溅射靶用材料制造技术

本发明专利技术的目的在于，提供一种可以调节溅射速率的溅射靶用材料。关于溅射靶用材料，被溅射的面的结晶组织的纵横比为3以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及溅射靶用材料，更具体地说，涉及含有钼的溅射靶用材料。
技术介绍
目前，溅射靶用材料在（例如）特开2000-45066号公报（专利文献1 )、特开 2007-113033号公报（专利文献2)、特开2013-32597号公报（专利文献3)、专利4945037 号公报（专利文献4)、特开2000-234167号公报（专利文献5)、特开2013-154403号公报 (专利文献6)、特表2010-535943号公报（专利文献7)及特开2014-12893号公报（专利 文献8)中被公开。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2000-45066号公报 专利文献2 :日本特开2007-113033号公报 专利文献3 :日本特开2013-32597号公报 专利文献4 :日本专利4945037号公报 专利文献5 :日本特开2000-234167号公报 专利文献6 :日本特开2013-154403号公报 专利文献7 :日本特表2010-535943号公报 专利文献8 :日本特开2014-12893号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题 专利文献1中公开了一种异常放电及微粒的产生少的钼系靶。另外，公开了这样 的专利技术：其涉及即使晶粒微细化，微粒产生也少的钼系靶。 专利文献2中公开了在钼加压烧结后进行塑性加工。公开了 ：规定（110)面的相 对强度，Mo粉末的加压烧结、相对密度提高，且机械特性得以提高。 专利文献3中公开了使用冷喷法的Al、Cu、Ti、Ni、Cr、Co及Ta的溅射靶。 专利文献4中公开了钨靶。 专利文献5中公开了钼靶。公开了引起再结晶的组织抑制了击穿的发生。 专利文献6中公开了通过倾斜压延而制造溅射靶的技术。斜压延是必要的，在bcc 金属的< 110 > //ND的15°内取向的bcc金属的每单位体积的粒子的比率超过20. 4%。 专利文献7及8中公开了 bcc金属中的相对于板厚方向的100组织及111组织的 均匀性得以改善了的溅射用靶。 专利文献6-8公开了 bcc金属，对于高熔点金属，为了得到组织的均匀性，实施利 用特殊加工法即倾斜压延法的加工。该倾斜压延法可以应用于加工性好的金属。在本专利 文献中，作为bcc金属，也有关于加工性比较好的Ta、Nb的记载，但是对高恪点金属中加工 性特别差的W及Mo并没有描述。实际上，将倾斜压延法用于W、Mo时，由于容许应变小，会 产生层状裂纹而不能加工。 在现有技术中，关于调节溅射速率，均没有任何公开或教导。 本专利技术的目的在于，提供一种可调节溅射速率的溅射靶用材料。 本专利技术的一个方式所述的溅射靶用材料，被溅射的面的结晶组织的纵横比为3以 上。 专利技术效果 能够提供可调节溅射速率的溅射靶用材料。 附图简要说明 图1是将按照实施例（条件A)所制造的TD面放大后显示的图； 图2是将按照比较例（条件B)所制造的TD面放大后显示的图； 图3是表示钼粉末（Fsss费氏法：粒径5 μ m)中的XRD结果的图。【具体实施方式】(本专利技术的实施方式的说明） 首先，列举本专利技术的实施方式进行说明。 本专利技术的一个方式所述的溅射靶用材料，被溅射的面的结晶组织的纵横比为3以 上。 到目前为止存在的体心立方结构的钼板状靶，不能进行溅射速率的控制。通过进 行结晶组织的控制，可以得到靶的消耗少的钼靶。因溅射引起的消耗少时，可以延长靶寿 命。另外，针对近年来的薄膜化的要求，也要提高膜厚控制性。即，适于需要溅射速率高的 情况以外的用途。 作为现有方法，有烧结体靶以及热处理靶等不进行方位控制，而是以在随机方位 加快溅射速率为目的的技术。