阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置，属于显示技术领域。阵列基板包括：衬底基板，衬底基板上依次形成有源漏极金属层和第一钝化金属保护层，源漏极金属层包括：源极和漏极，源极和漏极不接触；形成有第一钝化金属保护层的衬底基板上形成有导电保护层；形成有导电保护层的衬底基板上形成有像素电极，像素电极与导电保护层接触。本发明专利技术解决了由于第一钝化金属保护层被刻蚀，像素电极与漏极之间的电阻较大的问题，达到了保证像素电极与漏极之间的电阻的效果。本发明专利技术用于显示装置的显示。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示 目.0
技术介绍
高级超维转换(英文:ADvanced Super Dimens1n Switch ;简称:ADS)显不模式是一种利用处于同一平面内的电极产生的横向电场使液晶产生偏转来实现图像显示的显示模式。ADS显示模式的显示装置具有宽视角、高分辨率、低功耗等优点，广泛应用于移动电话、笔记本电脑、电视机等产品中。显示装置通常可以包括阵列基板。示例地，如图1所示，其示出的是现有技术提供的一种阵列基板00的结构示意图，该阵列基板00可以包括衬底基板001，衬底基板001上形成依次形成有氧化铟锡(英文:Indium Tin OxideJI^IdTO)公共电极002、栅极003、栅绝缘层004、有源层005、源漏极金属层006、钝化层007和ITO电极008，其中，源漏极金属层006包括源极0061和漏极0062，钝化层007上形成有过孔，ITO电极008通过钝化层007的过孔与漏极0062接触。其中，漏极0062的形成材料通常为铝，ITO电极008与漏极0062接触容易导致漏极0062被氧化，使得本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板，所述衬底基板上依次形成有源漏极金属层和第一钝化金属保护层，所述源漏极金属层包括：源极和漏极，所述源极和所述漏极不接触；形成有所述第一钝化金属保护层的衬底基板上形成有导电保护层；形成有所述导电保护层的衬底基板上形成有像素电极，所述像素电极与所述导电保护层接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘耀，白金超，丁向前，郭会斌，陈曦，王其辉，王静，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11