本实用新型专利技术涉及基板处理装置，更详细地说，利用等离子在基板表面形成多个凹凸的基板处理装置。本实用新型专利技术公开了基板处理装置，其包括：工序腔室，形成密闭的内部空间并且电气性接地所述工序腔室；基板支撑部，以与所述工序腔室电气性绝缘的状态来进行设置并施加一个以上的RF电源，并且支撑安装一个以上的基板的托架；气体喷射部，设置在所述内部空间的上侧来喷射用于执行基板处理的气体；盖部，从所述基板支撑部间隔距离地覆盖所述一个以上的基板来进行配置，并且形成多个开口部以使流入由所述气体喷射部喷射的气体，并且接地所述盖部。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及基板处理装置，更详细地说，利用等离子在基板表面形成多个凹凸的基板处理装置。
技术介绍
基板处理装置为，其构成包括形成密闭的内部空间的真空腔室，与设置在真空腔室内来安装基板的基板支撑架，并且将处理气体注入于内部空间的同时施加电源来蚀刻或沉积基板的表面的装置。被所述基板处理装置处理的基板有半导体用晶圆、LCD面板用玻璃基板、太阳能电池用基板等。作为所述基板处理装置的一示例基板处理装置为，在基板支撑架上安装太阳能电池用基板之后，在基板的上侧覆盖形成多个开口部的盖部件，为使在基板表面形成微小的凹凸而执行真空处理。如上所述，作为利用盖部件在基板表面形成多个凹凸的基板处理装置，有韩国公开专利公报第10-2011-0029621号。另一方面，使用盖部件在基板表面形成微小的凹凸的现有的基板处理装置，根据盖部件的中央部分及边缘位置部分等位置等离子形成条件不同，因此存在在以盖部件的平面位置为基准位于边缘位置部分的基板形成不均匀的微小凹凸，即具有会发生显著色差的问题。然后，根据形成不均匀的微小凹凸，无法充分地达成根据形成微小凹凸降低反射率效果，因此具有无法充分地提高太阳能电池元件的效率的问题。
技术实现思路
(要解决的问题)本技术提供基板处理装置的目的在于，为了解决如上所述的问题，利用盖部件来在基板表面形成微小凹凸时，能够形成均匀的微小凹凸。(解决问题的手段)本技术是为了达成如上所述的本技术的目的而提出的，本技术公开的基板处理装置，包括:工序腔室，形成密闭的内部空间并且所述工序腔室电气性接地；基板支撑部，以与所述工序腔室电气性绝缘的状态来进行设置并施加一个以上的RF电源，并且支撑安装一个以上的基板的托架；气体喷射部，设置在所述内部空间的上侧来喷射用于执行基板处理的气体；盖部，从所述基板支撑部间隔距离地覆盖所述一个以上的基板来进行配置，并且形成多个开口部以使由所述气体喷射部喷射的气体流入，并且所述盖部接地。所述盖部，以被所述托架支撑的状态与所述托架一起被移送，在所述托架安装在所述基板支撑部时与所述工序腔室电气性连接，进而所述盖部被接地。所述盖部通过与所述工序腔室的内侧壁及底面中的至少一个接触，进而所述盖部被接地。所述托架及所述盖部的平面形状为矩形形状，所述盖部，以导入到所述工序腔室的方向为基准相互面对的两边比所述托架的边缘更向外侧凸出，并且更凸出的部分与所述工序腔室的内表面电气性接触来接地所述盖部。所述工序腔室上设置有接地部件，所述接地部件从所述工序腔室的内表面凸出来而在所述托架安装在所述基板支撑部时将所述盖部与所述工序腔室电气性连接。所述盖部以电气性连接于所述工序腔室的状态可固定或可拆卸地设置在所述工序腔室。所述盖部被设置在所述工序腔室的支撑部件支撑，并且根据所述支撑部件与所述工序腔室电气性连接。在所述托架导入所述工序腔室或从所述工序腔室排出时为了防止被干涉，所述盖部可上下移动地设置在所述工序腔室内。所述工序腔室及所述托架中至少一个，具有用于接地所述托架的一个以上的接地部。所述基板处理装置执行反应离子蚀刻工艺。所述基板为太阳能电池用晶体娃基板。(技术的效果)根据本技术的基板处理装置，接地覆盖在托架安装的一个以上的基板的上部的盖部，进而稳定地形成等离子，因此具有能够显著提高工序的均匀度的优点。在接地盖部的情况，只在由基板支撑架及盖部形成的空间形成等离子，因此在基板附近稳定地形成等离子，进而显著地提高工序的均匀度。尤其是，根据本技术的基板处理装置，如图1所示根据盖部的接地构造在基板表面形成微小凹凸时，相比于使用未接地的盖部，能够确认到对位于盖部平面上的边缘位子的基板形成均匀的微小凹凸。