【技术实现步骤摘要】
【专利说明】本申请案享有以日本专利申请案2014-65345号(申请日:2014年3月27日)作为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
实施方式涉及一种。
技术介绍
不断推进使半导体发光装置小型化而得的芯片大小器件的开发。这些器件包含从成长基板分离的半导体层、及覆盖半导体层的周围的树脂。而且，为了提高半导体层与树脂的粘着强度，较理想的是例如使氧化硅膜等绝缘膜介置在半导体层与树脂之间。然而，绝缘膜存在因其应力而导致半导体发光装置的制造良率下降的情况。
技术实现思路
实施方式提供一种可提高制造良率的半导体发光装置。实施方式的半导体发光装置包括半导体层、第一配线部、第二配线部、第一绝缘膜、及第二绝缘膜。所述半导体层具有第一侧、及与所述第一侧相反的第二侧，且包含第一导电型层、第二导电型层、及设置在所述第一导电型层与所述第二导电型层之间的发光层。所述第一配线部设置在所述第二侧，且电连接于所述第一导电型层。所述第二配线部设置在所述第二侧，且电连接于所述第二导电型层。所述第一绝缘膜设置在所述半导体层与所述第一配线部之间、及所述半导体层...
【技术保护点】
一种半导体发光装置，其特征在于包括：半导体层，具有第一侧、及与所述第一侧相反的第二侧，且包含第一导电型层、第二导电型层、及设置在所述第一导电型层与所述第二导电型层之间的发光层；第一配线部，设置在所述第二侧，且电连接于所述第一导电型层；第二配线部，设置在所述第二侧，且电连接于所述第二导电型层；第一绝缘膜，设置在所述半导体层与所述第一配线部之间、及所述半导体层与所述第二配线部之间；以及第二绝缘膜，与所述半导体层的所述第一侧相接，且具有与所述第一绝缘膜不同的膜密度。
【技术特征摘要】
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