半导体发光装置及其制造方法制造方法及图纸

实施方式提供一种可提高制造良率的半导体发光装置及其制造方法。实施方式的半导体发光装置包括半导体层、第一配线部、第二配线部、第一绝缘膜、及第二绝缘膜。所述半导体层具有第一侧、及与所述第一侧相反的第二侧，且包含第一导电型层、第二导电型层、及设置在所述第一导电型层与所述第二导电型层之间的发光层。所述第一配线部设置在所述第二侧，且电连接于所述第一导电型层。所述第二配线部设置在所述第二侧，且电连接于所述第二导电型层。所述第一绝缘膜设置在所述半导体层与所述第一配线部之间、及所述半导体层与所述第二配线部之间。所述第二绝缘膜与所述半导体层的所述第一侧相接，且具有与所述第一绝缘膜不同的膜密度。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】本申请案享有以日本专利申请案2014-65345号(申请日:2014年3月27日)作为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
实施方式涉及一种。
技术介绍
不断推进使半导体发光装置小型化而得的芯片大小器件的开发。这些器件包含从成长基板分离的半导体层、及覆盖半导体层的周围的树脂。而且，为了提高半导体层与树脂的粘着强度，较理想的是例如使氧化硅膜等绝缘膜介置在半导体层与树脂之间。然而，绝缘膜存在因其应力而导致半导体发光装置的制造良率下降的情况。
技术实现思路
实施方式提供一种可提高制造良率的半导体发光装置。实施方式的半导体发光装置包括半导体层、第一配线部、第二配线部、第一绝缘膜、及第二绝缘膜。所述半导体层具有第一侧、及与所述第一侧相反的第二侧，且包含第一导电型层、第二导电型层、及设置在所述第一导电型层与所述第二导电型层之间的发光层。所述第一配线部设置在所述第二侧，且电连接于所述第一导电型层。所述第二配线部设置在所述第二侧，且电连接于所述第二导电型层。所述第一绝缘膜设置在所述半导体层与所述第一配线部之间、及所述半导体层与所述第二配线部之间。所述第二绝缘膜与所述半导体层的所述第一侧相接，且具有与所述第一绝缘膜不同的膜密度。【附图说明】图1是例示实施方式的半导体发光装置的示意剖视图。图2是例示实施方式中的绝缘膜的特性的曲线图。图3(a)及(b)是例示实施方式的半导体发光装置的示意俯视图。图4(a)及(b)是例示实施方式的半导体发光装置的制造过程的示意剖视图。图5(a)及(b)是例示继图4之后的制造过程的示意剖视图。图6(a)及(b)是例示继图5之后的制造过程的示意剖视图。图7(a)及(b)是例示继图6之后的制造过程的示意剖视图。图8(a)及(b)是例示继图7之后的制造过程的示意剖视图。图9(a)及(b)是例示继图8之后的制造过程的示意剖视图。图10(a)及(b)是例示继图9之后的制造过程的示意剖视图。【具体实施方式】以下，参照附图，对实施方式进行说明。此外，在各附图中，对相同元件标注相同的符号。图1是例示实施方式的半导体发光装置I的示意剖视图。图2是例示实施方式中的绝缘膜的特性的曲线图。图3(a)及(b)是例示实施方式的半导体发光装置I的示意俯视图。图1是沿着图3(a)中所示的A-A'线的剖视图。图3(a)及图3(b)是表示图1所示的半导体发光装置I的下表面侧的俯视图。图3(a)表示半导体发光装置I的下表面侧的去除构造体之后的面，与下述图5(b)的上表面对应。半导体发光装置I具备包含发光层13的半导体层15。半导体层15具有第一侧15a、及第一侧15a相反的第二侧15b (参照图4 (a))。另外，半导体层15包含第一导电型层(以下为η型层11)、及第二导电型层(以下为P型层12)。发光层13设置在η型层11与P型层12之间。该例中，将第一导电层设为η型层、第二导电型层设为P型层而进行说明，但并不限定于此。也可以将第一导电层设为P型层，将第二导电型层设为η型层。如图5(a)所示，半导体层15的第二侧15b具有包含发光层13的部分(以下为发光区域15e)、及不包含发光层13的部分(以下为非发光区域15f)。发光区域15e是半导体层15中积层着发光层13的部分。非发光区域15f是半导体层15中未积层发光层13的部分。发光区域15e成为能够将发光层13发出的光提取到外部的积层构造。半导体层15的第二侧15b被加工成凹凸形状。该凹凸形状的凸部为发光区域15e，凹部为非发光区域15f。在该例中，发光区域15e在第二侧15b包含P型层12，且在p型层12的表面设置P侧电极16。