另外，有通过进行一定程度的组织控制，稍稍延缓溅射速率的 技术，但本专利技术的目的在于，通过控制加工应变的残留而提供溅射速率低的材料。 这是因为，作为最近的主要用途即Al配线的防扩散用的势皇金属，用薄的阻挡层 发挥了充分的效果。针对该薄膜化的要求，通过降低溅射速率，实现膜厚控制性及均匀性的 提尚。 通过将被溅射的面的结晶组织的纵横比设为3以上，可以使溅射速率为400nm/h 以下，由此，可以得到具有长的靶寿命的溅射靶。 优选的是，溅射靶用材料含有钼。 优选的是，溅射靶用材料由钼构成。 优选的是，如果被溅射的面即TD面（与压延方向平行的板断面）的纵横比为3以 上，则溅射速率为400nm/h以下。需要说明的是，这时板厚方向的平均粒径为50 μπι以下。 优选的是，被溅射的面的维氏硬度为Ην200以上。如果硬度为Ην200以上，则溅射 速率为400nm/h以下。 优选的是，溅射靶材料通过对钼粉末进行烧结来制造，钼粉末的纯度为4N(99. 99 质量％ )以上。 (本专利技术实施方式的详细情况） 以下参照附图来说明根据本专利技术实施方式的具体例子。需要说明的是，本专利技术不 限于这些例示，而是由权利要求书的范围来表示，意图包含与权利要求书的范围相等的意 思及范围内的所有变化。 (实施例） (1)制造方法 使用由Fsss费氏法测定的粒径为1~20 μ m的钼粉末，在压力150~300MPa的 条件下使用橡胶袋对粉末进行静水压压制。之后在氢气气流中于1500°C以上的温度下烧结 压制成型体，得到钼烧结体（比重9. 7g/cm3)。 烧结体的热间压延加工使用2段压延机依照下面的要点进行。以压延后的板厚为 24mm的方式进行加工率76%的1次热间压延。为了防止热间压延中的高温加热引起的钼 晶粒的再结晶粗大化，初期热间压延的炉内加热温度控制在1400°C以下。 接着，使用切断机将初期热间压延后的压延板一分为二，将一个设定为用于实施 实施例的压延孔型配置的压延板（条件A)，将另一个设定为用于实施通常压延孔型配置的 比较例的压延板（条件B)，实施热间压延。 关于条件A，在温度900_1150°C氢气氛围加热炉中，使压延板达到均匀温度后，通 过4道次得到总体的压延率为37. 5%、板厚15_的实施例的压延板。 关于条件B，在温度1150-1300°C氢气氛围加热炉中，使压延板达到均匀温度后， 通过5道次得到总体的压延率为37. 5 %、板厚15_的比较例的压延板。条件A及B后半程 的热间压延的加工率均为37. 5%，来自烧结体的总压延率为85%，相对密度为99. 9%。 据认为条件A中残留应变量多，在为了取样而进行的切断工序中产生裂纹的可能 性高，在不会产生再结晶现象的温度600-1000°C氢加热炉中实施了 15分钟的去应变退火。 对于条件B，在1000-1300°C下进行了 60-120分钟热处理。 (2)组织观察 图1是将按照实施例（条件A)制造的TD面放大而显示的图。图1示出实施例 的条件A的TD面的金属组织。保持着与压延方向平行的方向（X方向：纵向）的尺寸为 80μπ?~300 μπ?左右、垂直的方向（Y方向：厚度方向）的尺寸为30μπ?~100μL?左右的 所谓as-rolled(乳制状态）的纤维状组织。 图2是将按照比较例（条件B)制造的TD面放大而显示的图。像通常一样，热处 理后的比较例的条件B呈现出与压延方向平行的方向（X方向：纵向）的尺寸为100 μπι~ 150 μπι左右、垂直的方向（Υ方向：厚度方向）的尺寸为50 μπι~100 μπι本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溅射靶用材料，被溅射的面的结晶组织的纵横比为3以上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小林宜敬，加藤昌宏，深谷芳竹，
申请(专利权)人：联合材料公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP