软体离子双面镀膜低电阻的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种软体离子双面镀膜低电阻的制备方法，经过表面处理的金属基底材料,进行离子反应镀铜达到所需要的厚度时,清洗干净并进行干燥后再镀镍,即可得到制好的低电阻膜层,其铜层厚度在0.1-100微米，总厚度在30-100微米范围内,根据实际需求可以进行调整。具有优良耐磨、抗氧化、耐腐蚀性能,而且与基体材料结合强度高、可抑制镀铜发花氧化与扩展的电镀Ni作为表面层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及软体镀膜低电阻，具体涉及一种。
技术介绍
在现有技术中，在常规双面镀膜表面镀铜会发花氧化和在常规离子双面镀膜会产生电阻高等问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种具有优良耐磨、抗氧化、耐腐蚀性能，而且与基体材料结合强度高、可抑制镀铜发花氧化与扩展的电镀Ni作为表面层的，具有优良耐磨、抗氧化、耐腐蚀性能，而且与基体材料结合强度高、可抑制镀铜发花氧化与扩展的电镀Ni作为表面层及其制备方法。提供一种，包括如下步骤:对金属基材的两个表面进行处理；采用离子反应的方式对金属基材的两个表面进行镀铜；对镀铜表面进行清洗干净并进行干燥后再镀镍；对镀镍后的表面进行清洗，得到双面层膜低电阻板材。在上述制备方法中，所述镀铜层的厚度为0.1-100微米。本专利技术经过表面处理的金属基底材料，进行离子反应镀铜达到所需要的厚度时，清洗干净并进行干燥后再镀镍，即可得到制好的低电阻膜层，其铜层厚度在0.1-100微米，总厚度在30-100微米范围内，根据实际需求可以进行调整。具有优良耐磨、抗氧化、耐腐蚀性能，而且与基体材料结合强度高、可抑制镀铜发花氧化与扩展的电镀Ni作为表面层，解决了在常规双面镀膜表面镀铜发花氧化和在常规离子双面镀膜电阻高等问题。该双面层膜低电阻是在离子镀膜工艺过程中通过镀Cu金属层较多而导通好，再微镀Ni获得的低电阻结构。【附图说明】图1是本专利技术方法制成的软体离子双面镀膜低电阻板的剖面图。【具体实施方式】如图1所示:提供一种， 包括如下步骤:对金属基材I的两个表面进行处理；采用离子反应的方式对金属基材I的两个表面进行镀铜得到镀铜层2 ;对镀铜层2表面进行清洗干净并进行干燥后再镀镍，得到镀镍层3 ;对镀镍层3后的表面进行清洗，得到双面层膜低电阻板材。在上述制备方法中，所述镀铜层2的厚度为0.1-100微米。低电阻板材的总厚度在30-100微米范围内选择。本专利技术经过表面处理的金属基底材料，进行离子反应镀铜达到所需要的厚度时，清洗干净并进行干燥后再镀镍，即可得到制好的低电阻膜层，其铜层厚度在0.1-100微米，总厚度在30-100微米范围内，根据实际需求可以进行调整。具有优良耐磨、抗氧化、耐腐蚀性能，而且与基体材料结合强度高、可抑制镀铜发花氧化与扩展的电镀Ni作为表面层ο【主权项】1.一种，其特征在于:包括如下步骤:对金属基材的两个表面进行处理；采用离子反应的方式对金属基材的两个表面进行镀铜；对镀铜层表面进行清洗干净并进行干燥后再镀镍；对镀镍后的表面进行清洗，得到双面层膜低电阻板材。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于:所述镀铜层的厚度为0.1-100微米。【专利摘要】本专利技术公开了一种，经过表面处理的金属基底材料,进行离子反应镀铜达到所需要的厚度时,清洗干净并进行干燥后再镀镍,即可得到制好的低电阻膜层,其铜层厚度在0.1-100微米，总厚度在30-100微米范围内,根据实际需求可以进行调整。具有优良耐磨、抗氧化、耐腐蚀性能,而且与基体材料结合强度高、可抑制镀铜发花氧化与扩展的电镀Ni作为表面层。【IPC分类】C23C28/02【公开号】CN104947108【申请号】CN201510319570【专利技术人】张德友 【申请人】东莞市明谷一纳米材料有限公司【公开日】2015年9月30日【申请日】2015年6月12日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种软体离子双面镀膜低电阻的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：对金属基材的两个表面进行处理；采用离子反应的方式对金属基材的两个表面进行镀铜；对镀铜层表面进行清洗干净并进行干燥后再镀镍；对镀镍后的表面进行清洗，得到双面层膜低电阻板材。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张德友，
申请(专利权)人：东莞市明谷一纳米材料有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44