环绕；以及环状的支撑件，以靶材的一面为进行溅射的溅射面，该支撑件具有与靶材的另一面的外周边部相连接、从靶材的周面向外伸出并距离屏蔽件规定间隔的延伸部；在向绝缘体靶施加交流电对溅射面进行溅射时，该支撑件的阻抗大于等于靶材的阻抗。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：小梁慎二，山本弘辉，田口洋治，难波隆宏，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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