本实用新型专利技术涉及一种高铜合金熔炼上引炉，包括炉架,炉架上设有炉体,炉体包括具有一定高度差的保温区和熔化区,保温区和熔化区的下方均安装有感应装置，感应装置位于炉架的底部；保温区和熔化区通过通道连通,通道的上方设有圆棒,当通道呈堵塞状态时,圆棒的端部位于通道内。本实用新型专利技术克服了因半连续方法生产时效率低下的缺陷，也克服了转炉法生产时由于高温铜液在转炉时容易吸氧，对铜基体的综合性能造成的不利影响，且结构简单、容易操作，生产效率高，且生产的高铜合金综合性能优异。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种金属熔炼设备，具体是涉及一种高铜合金熔炼上引炉。
技术介绍
高铜合金是指铜含量在96%_99.3%之间的铜合金，在铜基体中加入银、锡、镁等微量元素使之微合金化，不但可以使铜基体得到强化，而且对导电性或者耐腐蚀性改变不大，从而起到合金综合性能的作用。目前，高铜合金的熔炼一般采用半连续铸造的方法，即一炉一炉地配料熔化、铸造；高铜合金另外一种熔炼方法是采用转炉，即在熔化炉中将合金按照比例进行配料，成分均匀后再将其倒入保温炉内进行铸造。这两种方法都存在一些缺点，如半连续的方法不能连续生产，效率低下，转炉法则由于高温铜液在转炉时容易吸氧，对铜基体的综合性能有影响。有基于此，提出本技术。
技术实现思路
针对目前高铜合金熔炼过程存在的上述技术问题，本技术提供了一种高铜合金熔炼上引炉，采用在同一炉体内连续铸造的方法，生产效率高，且铜基体的综合性能好。为达到上述目的，本技术是通过以下技术方案实现的:—种高铜合金熔炼上引炉，包括炉架，所述的炉架上设有炉体，所述炉体包括具有一定高度差的保温区和熔化区，所述保温区和熔化区的下方均安装有感应装置，所述感应装置位于炉架的底部；所述保温区和熔化区通过通道连通，所述通道的上方设有圆棒，当通道呈堵塞状态时，所述圆棒的端部位于通道内。所述的通道为L型通道。所述L型通道的两端均设有扩展区，所述圆棒的端部为与扩展区相匹配的锥形。所述的圆棒可活动的安装在炉体上，相对炉体上下活动，所述圆棒向下运动时，锥形进入扩展区，将L型通道堵塞。所述的圆棒上安装有螺母，通过螺母将圆棒固定。所述熔化区和保温区的高度差为20-25cm。所述通道为高纯石墨通道，且所述通道的内孔尺寸为?30-35mm。所述的圆棒为碳化娃圆棒。所述的感应装置为电磁感应装置。所述的扩展区相匹配的锥形角度为45?60度。本技术的高铜合金熔炼上引炉具有以下有益效果:本技术的高铜合金熔炼上引炉，设置了熔化区和保温区，熔化区用于铜及其他原料的熔化，保温区进行上引铜杆，当熔化区的成分均匀时，将圆棒上升，使熔化区的铜液流入保温区，保证成分均匀的高铜合金连续正常生产，克服了因半连续方法生产时效率低下的缺陷，也克服了转炉法生产时由于高温铜液在转炉时容易吸氧，对铜基体的综合性能造成的不利影响。本技术的高铜合金熔炼上引炉结构简单、容易操作，生产效率高，且生产的高铜合金综合性能优异。【附图说明】图1为本技术的结构示意图；其中，I为炉架、2为炉体、3为感应装置、4为熔化区、5为保温区、6为L型通道、61为扩展区、7为圆棒、8为螺母。【具体实施方式】下面结合具体实施例对本技术作进一步的说明，但本技术的保护范围并不限于此。如图1所示，本技术的高铜合金熔炼上引炉，包括炉架1，炉架I上设有炉体2，炉体2包括具有一定高度差的保温区5和熔化区4，熔化区4用于铜及其他原料的熔化，保温区5进行上引铜杆，保温区5和熔化区4的下方均安装有感应装置，本实施例中的感应装置为电磁感应装置3，也可以根据需要选择其它种类的感应装置，感应装置位于炉架I的底部。本技术中的保温区5和熔化区4通过通道连通，本实施例中的通道为L型通道6，L型通道6的两端均设有扩展区61，L型通道6的上方设有圆棒7，圆棒7的端部为与扩展区61相匹配的锥形，即扩展区61中心与圆棒7的中心一致，圆棒7前端的锥形与L型通道6的扩展区61的角度一致，保证圆棒7可以与扩展区61匹配，起到连通和隔断熔化区4与保温区5的作用。圆棒7可活动的安装在炉体2上，相对炉体2上下活动，圆棒7上安装有螺母8，通过螺母8将圆棒7固定。