【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉副室氩气填充喷头
本技术涉及单晶棒加工
,尤其是一种单晶炉副室氩气填充喷头。
技术介绍
单晶生长炉在生产拉制单晶硅棒的过程中,由于有真空泵的连接,炉内一直处于负压状态,而且内部需要持续填充氩气,填充氩气的位置在单晶炉副室的顶部,现有的氩气填充装置,只有一个出气口,是沿单晶炉提拉头的方向,竖直向下充气,填充效果不佳,而且不均匀。所以,如何提供一种单晶炉副室氩气填充喷头,解决现有技术中氩气填充不均匀的缺陷,是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此,本技术提供了一种单晶炉副室氩气填充喷头,解决现有技术中存在的缺陷,具体方案如下:一种单晶炉副室氩气填充喷头,包括喷头主体,所述喷头主体中部具有与单晶炉提拉头配合的通孔,所述喷头主体的上部设有进气管接头、所述喷头主体的内部设有气道,所述喷头主体的下部设有若干个出气孔,所述进气管接头与所述气道连通,所述出气孔也与所述气道连通。具体的,所述喷头主体、所述进气管接头、所述出气孔为一体成型的不锈钢材质,所述气道为环形。具体的,所述出气孔有8个,均匀分布在所述喷头主体的下部。具体的,所述进气管接头有两个,对称分布在所述喷头主体的上部。具体的,所述进气管接头有四个,对称分布在所述喷头主体的上部。具体的,所述喷头主体的厚度为20mm,所述出气孔凸出所述喷头主体外的长度为2mm。具体的,出气孔为喇叭口形状,所述出气孔的大口朝向单晶炉副室。本技术与现有技术相比,具有的优点是:可以更加均匀的填充氩气,让炉内气体的循环更加顺畅,提高拉制单晶硅棒的质量和生产效率。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中 ...
【技术保护点】
一种单晶炉副室氩气填充喷头,其特征在于:包括喷头主体,所述喷头主体中部具有与单晶炉提拉头配合的通孔,所述喷头主体的上部设有进气管接头、所述喷头主体的内部设有气道,所述喷头主体的下部设有若干个出气孔,所述进气管接头与所述气道连通,所述出气孔也与所述气道连通。
【技术特征摘要】
1.一种单晶炉副室氩气填充喷头,其特征在于:包括喷头主体,所述喷头主体中部具有与单晶炉提拉头配合的通孔,所述喷头主体的上部设有进气管接头、所述喷头主体的内部设有气道,所述喷头主体的下部设有若干个出气孔,所述进气管接头与所述气道连通,所述出气孔也与所述气道连通。2.根据权利要求1所述的单晶炉副室氩气填充喷头,其特征在于:所述喷头主体、所述进气管接头、所述出气孔为一体成型的不锈钢材质,所述气道为环形。3.根据权利要求2所述的单晶炉副室氩气填充喷头,其特征在于:所述出气孔有8个,均匀分布在所述喷...
【专利技术属性】
技术研发人员:张刚,
申请(专利权)人:保定爱廸新能源股份有限公司,英利能源中国有限公司,
类型:新型
国别省市:河北,13
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