【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体致冷件生产
的设备，特别是涉及拉晶炉。
技术介绍
晶粒是制造半导体致冷件的部件，晶粒的主要成分是三碲化二铋，作为制造致冷件的晶粒要求其分子排列整齐，晶粒里面的分子排列越整齐，致冷件的效率就越高。晶粒是由晶棒切割而成的，这就要求晶棒里面的分子排列是整齐的。制造晶棒时，对其里面的分子进行排列的过程就是拉晶，拉晶是在拉晶炉中进行的，原料盛装在拉晶管中进行拉晶，拉晶炉具有炉腔，现有技术中，拉晶炉的炉腔没有通入氩气的装置，拉晶的过程就是在有氧气的环境中进行的，这样的拉晶炉具有生产出的产品有氧化现象，影响了广品质量。
技术实现思路
本技术的目的就是针对上述缺点，提供一种拉晶效果好、拉晶产品质量高的拉晶炉一一炉腔填充氩气的拉晶炉。本技术的技术方案是这样实现的:炉腔填充氩气的拉晶炉，包括炉体，炉体具有炉腔，在炉腔内具有安装拉晶管的卡座，所述的炉腔内还有拉晶套，拉晶套是对产品进行拉晶的部件，其特征是:所述的炉体外面还有一个氩气仓和氩气输送装置，氩气仓连通氩气输送装置，氩气输送装置用管道连通炉腔。进一步地讲，所述的管道中间还有增压装置。进一步地讲，所述的炉腔后面还连通有氩气回收装置，回收装置连接氩气仓。本技术的有益效果是:这样的拉晶炉具有拉晶效果好、拉晶产品质量高的优点；所述的管道中间还有增压装置，还具有拉晶在高压下工作效果更好的优点；所述的炉腔后面还连通有氩气回收装置，回收装置连接氩气仓，还具有节省氩气，降低生产成本的优点。【附图说明】图1是本技术的结构示意图。其中:1、炉体 2、炉腔 3、卡座 4、拉晶套 5、氩气仓 6、氩气输送装置7、管...
【技术保护点】
炉腔填充氩气的拉晶炉，包括炉体，炉体具有炉腔，在炉腔内具有安装拉晶管的卡座，所述的炉腔内还有拉晶套，拉晶套是对产品进行拉晶的部件，其特征是：所述的炉体外面还有一个氩气仓和氩气输送装置，氩气仓连通氩气输送装置，氩气输送装置用管道连通炉腔。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈磊，刘栓红，赵丽萍，张文涛，蔡水占，郭晶晶，张会超，陈永平，王东胜，惠小青，辛世明，田红丽，
申请(专利权)人：河南鸿昌电子有限公司，
类型：新型
国别省市：河南;41
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