圆棒7向下运动时，锥形进入扩展区61，将L型通道6堵塞，当熔化区4的成分均匀时，将圆棒7上升，使熔化区4和保温区5连通，熔化区4的铜液流入保温区5内，保证成分均匀的高铜合金连续正常生产。为使熔化区4的铜液流入保温区5内，本技术中的熔化区4和保温区5的高度差为20_25cm，如20 cm、21 cm、22 cm、23 cm、24 cm或25 cm均可。L型通道6为高纯石墨通道，L型通道6的内孔尺寸为Φ 30_35mm，如30 mm.31 mm、32 mm、33 mm.34 mm或35 mm均可。本技术中的扩展区61相匹配的锥形角度为45?60度。为提高高铜合金的综合性能，本技术中的圆棒7为碳化硅圆棒。本技术生产的高铜合金其成分波动范围为lOppm，氧含量小于5ppm。本技术的高铜合金熔炼上引炉，设置了熔化区4和保温区5，克服了因半连续方法生产时效率低下的缺陷，也克服了转炉法生产时由于高温铜液在转炉时容易吸氧，对铜基体的综合性能造成的不利影响。本技术的高铜合金熔炼上引炉结构简单、容易操作，生产效率高，且生产的高铜合金综合性能优异。上述实施例仅用于解释说明本技术的专利技术构思，而非对本技术权利保护的限定，凡利用此构思对本技术进行非实质性的改动，均应落入本技术的保护范围。【主权项】1.一种高铜合金熔炼上引炉，其特征在于:包括炉架，所述的炉架上设有炉体，所述炉体包括具有一定高度差的保温区和熔化区，所述保温区和熔化区的下方均安装有感应装置，所述感应装置位于炉架的底部；所述保温区和熔化区通过通道连通，所述通道的上方设有圆棒，当通道呈堵塞状态时，所述圆棒的端部位于通道内。2.如权利要求1所述的高铜合金熔炼上引炉，其特征在于:所述的通道为L型通道。3.如权利要求2所述的高铜合金熔炼上引炉，其特征在于:所述L型通道的两端均设有扩展区，所述圆棒的端部为与扩展区相匹配的锥形。4.如权利要求3所述的高铜合金熔炼上引炉，其特征在于:所述的圆棒可活动的安装在炉体上，相对炉体上下活动，所述圆棒向下运动时，锥形进入扩展区，将L型通道堵塞。5.如权利要求1所述的高铜合金熔炼上引炉，其特征在于:所述的圆棒上安装有螺母，通过螺母将圆棒固定。6.如权利要求1所述的高铜合金熔炼上引炉，其特征在于:所述熔化区和保温区的高度差为20-25cm。7.如权利要求1所述的高铜合金熔炼上引炉，其特征在于:所述通道为高纯石墨通道，且所述通道的内孔尺寸为?30-35mm。8.如权利要求1所述的高铜合金熔炼上引炉，其特征在于:所述的圆棒为碳化硅圆棒。9.如权利要求1所述的高铜合金熔炼上引炉，其特征在于:所述的感应装置为电磁感应装置。10.如权利要求3所述的高铜合金熔炼上引炉，其特征在于:所述的扩展区相匹配的锥形角度为45?60度。【专利摘要】本技术涉及一种高铜合金熔炼上引炉，包括炉架,炉架上设有炉体,炉体包括具有一定高度差的保温区和熔化区,保温区和熔化区的下方均安装有感应装置，感应装置位于炉架的底部；保温区和熔化区通过通道连通,通道的上方设有圆棒,当通道呈堵塞状态时,圆棒的端部位于通道内。本技术克服了因半连续方法生产时效率低下的缺陷，也克服了转炉法生产时由于高温铜液在转炉时容易吸氧，对铜基体的综合性能造成的不利影响，且结构简单、容易操作，生产效率高，且生产的高铜合金综合性能优异。【IPC分类】C22C9/00, C22C1/02【公开号】CN204898038【申请号】CN201520564251【专利技术人】徐高磊 【申请人】绍兴市力博电气有限公本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高铜合金熔炼上引炉，其特征在于：包括炉架,所述的炉架上设有炉体,所述炉体包括具有一定高度差的保温区和熔化区,所述保温区和熔化区的下方均安装有感应装置，所述感应装置位于炉架的底部；所述保温区和熔化区通过通道连通,所述通道的上方设有圆棒,当通道呈堵塞状态时,所述圆棒的端部位于通道内。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐高磊，
申请(专利权)人：绍兴市力博电气有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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