非发光区域15f包含η型层11，且在η型层11的第二侧15b的表面设置η侧电极17。进而，半导体发光装置I包括设置在第二侧15b的P侧配线部41 (第二配线部)及η侧配线部43 (第一配线部)。P侧配线部41包含P侧配线层21、及ρ侧金属支柱23，且经由P侧电极16而电连接于ρ型层12。η侧配线部43包含η侧配线层22、及η侧金属支柱24，且经由η侧电极17而电连接于η型层11。在半导体层15与ρ侧配线部41之间、及半导体层15与η侧配线部43之间设置第一绝缘膜(以下为绝缘膜18)。另一方面，在第一侧15a侧设置第二绝缘膜(以下为绝缘膜19)。绝缘膜19与半导体层15的第一侧15a相接，且具有与绝缘膜18不同的膜密度。此处，所谓“膜密度”是表示膜的粗密的概念。例如，在绝缘膜为氧化硅膜或氮化硅膜的情况下，所谓“膜密度”高是指膜中的硅原子的密度高。换句话说，在膜中的硅原子间的平均间隔窄的情况下，“膜密度”高，在平均间隔宽的情况下，“膜密度”低。另外，在膜中的硅原子与氧原子或氮原子的键结数多的情况下，“膜密度”高，在它们的键结数少的情况下，“膜密度”低。例如，图2表示使用XRR(X-ray Reflectivity, X射线反射率)分析氧化娃膜所得的结果。纵轴是被反射的X射线的强度，横轴是角度2 Θ。利用XRR法，测定由形成着绝缘膜的样品的表面全反射的X射线的强度。然后，进行对X射线的测定数据拟合理论值的模拟。图2中，将被全反射的X射线的测定数据及模拟结果相对于X射线的入射角Θ进行表示。然后，可基于该模拟结果算出绝缘膜的膜密度(g/cm3)。例如，使用等离子体CVD 法(Plasma enhanced Chemical Vapor Deposit1n,等离子体加强化学蒸气沉积法)形成的氧化硅膜的膜密度为2.23g/cm3。另外，使用溅镀法形成的氧化硅膜的膜密度为2.25g/cm3，膜密度比使用PECVD法形成的氧化硅膜高。这样一来，通过使用XRR法，可判定膜密度的粗密。半导体层15还具有连接第一侧15a与第二侧15b的侧面15c。而且，绝缘膜18覆盖侧面15c。S卩，绝缘膜18与绝缘膜19覆盖半导体层15的整个表面。在本说明书中，所谓“覆盖”，并不限定于“覆盖者”与“被覆盖者”直接接触的情况，还包含介置其他元件而覆盖的情况。如图1所示，在半导体层15的第二侧15b设置支持体100。支持体100包含ρ侧金属支柱23、η侧金属支柱24、及树脂层25。包含半导体层15、ρ侧电极16及η侧电极17的发光体由设置在第二侧15b的支持体100支持。树脂层25是在第二侧15b设置在ρ侧配线部41与η侧配线部43之间。进而，树脂层25介隔绝缘膜18覆盖半导体层15的第二侧15b及侧面15c。在半导体发光装置I中，对P侧配线部41与η侧配线部43之间施加电压，而经由P侧电极16及η侧电极17对发光层13供给电流。由此，发光层13发光，且从发光层13放射的光从第一侧15a出射到外部。在第一侧15a设置突光体层30作为对半导体发光装置I的发射光赋予所需的光学特性的光学层。荧光体层30包含多个粒子状的荧光体31。荧光体31被发光层13的放射光激发，而放射波长与发光层13的放射光不同的光。多个荧光体31通过结合材料32而一体化。结合材料32使发光层13的放射光及荧光体31的放射光透过。此处，所谓“透过”，并不限于透过率为100%的情况，还包含吸收光的一部分的情况。图3(a)是例示ρ侧电极16及η侧电极17的配置的示意本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光装置，其特征在于包括：半导体层，具有第一侧、及与所述第一侧相反的第二侧，且包含第一导电型层、第二导电型层、及设置在所述第一导电型层与所述第二导电型层之间的发光层；第一配线部，设置在所述第二侧，且电连接于所述第一导电型层；第二配线部，设置在所述第二侧，且电连接于所述第二导电型层；第一绝缘膜，设置在所述半导体层与所述第一配线部之间、及所述半导体层与所述第二配线部之间；以及第二绝缘膜，与所述半导体层的所述第一侧相接，且具有与所述第一绝缘膜不同的膜密度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：菅原保晴，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP