【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体激光器用微通道热沉，属于半导体光电子
技术介绍
高(大)功率半导体激光器(LD)及其阵列是工业、医疗和基础研究等领域的理想激光源，应用广泛。半导体激光器向高平均功率发展存在的一个最大问题是散热，随着注入电流的增加，产生的热功耗随之增加，由热功耗而引起有源区的温度升高会影响激光器性能参数，严重时会使激光器彻底毁坏，如何有效导出因耗散功率所转化的热量，解决冷却散热问题成为研制高功率半导体激光器必须攻克的关键技术之一。目前，高性能半导体激光器的电光效率为大约50%，其余能量基本转化成为热能。因此，获得一定能量的激光必然伴随产生1倍左右的热能，另外，高功率半导体激光器中热量产生的一个特点是非常集中，在单位面积或者体积之内，产生极高热流密度的热量(目前典型值IX 107 W/m2)，这样的热量和热流密度都是很惊人的，只有采用高效、低热阻的热沉/冷却器(用于激光器热源和冷却流体之间换热的散热器)，才能将集中的热量从发热部分中导出且只引起温度的合理升高。微通道冷却热沉通过液体流过微通道时的强制对流将热量快速带走，具有很强的散热能力，是目前...
【技术保护点】
一种半导体激光器微通道冷却热沉，包括单片式基体，所述基体由上下堆叠的5层高导热矩形薄片组成，每层高导热矩形薄片表面刻槽，相互堆叠焊接封装后内部形成冷却微通道，其特征在于基体上下面的高导热矩形薄片为WCu电子封装材料，中间三层的高导热矩形薄片为AlSiC电子封装材料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：左立峰，
申请(专利权)人：宜兴市大元电子科技有限公司，左立峰，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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