一种突波吸收电路用薄膜电容器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种突波吸收电路用薄膜电容器，包括电容芯子、喷金层、电极引出线、内包环氧树脂层以及外包阻燃环氧粉末层；喷金层固定连接在电容芯子的端面，电极引出线熔接在喷金层上；电容芯子包括内芯、外芯以及位于内芯和外芯之间的聚丙烯光膜；内芯包括聚酯基膜，内芯的聚酯基膜的上下两侧均镀有两相邻间隔分布的纯铝金属层；外芯包括聚酯基膜以及镀于聚酯基膜的中部上方的纯铝金属层，所述外芯的纯铝金属层还位于所述聚丙烯光膜的下方；内芯、聚丙烯光膜以及外芯依次叠放并卷绕形成电性串联结构的电容芯子。本实用新型专利技术的结构简单，工作性能稳定，且能承受较高电压。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种突波吸收电路用薄膜电容器。
技术介绍
目前现有的薄膜电容器在突波吸收场合的工作稳定性不高，从而其使用寿命相应地受到影响。尤其是薄膜电容器不能够满足突波吸收电路中的大电流的通过，同时也并不能在电压较高的场合正常工作，这就大的限制了薄膜电容器在突波吸收电路中的应用。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术的目的旨在于提供一种结构简单，工作性能稳定，且能承受较高电压的突波吸收电路用薄膜电容器。为实现上述目的，本技术采用如下技术方案:—种突波吸收电路用薄膜电容器，包括电容芯子、喷金层、电极引出线、内包环氧树脂层以及外包阻燃环氧粉末层；所述喷金层固定连接在所述电容芯子的端面，所述电极引出线熔接在喷金层上，所述内包环氧树脂层包覆在整个电容芯子外，所述外包阻燃环氧粉末层包覆在整个内包环氧树脂层外；所述电容芯子包括内芯、外芯以及位于内芯和外芯之间的聚丙烯光膜；所述内芯包括聚酯基膜，所述内芯的聚酯基膜的上下两侧均镀有两相邻间隔分布的纯铝金属层；所述外芯包括聚酯基膜以及镀于所述聚酯基膜的中部上方的纯铝金属层，所述外芯的纯铝金属层还位于所述聚丙烯光膜的下方；所述内芯、聚丙烯光膜以及外芯依次叠放并卷绕形成电性串联结构的电容芯子。本技术的有益效果如下:该薄膜电容器结构简单，工作性能稳定，且能承受较高电压。同时，其还具有能满足突波吸收电路中的大电流的特点。再者，金属化薄膜的耐压值更高，电极有效面积更大，能有效缩小电容器的尺寸，以实现小型化。【附图说明】图1为本技术突波吸收电路用薄膜电容器的较佳实施方式的结构图。图2为本技术突波吸收电路用薄膜电容器中电容芯片的较佳实施方式的剖面图。【具体实施方式】下面将结合附图以及【具体实施方式】，对本技术做进一步描述:请参见图1和图2，本技术涉及一种突波吸收电路用薄膜电容器，其较佳实施方式包括电容芯子1、喷金层2、电极引出线3、内包环氧树脂层4以及外包阻燃环氧粉末层5 ;喷金层2固定连接在电容芯子I的端面，电极引出线3熔接在喷金层2上，内包环氧树脂层4包覆在整个电容芯子I外，外包阻燃环氧粉末层5包覆在整个内包环氧树脂层4外。其中，内包环氧树脂层4以及外包阻燃环氧粉末层5均起到密封及防护作用。电容芯子I包括内芯、外芯9以及位于内芯和外芯之间的聚丙烯光膜8 ;内芯包括聚酯基膜7，内芯的聚酯基膜7的上下两侧均镀有两相邻间隔分布的纯铝金属层6 ;外芯9包括聚酯基膜7以及镀于聚酯基膜7的中部上方的纯铝金属层6，外芯9的纯铝金属层6还位于聚丙烯光膜8的下方；内芯、聚丙烯光膜8以及外芯9依次叠放并卷绕形成电性串联结构的电容芯子。这里的聚丙烯光膜为高温型聚丙烯光膜。