并且，根据本技术的基板处理装置，使覆盖在托架安装的一个以上的基板上部的盖部接地，进而在由基板支撑架及盖部形成的空间形成等离子的形成大部分的等离子，因此具有就算在施加电力相对小的电源，也能够执行稳定且均匀的基板处理的优点。并且，根据本技术的基板处理装置，为了获得相同的效果，根据施加电力相对小的电源，具有相比于施加电力相对大的电源的情况，在产生电弧放电等工序的稳定性方向更有利的优点。【附图说明】图1是示出根据本技术的基板处理装置的剖面图。图2a及图2b是分别示出图1的基板处理装置中的盖部等的平面图及部分立体图。图3是示出图1的基板处理装置的变形例的剖面图。图4及图5是分别示出图1的基板处理装置的变形例的图面。(附图标记说明)10:基板20:托架100:工序腔室210:盖部具体实施方法以下，参照附图如下说明根据本技术的基板处理装置。根据本技术的基板处理装置，如图1至图5所示包括:形成密闭的内部空间S并且电气性接地的工序腔室100 ;与以与工序腔室100电气性绝缘的状态来进行设置并施加一个以上的RF电源，并且支撑安装一个以上的基板10托架20的基板支撑部130 ;与设置在内部空间S的上侧来喷射用于执行基板处理的气体的气体喷射部140 ;与为使从基板支撑部130间隔距离地覆盖一个以上的基板10来进行配置，并且形成多个开口部211以使流入由气体喷射部140喷射的气体的盖部210。在这里，基板处理目标基板10为，如果是需要执行在其表面形成多个微小凹凸的工序的基板，则任何基板都可以，尤其是需要通过蚀刻其表面形成微小的凹凸的单结晶体硅、多晶体硅等太阳电池用基板也可以。所述托架20，作为移送一个以上的基板，尤其是移送多个基板的构成，根据基板10的种类及真空处理工序，可构成多种材质及形状。在这里，所述托架20使用如同硼硅玻璃(pyrex)的在耐等离子的材质，作为为了以安装在基板10的状态来移送基板10的构成，在基板10直接安装在基板支撑架130的情况则当然不需要所述托架20。所述工序腔室100，作为为了形成用于基板处理的密闭的内部空间的构成，根据基板处理工序可构成多种构成，并且如图1所示其可构成为可包括形成相互可拆卸地结合来形成内部空间S并且形成一个以上的闸门111的腔室本体110及顶盖120。在这里，由根据本技术的基板处理装置执行的基板处理工序最具代表性的为蚀刻工序，尤其是RIE (反应离子蚀刻)工序。这时，优选为所述工序腔室100的腔室本体110及顶盖120中至少一个为电气性接地。然后，在所述工序腔室100，设置从气体供应装置(未图示)接收来喷射到其内部空间S的处理气体的气体喷射部140，通过托架20来安装基板10的基板支撑架130，及用于调节内部空间S内的压力及排气的排气系统等，设置了用于执行真空处理工序的装置。所述基板支撑部130，作为以与工序腔室100电气性绝缘的状态来进行设置来被施加一个以上的RF电源，并且支撑安装一个以上的基板10的托架20的构成，可构成多种构成。另一方面，所述基板支撑部130，为了执行基板处理，在接地工序腔室100及喷头140时，可被施加一个或两个RF电源。所述基板支撑部130，可由多种构造来与腔室本体110结合，并且作为其一示例在腔室本体110的下侧向上侧与工序腔室100结合将内部空间S制造成与外部隔离的密封状??τ O这时，所述腔室本体110及基板支撑部130需要相互电气性绝缘，优选为在腔室本体I1及基板支撑部130结合面之间设置由绝缘物质本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基板处理装置，其特征在于，包括：工序腔室，形成密闭的内部空间并且所述工序腔室电气性接地；基板支撑部，以与所述工序腔室电气性绝缘的状态来进行设置并施加一个以上的RF电源，并且支撑安装一个以上的基板的托架；气体喷射部，设置在所述内部空间的上侧来喷射用于执行基板处理的气体；盖部，从所述基板支撑部间隔距离地覆盖所述一个以上的基板来进行配置，并且形成多个开口部以使由所述气体喷射部喷射的气体流入，并且所述盖部接地。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：严用铎，张锡弼，
申请(专利权)人：圆益IPS股份有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国;KR
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