一种基于硅片键合的真空封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于硅片键合的真空封装结构，包括硅片A、硅片B和硅片C，所述硅片A上加工出可动结构和排气孔道，所述硅片B上加工出可容纳可动结构的工作腔室，所述硅片A与硅片B键合连接形成键合组合片I，所述硅片C上加工出电极通孔、排气通孔和支承部分，所述键合组合片I与硅片C键合连接形成键合组合片II使得排气孔道与排气通孔连通，本实用新型专利技术通过将键合组合片II置于磁控溅射中，利用溅射技术，在键合组合片II带有排气通孔与电极通孔面图案化沉积金属，完全填充排气通孔与排气通道的连接处形成密封金属结构，同时溅射入电极通孔结构的金属形成电极金属结构，从而整个真空封装完成，得到真空封装结构。

【技术实现步骤摘要】

:本技术涉及一种应用于微机电(MEMS)领域的真空封装结构，具体为一种基于硅片键合的真空封装结构。
技术介绍
:MEMS技术中，高真空状态的获取是至关重要的一环。其实现需满足密闭微腔室封装与腔室内高真空环境条件。目前，MEMS技术普遍采用键合技术实现封装，而高真空的内部气压通常由吸气剂工艺保证。(J.鲁德哈德，T.米勒.封装MEMS-晶片的方法和MEMS-晶片:CN102112394A，2011-06-29)高温键合技术是指通过化学和物理混合作用将基片紧密地结合起来的方法。其适用于硅片与硅片、陶瓷与陶瓷等化学稳定型材料，是一类先进的加工工艺。这里以硅硅直接键合为例，高温直接键合工艺如下:(I)将两抛光硅片(氧化或未氧化均可)先经含弱碱性的溶液浸泡处理，使Si表面悬挂有羟基，即形成S1-OH;(2)在室温下将两硅片抛光面贴合在一起；(3)贴合好的硅片在氧气或氮气环境中经数小时的高温脱水处理(1000°C )，由此，形成了良好的键合。普遍存在如下化学反应:S1-OH+HO-Si — S1-0_Si+H20。从该反应可知，所生成的H20因封装过程结束而无法排出密闭微腔室，从而减弱本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于硅片键合的真空封装结构，其特征在于：包括硅片A、硅片B和硅片C，所述硅片A上加工出可动结构和排气孔道，所述硅片B上加工出可容纳可动结构的工作腔室，所述硅片A与硅片B键合连接形成键合组合片I，所述硅片C上加工出电极通孔、排气通孔和支承部分，所述键合组合片I与硅片C键合连接形成键合组合片II，所述排气孔道与排气通孔连通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙道恒，杨秉臻，
申请(专利权)人：杨秉臻，
类型：新型
国别省市：福建;35