本发明专利技术公开了单杆多级绕射无源单控变阻尼磁流变阻尼器，属于变阻尼磁流变液仪器领域。它包括流变液缸体、装设于流变液缸体左端的左端盖模块、装设于流变液缸体右端的右端盖模块、装设于流变液缸体内部磁铁绕射活塞模块；流变液缸体为空心圆柱体；磁铁绕射活塞模块包括绕射活塞、一端设有绕射活塞另一端通过密封装置和直线轴承并伸到流变液缸体外部的活塞杆、装设于绕射活塞左侧凹槽内的活塞磁铁、活塞保护层；绕射活塞上设有一道连通的绕射孔，绕射孔的一端入口直径较大，为工作间隙大口，另一端入口直径较小，为工作间隙小口。本发明专利技术是一种结构简单、具有渐变工作间隙和零耗能特点的磁流变阻尼器。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及变阻尼磁流变液仪器领域，特指一种单杆多级绕射无源单控变阻尼磁流变阻尼器。
技术介绍
磁流变阻尼器具有体积小、响应快、阻尼力可调等特点，广泛应用于汽车、桥梁、建筑等结构减振控制领域。现有技术的磁流变阻尼器是利用励磁线圈产生的磁场改变在恒定工作间隙中流动的磁流变液的剪切屈服强度，实现阻尼力的控制。虽然现有技术的磁流变阻尼器实现了变阻尼，但仍存在着一定的缺陷:(I)恒定的工作间隙使得阻尼力调节范围有限；(2)励磁线圈使得阻尼器结构、耗能多。
技术实现思路
本专利技术需解决的技术问题是:针对现有技术存在的技术问题，本专利技术提供一种结构简单、具有渐变工作间隙和零耗能特点的磁流变阻尼器。为了解决上述问题，本专利技术提出的解决方案为:单杆多级绕射无源单控变阻尼磁流变阻尼器，它包括流变液缸体、装设于所述流变液缸体左端的左端盖模块、装设于所述流变液缸体右端的右端盖模块、装设于所述流变液缸体内部磁铁绕射活塞模块；所述流变液缸体为空心圆柱体；所述左端盖模块包括左端盖本体、装设于所述左端盖本体上的端盖磁铁、装设于所述端盖磁铁上的端盖保护层；所述右端盖模块包括右端盖本体、设有右端盖本体上的轴承孔、装设于所述轴承孔内的直线轴承、密封所述轴承孔的密封装置。本专利技术的所述磁铁绕射活塞模块包括绕射活塞、一端设有所述绕射活塞另一端通过所述密封装置和所述直线轴承并伸到所述流变液缸体外部的活塞杆、装设于所述绕射活塞左侧凹槽内的活塞磁铁、装设于所述活塞磁铁上的活塞保护层；所述绕射活塞上设有一道连通的绕射孔，所述绕射孔的一端入口直径较大，为工作间隙大口，另一端入口直径较小，为工作间隙小口。本专利技术的所述工作间隙大口与所述流变液左室相通，所述工作间隙小口与所述流变液右室相通；所述绕射活塞的直径等于所述流变液缸体的内径；所述绕射孔为内径线性变化的蛇形通道；所述磁铁活塞模块将所述流变液缸体的内部空间分割为流变液左室和流变液右室；所述流变液左室充满磁流变液，处于磁场中。与现有技术相比，本专利技术的优点在于:本专利技术的单杆多级绕射无源单控变阻尼磁流变阻尼器设有端盖磁铁和活塞磁铁，磁场强度的改变依靠于绕射活塞的位置；本专利技术的绕射活塞上设有绕射孔，绕射孔为内径渐变的蛇形弯曲的通道，磁流变液在里面流动时，阻尼力随绕射活塞的位置不同而改变。由此可知，本专利技术简单合理、具有渐变工作间隙和零耗能特点，拓宽了阻尼力调节范围，节约了电能。【附图说明】图1是本专利技术的单杆多级绕射无源单控变阻尼磁流变阻尼器的结构原理示意图。图2是本专利技术的磁铁绕射活塞模块的结构示意图。图中，I一流变液缸体；2—左端盖模块；21—左端盖本体；22—端盖磁铁；23—端盖保护层；3—右端盖模块；31—右端盖本体；32—密封装置；33—轴承孔；34—直线轴承；4一磁铁绕射活塞模块；41 一绕射活塞；42—活塞杆；43—活塞磁铁；44一活塞保护层；45—绕射孔；451—工作间隙大口 ；452—工作间隙小口 ；51—流变液左室；52—流变液右室。【具体实施方式】以下将结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。参见图1所示，本专利技术的单杆多级绕射无源单控变阻尼磁流变阻尼器，包括流变液缸体1、装设于流变液缸体I左端的左端盖模块2、装设于流变液缸体I右端的右端盖模块3、装设于流变液缸体I内部磁铁绕射活塞模块4 ;流变液缸体I为空心圆柱体；左端盖模块2包括左端盖本体21、装设于左端盖本体21上的端盖磁铁22、装设于端盖磁铁22上的端盖保护层23。参见图1和图2所示，右端盖模块3包括右端盖本体31、设有右端盖本体31上的轴承孔33、装设于轴承孔33内的直线轴承34、密封轴承孔33的密封装置32 ;磁铁绕射活塞模块4包括绕射活塞41、一端设有绕射活塞41另一端通过密封装置32和直线轴承34并伸到流变液缸体I外部的活塞杆42、装设于绕射活塞41左侧凹槽内的活塞磁铁43、装设于活塞磁铁43上的活塞保护层44。绕射活塞41上设有一道连通的绕射孔45，绕射孔45的一端入口直径较大，为工作间隙大口 451，另一端入口直径较小，为工作间隙小口 452 ;工作间隙大口 451与流变液左室51相通，工作间隙小口 452与流变液右室52相通；绕射活塞41的直径等于流变液缸体I的内径；绕射孔45为内径线性变化的蛇形通道；磁铁活塞模块4将流变液缸体I的内部空间分割为流变液左室51和流变液右室52 ;流变液左室51充满磁流变液，处于磁场中。