一种阵列基板、其制作方法、及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种阵列基板、其制作方法、及显示装置。该阵列基板包括具有至少一个凹陷区域的透明导电层和位于所述透明导电层上的取向层，所述阵列基板还包括填充于所述透明导电层的至少一个凹陷区域处的填充层。本发明专利技术实施例中，由于在透明导电层上的至少一个凹陷区域处有填充层，即凹陷区域处已被填充层所填充，这样在凹陷区域中，填充层所填充的地方就无积蓄的取向层(如PI液)，积蓄的取向层就减少了，从而提高了阵列基板上的取向层的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、其制作方法、及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LCD，TFT-LCD)，包括扭曲向列(Twisted Nematic,TN)型，边缘场切换(Fringe Field Switching，FFS)型，共面转变模式(In Plane Switching，IPS)型等等，这些TFT-1XD的显示屏中包括薄膜晶体管(Thin FilmTransistor, TFT)阵列基板。TFT阵列基板上均存在很多连接孔，例如，像素电极与漏极之间的连接孔，公共电极与公共电极之间的连接孔，等等。其中，像素电极和公共电极通常为氧化铟锡导电膜(Indium Tin Oxide, ΙΤ0)层。如图1所示，其中包括位于衬底基板10上的金属层11 (如漏极)，位于金属层11上的氮化硅层12，位于金属层11和氮化硅层12上的ΙΤ0层13(如像素电极)，在ΙΤ0层13上与金属层11的连接处有凹陷，称为凹陷区域。TFT-1XD的制作过程中，需要在上述ΙΤ0层上涂布聚酰亚胺(Polyimide，PI)液，形成取向层。但是上述凹陷区域的存在，会容易导致PI液大量积蓄在上述凹陷区域中，凹陷区域的PI液比凹陷区域之外的区域的PI液要厚的多，容易出现涂布、扩散的PI液均匀性较差等问题，并且上述凹陷区域越深，涂布、扩散的PI液的均匀性越差。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是提供一种阵列基板、其制作方法、及显示装置，用于解决TFT阵列基板的IT0层上存在的凹陷区域容易导致涂布、扩散的PI液均匀性较差，并且凹陷区域越深，涂布、扩散的PI液均匀性越差的问题本专利技术实施例的目的是通过以下技术方案实现的:—种阵列基板，所述阵列基板包括具有至少一个凹陷区域的透明导电层和位于所述透明导电层上的取向层，所述阵列基板还包括填充于所述透明导电层的至少一个凹陷区域处的填充层。较佳地，所述填充层的上表面与所述透明导电层除凹陷区域之外区域的上表面位于同一水平面。较佳地，所述填充层的材料为光刻胶或者氮化硅。较佳地，所述填充层的材料为正性光刻胶或者负性光刻胶。较佳地，所述透明导电层为像素电极或公共电极。一种显示装置，包括以上任一所述的阵列基板。—种如以上任一所述的阵列基板的制作方法，该方法包括:在衬底基板上形成具有至少一个凹陷区域的透明导电层的图形；在至少一个所述凹陷区域处形成填充层的图形；在所述透明导电层的图形和所述填充层的图形上涂覆取向层。较佳地，所述在至少一个所述凹陷区域处形成填充层的图形，包括:在所述透明导电层上涂覆光刻胶层；对光刻胶层进行曝光显影，保留光刻胶层中与至少一个所述凹陷区域对应的区域以形成填充层的图形。较佳地，所述在至少一个所述凹陷区域处形成填充层的图形，包括:在所述透明导电层上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上涂覆光刻胶层；对光刻胶层进行曝光显影，在光刻胶层中与至少一个所述凹陷区域对应的区域形成光刻胶完全保留区域；对所述氮化硅层进行刻蚀，保留氮化硅层中与光刻胶完全保留区域对应的区域以形成填充层的图形；对光刻胶完全保留区域的光刻胶层进行剥离。较佳地，所述在阵列基板上形成具有至少一个凹陷区域的透明导电层的图形，在至少一个所述凹陷区域处形成填充层的图形，包括:在衬底基板上形成透明导电层；在所述透明导电层上涂覆光刻胶层；对光刻胶层进行曝光显影，在光刻胶层中与将要形成的所述透明导电层的图形对应的区域形成光刻胶部分保留区域，与至少一个所述凹陷区域对应的区域形成光刻胶完全保留区域，与将要形成的所述透明导电层的图形和至少一个所述凹陷区域之外对应的区域形成光刻胶完全去除区域；对光刻胶完全去除区域对应的透明导电层刻蚀形成透明导电层的图形；对光刻胶完全保留区域和光刻胶部分保留区域的光刻胶层进行灰化处理，完全去除光刻胶部分保留区域对应的光刻胶层，同时部分去除光刻胶完全保留区域的光刻胶层以形成填充层的图形。