其中，电容芯子I采用了金属蒸镀工艺，并利用并联分流原理，使得电容芯子I的端面过电流能力比普通的电容芯子提升一倍，更提升产品dv/dt值，满足突波吸收电路大电流的特点。而且电容芯子I采用的金属化薄膜结构中，内芯的聚酯基膜的上下两侧均镀有两间隔分布的纯铝金属层，从而利用了串联分压原理以及金属化特有的自愈特性，使得电容器可工作自更高的电压场合，即其承受的过压能力更高。再者，电容芯子的金属化薄膜结构的耐压值更高，可以采用相对较薄的材料进行设计，同时也使得电容芯子的电极的有效面积更大，可有效缩小产品尺寸，以实现小型化方案。对于本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及变形，而所有的这些改变以及变形都应该属于本技术权利要求的保护范围之内。【主权项】1.一种突波吸收电路用薄膜电容器，其特征在于，包括电容芯子、喷金层、电极引出线、内包环氧树脂层以及外包阻燃环氧粉末层；所述喷金层固定连接在所述电容芯子的端面，所述电极引出线熔接在喷金层上，所述内包环氧树脂层包覆在整个电容芯子外，所述外包阻燃环氧粉末层包覆在整个内包环氧树脂层外；所述电容芯子包括内芯、外芯以及位于内芯和外芯之间的聚丙烯光膜；所述内芯包括聚酯基膜，所述内芯的聚酯基膜的上下两侧均镀有两相邻间隔分布的纯铝金属层；所述外芯包括聚酯基膜以及镀于所述聚酯基膜的中部上方的纯铝金属层，所述外芯的纯铝金属层还位于所述聚丙烯光膜的下方；所述内芯、聚丙烯光膜以及外芯依次叠放并卷绕形成电性串联结构的电容芯子。【专利摘要】本技术涉及一种突波吸收电路用薄膜电容器，包括电容芯子、喷金层、电极引出线、内包环氧树脂层以及外包阻燃环氧粉末层；喷金层固定连接在电容芯子的端面，电极引出线熔接在喷金层上；电容芯子包括内芯、外芯以及位于内芯和外芯之间的聚丙烯光膜；内芯包括聚酯基膜，内芯的聚酯基膜的上下两侧均镀有两相邻间隔分布的纯铝金属层；外芯包括聚酯基膜以及镀于聚酯基膜的中部上方的纯铝金属层，所述外芯的纯铝金属层还位于所述聚丙烯光膜的下方；内芯、聚丙烯光膜以及外芯依次叠放并卷绕形成电性串联结构的电容芯子。本技术的结构简单，工作性能稳定，且能承受较高电压。【IPC分类】H01G4/33【公开号】CN204857463【申请号】CN201520619914【专利技术人】陶文涛 【申请人】东莞市纬迪实业有限公司【公开日】2015年12月9日【申请日】2015年8月17日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种突波吸收电路用薄膜电容器，其特征在于，包括电容芯子、喷金层、电极引出线、内包环氧树脂层以及外包阻燃环氧粉末层；所述喷金层固定连接在所述电容芯子的端面，所述电极引出线熔接在喷金层上，所述内包环氧树脂层包覆在整个电容芯子外，所述外包阻燃环氧粉末层包覆在整个内包环氧树脂层外；所述电容芯子包括内芯、外芯以及位于内芯和外芯之间的聚丙烯光膜；所述内芯包括聚酯基膜，所述内芯的聚酯基膜的上下两侧均镀有两相邻间隔分布的纯铝金属层；所述外芯包括聚酯基膜以及镀于所述聚酯基膜的中部上方的纯铝金属层，所述外芯的纯铝金属层还位于所述聚丙烯光膜的下方；所述内芯、聚丙烯光膜以及外芯依次叠放并卷绕形成电性串联结构的电容芯子。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陶文涛，
申请(专利权)人：东莞市纬迪实业有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44