【主权项】1.单杆多级绕射无源单控变阻尼磁流变阻尼器，其特征在于:包括流变液缸体(1)、装设于所述流变液缸体(I)左端的左端盖模块(2)、装设于所述流变液缸体(I)右端的右端盖模块(3)、装设于所述流变液缸体(I)内部磁铁绕射活塞模块(4);所述流变液缸体(I)为空心圆柱体；所述左端盖模块(2)包括左端盖本体(21)、装设于所述左端盖本体(21)上的端盖磁铁(22)、装设于所述端盖磁铁(22)上的端盖保护层(23);所述右端盖模块(3)包括右端盖本体(31)、设有右端盖本体(31)上的轴承孔(33)、装设于所述轴承孔(33)内的直线轴承(34)、密封所述轴承孔(33)的密封装置(32);所述磁铁绕射活塞模块(4)包括绕射活塞(41)、一端设有所述绕射活塞(41)另一端通过所述密封装置(32)和所述直线轴承(34)并伸到所述流变液缸体(I)外部的活塞杆(42)、装设于所述绕射活塞(41)左侧凹槽内的活塞磁铁(43)、装设于所述活塞磁铁(43)上的活塞保护层(44);所述绕射活塞(41)上设有一道连通的绕射孔(45)，所述绕射孔(45)的一端入口直径较大，为工作间隙大口(451)，另一端入口直径较小，为工作间隙小口(452);所述工作间隙大口(451)与所述流变液左室(51)相通，所述工作间隙小口(452)与所述流变液右室(52)相通；所述绕射活塞(41)的直径等于所述流变液缸体(I)的内径；所述绕射孔(45)为内径线性变化的蛇形通道；所述磁铁活塞模块(4)将所述流变液缸体(I)的内部空间分割为流变液左室(51)和流变液右室(52);所述流变液左室(51)充满磁流变液，处于磁场中。【专利摘要】本专利技术公开了单杆多级绕射无源单控变阻尼磁流变阻尼器，属于变阻尼磁流变液仪器领域。它包括流变液缸体、装设于流变液缸体左端的左端盖模块、装设于流变液缸体右端的右端盖模块、装设于流变液缸体内部磁铁绕射活塞模块；流变液缸体为空心圆柱体；磁铁绕射活塞模块包括绕射活塞、一端设有绕射活塞另一端通过密封装置和直线轴承并伸到流变液缸体外部的活塞杆、装设于绕射活塞左侧凹槽内的活塞磁铁、活塞保护层；绕射活塞上设有一道连通的绕射孔，绕射孔的一端入口直径较大，为工作间隙大口，另一端入口直径较小，为工作间隙小口。本专利技术是一种结构简单、具有渐变工作间隙和零耗能特点的磁流变阻尼器。【IPC分类】F16F9/32, F16F9/34, F16F9/53【公开号】CN105156557【申请号】CN201510427394【专利技术人】班书昊, 李晓艳, 蒋学东, 华同曙, 席仁强, 谭邹卿 【申请人】常州大学【公开日】2015年12月16日【申请日】2015年7月20日本文档来自技高网...
【技术保护点】
单杆多级绕射无源单控变阻尼磁流变阻尼器，其特征在于：包括流变液缸体(1)、装设于所述流变液缸体(1)左端的左端盖模块(2)、装设于所述流变液缸体(1)右端的右端盖模块(3)、装设于所述流变液缸体(1)内部磁铁绕射活塞模块(4)；所述流变液缸体(1)为空心圆柱体；所述左端盖模块(2)包括左端盖本体(21)、装设于所述左端盖本体(21)上的端盖磁铁(22)、装设于所述端盖磁铁(22)上的端盖保护层(23)；所述右端盖模块(3)包括右端盖本体(31)、设有右端盖本体(31)上的轴承孔(33)、装设于所述轴承孔(33)内的直线轴承(34)、密封所述轴承孔(33)的密封装置(32)；所述磁铁绕射活塞模块(4)包括绕射活塞(41)、一端设有所述绕射活塞(41)另一端通过所述密封装置(32)和所述直线轴承(34)并伸到所述流变液缸体(1)外部的活塞杆(42)、装设于所述绕射活塞(41)左侧凹槽内的活塞磁铁(43)、装设于所述活塞磁铁(43)上的活塞保护层(44)；所述绕射活塞(41)上设有一道连通的绕射孔(45)，所述绕射孔(45)的一端入口直径较大，为工作间隙大口(451)，另一端入口直径较小，为工作间隙小口(452)；所述工作间隙大口(451)与所述流变液左室(51)相通，所述工作间隙小口(452)与所述流变液右室(52)相通；所述绕射活塞(41)的直径等于所述流变液缸体(1)的内径；所述绕射孔(45)为内径线性变化的蛇形通道；所述磁铁活塞模块(4)将所述流变液缸体(1)的内部空间分割为流变液左室(51)和流变液右室(52)；所述流变液左室(51)充满磁流变液，处于磁场中。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：班书昊，李晓艳，蒋学东，华同曙，席仁强，谭邹卿，
申请(专利权)人：常州大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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