利用RF平衡的多站式等离子体反应器制造技术

本发明专利技术涉及利用RF平衡的多站式等离子体反应器。公开了用于利用RF功率频率调谐的多站式半导体沉积操作的方法和装置。RF功率的频率可根据在半导体沉积操作期间所测得的等离子体的阻抗来调谐。在所述方法和装置的某些实施方案中，RF功率参数可以在沉积操作期间或之前进行调节。半导体沉积操作的某些其他实施方案可以包括利用相应的不同配方的多个不同的沉积工艺。配方可以包括用于每个相应的配方的不同的RF功率参数。相应的配方可以在每个沉积工艺前调节RF功率参数。RF功率频率调谐可以在每个沉积工艺期间被使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及半导体处理领域，更具体地涉及利用RF平衡的多站式等离子体反应器
技术介绍
半导体器件的制造涉及在半导体处理反应器中的半导体晶片的处理。典型的处理涉及晶片上的材料的沉积和去除(即蚀刻)。在商业规模的生产中，每个晶片包含被制造的特定半导体器件的许多拷贝，并且许多晶片被要求达到所需的器件容积。半导体处理操作的商业可行性在很大程度上取决于处理条件的晶片内均匀性和晶片到晶片的可重复性。因此，已努力确保给定晶片和每个晶片的被处理的每个部分都暴露于相同的处理条件。处理条件的变化通常会造成沉积和蚀刻速率的导致在整个处理和产品中的不可接受的变化的变化。要求使处理的变化最小化的技术和装置。
技术实现思路
在一些实施方案中，可以提供了一种多个站中的等离子体辅助半导体沉积的方法。该方法可以包括:a)在所述多个站中的每一个处提供衬底；b)分配RF功率至多个站，从而在这些站内产生等离子体，其中，所述RF功率根据被调节以减小站到站(stat1n tostat1n)的变化的RF功率参数来分配；c)调谐所述RF功率的频率，以及d)在每一个站的所述衬底上沉积薄膜。调谐所述频率可以包括:i)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在处理室中的多个站中的等离子体辅助半导体沉积的方法，该方法包括：a)在所述多个站中的每一个处提供衬底；b)分配RF功率至多个站，从而在所述站内产生等离子体，其中，所述RF功率根据被调节以减小站到站的变化的RF功率参数来分配；c)调谐所述RF功率的频率，其中调谐所述频率包括：i)测量所述等离子体的阻抗，ii)根据在(i)中测得的所述阻抗判定所述RF功率的所述频率的变化，以及iii)调节所述RF功率的所述频率；以及d)在每一个站的所述衬底上沉积薄膜。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：苏尼尔·卡普尔，卡尔·F·利泽，阿德里安·拉瓦伊，亚斯万斯·兰吉尼，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US