本专利技术实施例的有益效果如下:本专利技术实施例提供的一种阵列基板、其制作方法、及显示装置中，由于在透明导电层上的至少一个凹陷区域处有填充层，即凹陷区域处已被填充层所填充，这样在凹陷区域中，填充层所填充的地方就无积蓄的取向层(如PI液)，积蓄的取向层就减少了，从而提高了阵列基板上的取向层的均匀性。【附图说明】图1为现有技术中TFT阵列基板上的ΙΤ0层上的凹陷区域的示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图3为图2所示的阵列基板中填充层的上表面和透明导电层的上表面的示意图；图4为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图；图6为本专利技术实施例提供的采用半色调掩膜版对光刻胶层进行曝光的示意图；图7为本专利技术实施例提供的采用如图6所示的半色调掩模版对光刻胶层曝光显影后的不意图。【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本专利技术提供的一种阵列基板、其制作方法、及显示装置进行更详细地说明。本专利技术实施例提供一种阵列基板，如图2所示，该阵列基板包括具有至少一个凹陷区域的透明导电层20和位于透明导电层20上的取向层21，该阵列基板还包括填充于透明导电层20的至少一个凹陷区域处的填充层22(图2中阵列基板的其它结构未体现)。本专利技术实施例中，由于在透明导电层20上的至少一个凹陷区域处有填充层22，即凹陷区域处已被填充层22所填充，这样在凹陷区域中，填充层22所填充的地方就无积蓄的取向层21 (如PI液)，积蓄的取向层21就减少了，从而提高了阵列基板上的取向层21的均匀性。较佳地，上述实施例中，填充层22的上表面(如图3所示)与透明导电层20除凹陷区域之外区域的上表面(如图3所示)位于同一水平面。本实施例中，透明导电层20的凹陷区域恰好被填充层22完全填充，这样，凹陷区域中就完全没有积蓄的取向层21，进一步使得位于填充层22和透明导电层20上的取向层21整体更加均匀、平整，从而使得阵列基板更加平整。另外，取向层的平整也有利于摩擦布的摩擦均匀。上述实施例仅是对上述凹陷区域被填充程度的一种举例并非限定，也可以是:填充层的上表面所在的水平面低于透明导电层除凹陷区域之外区域的上表面所在的水平面，当然，凹陷区域内被填充层所填充的地方越多，取向层的均匀性越高；或者填充层的上表面所在的水平面高于透明导电层除凹陷区域之外区域的上表面所在的水平面。这两种结构都可以保证在凹陷区域中，填充层所填充的地方无积蓄的取向层，从而提高取向层的均匀性。上述各个实施例中，填充层22的材料有多种，需要保证其为绝缘材料，具有温度稳定性，且极性稳定(即对液晶分子无影响)。较佳地，上述各个实施例中，填充层22的材料可以为光刻胶或者氮化硅。这些材料方便易得。较佳地，上述各个实施例中，填充层22的材料可以为正性光刻胶或者负性光刻胶。较佳地，上述各个实施例中，透明导电层20可以但不限于为像素电极或公共电极。本专利技术实施例中，上述阵列基板为TFT阵列基板，TFT阵列基板可以是扭曲向列(Twisted Nematic，TN)型的，边缘场切换(Fringe Field Switching，FFS)型的，或者共面转变(In Plane Switching，IPS)型的阵列基板，等等。基于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，所述阵列基板包括具有至少一个凹陷区域的透明导电层和位于所述透明导电层上的取向层，其特征在于，所述阵列基板还包括填充于所述透明导电层的至少一个凹陷区域处的填充层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：顾可可，杨妮，余道平，刘信，苟中平，齐智坚，侯宇松，陈帅，李少茹，胡伟，
申请(专利权)人：重庆京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;85