本发明专利技术公开了一种COA基板的制造方法，包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成色阻层；在色阻层上形成第三绝缘层；形成露出薄膜晶体管的漏极的至少一个过孔；在第三绝缘层上形成ITO膜层；在ITO膜层上形成光阻层；对过孔区域ITO膜层上的光阻层进行遮光处理，并对非过孔区域ITO膜层上的光阻层进行曝光处理；对过孔区域ITO膜层上的光阻层和非过孔区域ITO膜层上的光阻层进行显影处理，以得到覆盖在过孔区域ITO膜层上的光阻层塞子。本发明专利技术还公开一种显示装置和COA基板。通过上述方式，本发明专利技术利用光阻将过孔的洞口填满，能够提高显示装置的面板的品质。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶
，特别是涉及一种显示装置、C0A基板及其制造方法。
技术介绍
COA (Color Filter on Array)基板所采用的技术是将一种将彩色滤光片集成在阵列基板上的技术。相比传统的CF(彩色滤光片)基板与TFT(薄膜晶体管)基板对组技术，C0A技术提供了一种降低显示面板制备过程中对盒制程的难度的设计思路。具体来说，在传统技术中，为了尽量消除对组误差，在设计中采用较宽的黑色矩阵(BM)遮光，而在C0A基板中，黑色矩阵可以设计为窄线宽，开口率随之提升。另外，C0A基板通过色阻层增加了像素电极与金属走线之间的距离，减小了二者间的电容耦合效应，金属线上的信号延时效应得以改善，面板品质得到提升。然而，C0A基板在增加金属走线与像素电极间的距离的同时，也使得像素电极与金属走线搭接难度的增加。具体来说，像素电极与金属走线之间间隔两层绝缘层和一层彩色滤光片，需要通过一个很深的过孔搭接。为了防止像素电极断线或者与金属走线之间接触不良，这个过孔的开孔面积比较大。在后续的制成中，当液晶滴下时，液晶容易在过孔处聚集，造成过孔附近的液晶偏转不受电压控制，引起显示异常，影响显示装置的面板的品质。综上所述，有必要提供一种显示装置、C0A基板及其制造方法以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种显示装置、C0A基板及其制造方法，能够提高显示装置的面板的品质。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是:提供一种C0A基板的制造方法，包括:在衬底基板上形成薄膜晶体管，其中薄膜晶体管包括设置在衬底基板上的第一金属层、设置在第一金属层上的第一绝缘层、设置在第一绝缘层上的半导体活性层以及设置在半导体活性层上的第二金属层，第二金属层形成薄膜晶体管的漏极；在薄膜晶体管上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成色阻层；在色阻层上形成第三绝缘层；形成露出薄膜晶体管的漏极的至少一个过孔；该方法还包括:在第三绝缘层上形成ΙΤ0膜层，其中ΙΤ0膜层包括设置在过孔上的过孔区域ΙΤ0膜层和设置在过孔外的非过孔区域ΙΤ0膜层；在ΙΤ0膜层上形成光阻层；对过孔区域ΙΤ0膜层上的光阻层进行遮光处理，并对非过孔区域ΙΤ0膜层上的光阻层进行曝光处理；对过孔区域ΙΤ0膜层上的光阻层和非过孔区域ΙΤ0膜层上的光阻层进行显影处理，以得到覆盖在过孔区域ΙΤ0膜层上的光阻层塞子。其中，非过孔区域ΙΤ0膜层包括走线区域ΙΤ0膜层和非走线区域ΙΤ0膜层；对非过孔区域ΙΤ0膜层上的光阻层进行曝光处理包括:对走线区域ΙΤ0膜层上的光阻层进行部分曝光处理，以部分剥离走线区域ΙΤ0膜层上的光阻层，且对非走线区域ΙΤ0膜层上的光阻层进行完全曝光处理，以全部剥离非走线区域ΙΤ0膜层上的光阻层。其中，对走线区域ΙΤ0膜层上的光阻层进行部分曝光处理包括:利用半透光光罩对走线区域ITO膜层上的光阻层进行半曝光处理。其中，对所述过孔区域ΙΤ0膜层上的所述光阻层进行显影处理的步骤之后，该方法还包括:利用蚀刻工艺剥离非走线区域ΙΤ0膜层。其中，利用蚀刻工艺剥离非走线区域ΙΤ0膜层的步骤之后，该方法还包括:利用干刻工艺对走线区域ΙΤ0膜层上的光阻层和过孔区域ΙΤ0膜层上的光阻层进行处理，以全部剥离走线区域ΙΤ0膜层上的光阻层，部分剥离在过孔区域ΙΤ0膜层上的光阻层，使得光阻层塞子覆盖在过孔上。其中，裸露在过孔外的光阻层塞子的侧面垂直衬底基板。为解决上述技术问题，本专利技术采用另一个技术方案是:提供一种C0A基板，包括:衬底基板；设置在衬底基板上的薄膜晶体管，其中薄膜晶体管包括设置在衬底基板上的第一金属层、设置在第一金属层上的第一绝缘层、设置在第一绝缘层上的半导体活性层以及设置在半导体活性层上的第二金属层，第二金属层形成薄膜晶体管的漏极；设置在薄膜晶体管上的第二绝缘层，设置在第二绝缘层上的色阻层；设置在色阻层上的第三绝缘层以及露出薄膜晶体管的漏极的至少一个过孔；该C0A基板还包括:设置在第三绝缘层上的ΙΤ0膜层，其中ΙΤ0膜层包括设置在过孔上的过孔区域ΙΤ0膜层；覆盖在过孔区域ΙΤ0膜层上的光阻层塞子。