本实用新型专利技术涉及一种半导体元件的氧化装置，包括加热罐(1)、加工管道(2)和电热丝(3)，所述电热丝(3)设置在加热罐(1)的侧壁和上下外表面上，所述加工管道(2)设置在所述加热罐(1)的罐体内，所述加工管道(2)的管口与废气回收装置(4)相连。本实用新型专利技术提供的半导体元件的氧化装置与传统的装置相比，本实用新型专利技术提供的半导体元件的氧化装置设计了密闭的结构，保证了废气不会泄漏并且科学收集，生态环保。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种制造半导体器件的氧化设备或装置，尤其涉及一种半导体元件的氧化装置，属于半导体配件领域。
技术介绍
半导体是人类当代工业发展中不可或缺的材料，通常意义上讲，半导体是指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。半导体材料虽然种类繁多但有一些固有的特性，称为半导体材料的半导体材料特性参数。这些特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，而且更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下特性上的量的差别。常用的半导体材料的特性参数有:禁带宽度、电阻率、载流子迀移率(载流子即半导体中参加导电的电子和空穴)、非平衡载流子寿命、位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迀移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类晶体缺陷。位错密度可以用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度。当然，对于非晶态半导体是没有这一反映晶格完整性的特性参数的。20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的专利技术及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的专利技术，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路，深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式。由此可见，半导体材料在人类现代化工业生产中起着举足轻重的作用，而伴随着半导体材料进行的各种产品研发、应用、设计等都是科研人员孜孜以求的目标。伴随着半导体材料的发展，我们认为可以有更多的应用和推广。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，解决好现有技术的问题，弥补现有目前市场上现有产品的不足。本技术提供了一种半导体元件的氧化装置，包括加热罐、加工管道和电热丝，所述电热丝设置在加热罐的侧壁和上下外表面上，加工管道设置在所述加热罐的罐体内，所述加工管道的管口与废气回收装置相连。优选的，上述加热罐内还设置有温度传感器。优选的，上述加热罐外设置有壳体，所述壳体的外表面涂覆有绝热材料层。优选的，上述加工管道的管口与所述废气回收装置的连接处设置有密封条。优选的，上述壳体与加热罐之间填充有保温材料。优选的，上述壳体的底部设置有基座，所述加热罐固定在基座上。本技术提供的半导体元件的氧化装置与传统的装置相比，本技术提供的半导体元件的氧化装置设计了密闭的结构，保证了废气不会泄漏并且科学收集，生态环保。【附图说明】图1为本技术结构示意图。图中标记:1_加热罐；2_加工管道；3_电热丝；4_废气回收装置；5_温度传感器；6-壳体；7_基座。【具体实施方式】为了便于本领域普通技术人员理解和实施本技术，下面结合附图及【具体实施方式】对本技术作进一步的详细描述。如图1所示为本技术的半导体元件的氧化装置结构示意图，主体包括加热罐1、加工管道2和电热丝3。其中，所述电热丝3设置在加热罐I的侧壁和上下外表面上，所述加工管道2设置在所述加热罐I的罐体内，所述加工管道2的管口与废气回收装置4相连。为了监测内部的温度，在加热罐I内还设置有温度传感器5。从保护罐内内部元件的考虑出发，加热罐I外设置有壳体6，所述壳体6的外表面涂覆有绝热材料层。此外，在加工管道2的管口与废气回收装置4的连接处设置有密封条以防止气体泄漏。壳体6与加热罐I之间填充有保温材料。壳体6的底部设置有基座7，所述加热罐I固定在基座7上。本技术提供的半导体元件的氧化装置与传统的装置相比，本技术提供的半导体元件的氧化装置设计了密闭的结构，保证了废气不会泄漏并且科学收集，生态环保。以上所述之【具体实施方式】为本技术的较佳实施方式，并非以此限定本技术的具体实施范围，本技术的范围包括并不限于本【具体实施方式】，凡依照本技术之形状、结构所作的等效变化均在本技术的保护范围内。【主权项】1.一种半导体元件的氧化装置，包括加热罐(I)、加工管道(2)和电热丝(3)，所述电热丝⑶设置在加热罐⑴的侧壁和上下外表面上，其特征在于，所述加工管道⑵设置在所述加热罐(I)的罐体内，所述加工管道(2)的管口与废气回收装置(4)相连。2.根据权利要求1所述的半导体元件的氧化装置，其特征在于，所述加热罐(I)内还设置有温度传感器(5)。3.根据权利要求2所述的半导体元件的氧化装置，其特征在于，所述加热罐(I)外设置有壳体(6)，所述壳体(6)的外表面涂覆有绝热材料层。4.根据权利要求3所述的半导体元件的氧化装置，其特征在于，所述加工管道(2)的管口与所述废气回收装置(4)的连接处设置有密封条。5.根据权利要求4所述的半导体元件的氧化装置，其特征在于，所述壳体(6)与加热罐(I)之间填充有保温材料。6.根据权利要求5所述的半导体元件的氧化装置，其特征在于，所述壳体(6)的底部设置有基座(7)，所述加热罐(I)固定在基座(7)上。【专利摘要】本技术涉及一种半导体元件的氧化装置，包括加热罐(1)、加工管道(2)和电热丝(3)，所述电热丝(3)设置在加热罐(1)的侧壁和上下外表面上，所述加工管道(2)设置在所述加热罐(1)的罐体内，所述加工管道(2)的管口与废气回收装置(4)相连。本技术提供的半导体元件的氧化装置与传统的装置相比，本技术提供的半导体元件的氧化装置设计了密闭的结构，保证了废气不会泄漏并且科学收集，生态环保。【IPC分类】H01L21/67【公开号】CN204809196【申请号】CN201520410448【专利技术人】陈灵燕 【申请人】陈灵燕【公开日】2015年11月25日【申请日】2015年6月8日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体元件的氧化装置，包括加热罐(1)、加工管道(2)和电热丝(3)，所述电热丝(3)设置在加热罐(1)的侧壁和上下外表面上，其特征在于，所述加工管道(2)设置在所述加热罐(1)的罐体内，所述加工管道(2)的管口与废气回收装置(4)相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈灵燕，
申请(专利权)人：陈灵燕，
类型：新型
国别省市：福建;35
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