【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体封装
,尤其涉及一种。
技术介绍
一般而言,半导体芯片(包括GaN,SiC在内的第三代半导体芯片)只有经过封装后才能发挥应有的作用。封装的基本工艺包括固晶、回流焊、引线键合、注塑和成型等。对于射频和功率器件(含第三代半导体功率器件)而言,固晶工艺常用的焊料都含有Sn或Pb成分,在高温回流焊的过程中,这些Sn或Pb会挥发到引线框架上,引起污染,且难以清洗,造成引线框架上焊点的焊接质量下降,封装良品率的损失,严重的会产生潜在的可靠性问题。因此,防止污染对提高焊点质量,提高良品率,降低工艺成本具有十分重要的意义。现有的专利技术专利,有对芯片内部结构的设计改进,从而减少助焊剂挥发对芯片上焊盘的污染,但不能解决回流焊过程中引线框架上焊盘的污染问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术存在回流焊过程中焊盘污染的缺陷,提供一种半导体封装过程保护焊点免受污染的方法。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种,步骤依次包括涂覆焊料、贴片、将焊盘隔离、回流焊、取消焊盘隔离、打线。具体地,所述将焊盘隔离具体为,设置隔离框架将基板上的焊 ...
【技术保护点】
一种半导体封装过程中保护焊点免受污染的方法,其特征在于:步骤依次包括涂覆焊料、贴片、将焊盘隔离、回流焊、取消焊盘隔离、打线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:吕光军,张浩,范供齐,樊学军,张国旗,
申请(专利权)人:常州市武进区半导体照明应用技术研究院,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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