其中，光阻层塞子包括突出部和塞子，塞子填充于过孔内，突出部突出于过孔。其中，突出部包括与衬底基板平行的水平面以及垂直衬底基板的侧面。为解决上述技术问题，本专利技术采用又一个技术方案是:提供一种显示装置，该显示装置包括上述任一项的C0A基板。本专利技术的有益效果是:区别于现有技术的情况，本专利技术的C0A基板的制造方法包括:在衬底基板上形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成色阻层；在色阻层上形成第三绝缘层；形成露出薄膜晶体管的漏极的至少一个过孔；在第三绝缘层上形成ΙΤ0膜层；在1?膜层上形成光阻层；对过孔区域ΙΤ0膜层上的光阻层进行遮光处理，并对非过孔区域ΙΤ0膜层上的光阻层进行曝光处理；对过孔区域ΙΤ0膜层上的光阻层和非过孔区域ΙΤ0膜层上的光阻层进行显影处理，以得到覆盖在过孔区域ΙΤ0膜层上的光阻层塞子。通过上述方式，本专利技术在不增加光罩的情况下，只是进行ΙΤ0光罩的局部修改，并采用半曝光工艺制作C0A基板的像素电极，且利用光阻将过孔的洞口填满，能够优化面板制作工艺，有效提高面板品质。【附图说明】图1是本专利技术C0A基板的制造方法的流程示意图；图2是本专利技术C0A基板的结构不意图；图3是图2中区域A的第一实施例的放大结构示意图；图4是图2中区域A的第二实施例的放大结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图和实施方式对本专利技术进行详细说明。如图1所示，图1是本专利技术C0A基板的制造方法的流程示意图。该方法包括以下步骤:步骤S101:在衬底基板上形成薄膜晶体管。其中，薄膜晶体管包括设置在衬底基板上的第一金属层、设置在第一金属层上的第一绝缘层、设置在第一绝缘层上的半导体活性层以及设置在半导体活性层上的第二金属层。第一金属层形成薄膜晶体管的栅极，第二金属层形成薄膜晶体管的漏极和源极。步骤S102:在薄膜晶体管上形成第二绝缘层。步骤S103:在第二绝缘层上形成色阻层。步骤S104:在色阻层上形成第三绝缘层。步骤S105:形成露出薄膜晶体管的漏极的至少一个过孔。步骤S106:在第三绝缘层上形成ΙΤ0膜层。其中，过孔处的ΙΤ0膜层穿过第三绝缘层、色阻层和第二绝缘层并与第二金属层信号连接。Ι??膜层包括设置在过孔上的过孔区域ΙΤ0膜层和设置在过孔外的非过孔区域ΙΤ0膜层。在本实施例中，ΙΤ0膜层贴附在第三绝缘层上的厚度均是相同的，S卩贴附过孔上的过孔区域ΙΤ0膜层和贴附在过孔外的非过孔区域ΙΤ0膜层的厚度一样。步骤S107:在ΙΤ0膜层上形成光阻层。其中，光阻层填充在过孔上。应理解，本专利技术并不限定在ΙΤ0膜层上形成光阻层，还可以在在ΙΤ0膜层上形成其他材料层，只要能够填充在ΙΤ0膜层上的所有材料都可以。然而，在ΙΤ0膜层上形成其他材料层，即需重新制作多一个其他材料层的制程，会增加制作C0A基板的工艺制程，加大设计成本。相反，形成光阻层的制程在液晶
已经成熟，本专利技术可以直接采用制作光阻层的制程，能够减少制作C0A基板的工艺制程，降低设计成本。步骤S108:对过孔区域ΙΤ0膜层上的光阻层进行遮光处理，并对非过孔区域ΙΤ0膜层上的光阻层进行曝光处理。在步骤本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种COA基板的制造方法，包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括设置在所述衬底基板上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的半导体活性层以及设置在所述半导体活性层上的第二金属层，所述第二金属层形成所述薄膜晶体管的漏极；在所述薄膜晶体管上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成色阻层；在所述色阻层上形成第三绝缘层；形成露出所述薄膜晶体管的漏极的至少一个过孔；其特征在于，所述方法还包括：在所述第三绝缘层上形成ITO膜层，其中所述ITO膜层包括设置在所述过孔上的过孔区域ITO膜层和设置在所述过孔外的非过孔区域ITO膜层；在所述ITO膜层上形成光阻层；对所述过孔区域ITO膜层上的所述光阻层进行遮光处理，并对所述非过孔区域ITO膜层上的所述光阻层进行曝光处理；对所述过孔区域ITO膜层上的所述光阻层和所述非过孔区域ITO膜层上的所述光阻层进行显影处理，以得到覆盖在所述过孔区域ITO膜层上的光阻层塞子。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：武岳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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