对准量测结构及掩膜制造技术

本实用新型专利技术提供一种对准量测结构及掩膜，所述对准量测结构至少包括对准图形，所述对准图形的边缘设有刻度线。通过设计具有刻度线的对准量测结构，并将其应用于制备顶层金属层及镜面层的掩膜中，在顶层金属层及镜面层的制备过程中，所述对准量测结构被转移至所述顶层金属层及镜面层，可以使用ADI机台对所述顶层金属层及镜面层的对准偏移进行粗略的评估，大大缩短了对准量测的时间，且整个量测过程更加直观。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种对准量测结构及掩膜。
技术介绍
娃基液晶(Liquid Crystal On Silicon，LCOS)是一种新型的反射式液晶显示装置，与普通液晶不同的是，LCOS结合CMOS工艺在硅片上直接实现驱动电路，并采用CMOS技术将有源像素矩阵制作在硅衬底上，因而具有尺寸小和分辨率高的特性。理想的LCOS应该平坦、光滑并有很高的反射率，这样才能够保证很好的液晶排列和液晶层厚度的一致性，并不扭曲光线，这就需要在制备工艺中，在制备顶层金属层(TopMetal,TM)后再在所述TM上制备一层镜面层(mirror layer)，这样才能够精确地控制反射光路，这对于投影电视等高端应用是一个十分关键的因素。为了简化工艺，现有技术中一般在制备TM后，继续使用所述TM的掩膜(mask)，利用负光阻再做一道工序以制备所述镜面层。这样可以节省一块mask，节约生产成本。又针对LCOS工艺的特殊性，所制备的所述TM和镜面层并不是完全重合的，二者之间会留下一部分的空隙，在制备工艺完成后需要检测TM和镜面层之间的对准偏移。然而，上述工艺所制备的结构无法通过OVL (Overlay，对准)或ADI (After Development Inspect1n，显影后检测)来检测所述TM与镜面层之间的对准偏移，只能通过⑶(Critical Dimens1n，特征尺寸)量测来检测二者之间的对准偏移。使用CD量测检测所述TM与镜面层之间的对准偏移存在以下问题:通常OVL需要量测5个曝光单元(shot)，每个shot量测4个点，每个点需要X/Y两个方向，这样就需要量测40个点；如果使用CD量测的话，还要加上左右、上下两侧两次才能得到比较准确的对准偏移，也就是说需要量测80个点的数据(data)。这样，一片晶圆的量测需要I个多小时，即使在线上(inline)精简到20个点的两侧，只能粗略进行判断，这样整个量测过程也要消耗半个小时才能量完，整个量测过程量测比较慢，比较耗时。同时，CD量测来检测所述TM与镜面层之间的对准偏移不够直观。因此，提供一种改进型的对准量测结构非常必要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种对准量测结构及掩膜，用于解决现有技术中在LCOS工艺中只能使用CD量测检测TM与镜面层之间的对准偏移而导致的量测比较慢，比较耗时，直观性差的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种对准量测结构，所述对准量测结构至少包括:对准图形，所述对准图形的边缘设有刻度线。作为本技术的对准量测结构的一种优选方案，所述刻度线均匀地分布于所述对准图形的边缘。作为本技术的对准量测结构的一种优选方案，所述对准图形为正方形。作为本技术的对准量测结构的一种优选方案，所述对准图形的至少一条边上设有所述刻度线。作为本技术的对准量测结构的一种优选方案，所述对准图形的四条边上均设有所述刻度线。作为本技术的对准量测结构的一种优选方案，位于所述对准图形每条边上的所述刻度线的长度不尽相同。作为本技术的对准量测结构的一种优选方案，位于所述对准图形每条边中心位置处的所述刻度线的长度大于其他位置处的所述刻度线的长度。作为本技术的对准量测结构的一种优选方案，所述对准量测结构位于一掩膜上，相邻所述刻度线的间距与所述掩膜的分辨率相匹配。作为本技术的对准量测结构的一种优选方案，相邻所述刻度线的间距为0.2 μ m0本技术还提供一种掩膜，所述掩膜包括上述方案中所述的对准量测结构。如上所述，本技术的对准量测结构及掩膜，具有以下有益效果:通过设计具有刻度线的对准量测结构，并将其应用于用于制备顶层金属层及镜面层的掩膜中，在顶层金属层及镜面层的制备过程中，所述对准量测结构被转移至所述顶层金属层及镜面层，可以使用ADI机台对所述顶层金属层及镜面层的对准偏移进行粗略的评估，大大缩短了对准量测的时间，且整个量测过程更加直观。【附图说明】图1显示为本技术实施例一中的对准量测结构的结构示意图。图2显示为本技术实施例二中的掩膜的局部结构示意图。图3显示为使用图2中的掩膜制备的晶圆的局部结构示意图。图4显示为图3中A区域的局部放大结构示意图。元件标号说明I 对准量测结构11对准图形12刻度线2 掩膜3 晶圆4 空隙【具体实施方式】以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。请参阅图1至4。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中部”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。实施例一请参阅当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对准量测结构，其特征在于，至少包括：对准图形，所述对准图形的边缘设有刻度线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹存朋，朱晓峥，樊佩申，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11