管芯检测方法技术

本发明专利技术公开一种管芯检测方法，包含：提供一第一待测管芯，包含一下表面、一侧表面和一上表面；以及提供一可发出一第一光线的第一光源位于第一待测管芯下方，其中部分第一光线经由侧表面入射第一待测管芯，部分第一光线经由下表面入射第一待测管芯。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种，其提供一可发出一第一光线的第一光源位于第一待测管芯下方，其中部分第一光线经由第一待测管芯的一侧表面入射第一待测管芯，部分第一光线经由第一待测管芯的一下表面入射第一待测管-!-HΛ ο
技术介绍
发光二极管(Light Emitting D1de, LED)为固态半导体发光元件，其优点为功耗低，产生的热能低，工作寿命长，防震，体积小，反应速度快和具有良好的光电特性，例如稳定的发光波长。因此发光二极管被广泛应用于家用电器，设备指示灯，及光电产品等。在发光二极管的半导体制作工艺中，往往会因为一些无法避免的原因形成缺陷，因此为了维持产品品质的稳定，在进行半导体制作工艺时，需针对所生产的产品依客户或使用者需求规格进行缺陷检测，再根据检测的结果将不符合客户或使用者需求规格的产品检出，或是分析造成缺陷的原因，再通过制作工艺参数的调整来避免或减少缺陷的产生，以达到提升制作工艺良率以及可靠度的目的。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种，包含:提供一第一待测管芯，包含一下表面、一侧表面和一上表面；以及提供一可发出一第一光线的第一光源位于第一待测管芯下方，其中部分第一光线经由侧表面入射第一待测管芯，部分第一光线经由下表面入射第一待测管芯。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。【附图说明】图1是本专利技术一实施例中所揭示的管芯检测装置的示意图。图2A是本专利技术一实施例所揭示的标准管芯的一电极结构的上视图。图2B是本专利技术一实施例所揭示的管芯检测装置的部分示意图。图3A是本专利技术一实施例所揭示的待测管芯的一电极结构的上视图。图3B是本专利技术一实施例所揭示的管芯检测装置的部分示意图。图4是本专利技术一实施例所揭示的的流程图。图5是本专利技术依据一标准管芯的一影像示意图。图6是本专利技术依据一待测管芯的一影像示意图。图7是本专利技术依据一待测管芯的一影像示意图。图8A是本专利技术依据一标准管芯的一影像示意图。图SB是本专利技术依据一待测管芯的一影像示意图。图8C是本专利技术依据一待测管芯的一缺陷面积示意图。图9是本专利技术一实施例中所揭示的管芯检测结果。符号说明1:管芯检测装置2:管芯承载部3:管芯3a:标准管芯3b:第一待测管芯d:切割道S1:下表面S2:侧表面S3:上表面11:感光元件12:第四光源121:第四光线13:第二光源131:第二光线14:第一光源141:第一光线15:第三光源151:第三光线30:半导体叠层31:第一型半导体层32:第二型半导体层33:主动层34:反射结构35a:电极结构35b:电极结构351:缺陷36:基板5:待测管芯50:电极垫51:半导体叠层6:待测管芯60:电极垫61:半导体叠层61a:影像7:标准管芯70:电极垫71:半导体叠层71a:影像61b:缺陷影像7a:第一方向7b:第二方向【具体实施方式】为了使本专利技术的叙述更加详尽与完备，请参照下列实施例的描述并配合相关图示。以下所示的实施例只是用于例示本专利技术的发光元件，并非将本专利技术限定于以下的实施例。本说明书记载于实施例中的构成零件的尺寸、材质、形状、相对配置等在没有限定的记载下，本专利技术的范围并非限定于此，而仅是单纯的说明而已。且各图示所示构件的大小或位置关系等，会由于为了明确说明有加以夸大的情形。而且，在以下的描述中，为了适切省略详细说明，对于同一或同性质的构件用同一名称、符号显示。一光电元件，例如发光二极管，其制造是由一晶片经过前段制作工艺中的镀膜、黄光光刻制作工艺定义后，再经过切割步骤，最后形成多颗独立的管芯。此多颗独立的管芯需依客户或使用者需求规格，再经过一连串的管芯检测，将不符合客户或使用者需求规格的管芯拣出。在本专利技术的一实施例中，此晶片包括用以成长磷化铝镓铟(AlGaInP)的砷化镓(GaAs)晶片，或用以成长氮化铟镓(InGaN)的蓝宝石(Al2O3)晶片、氮化镓(GaN)晶片或碳化硅(SiC)晶片，或用以成长II1-V族太阳能电池叠层的硅晶片、锗晶片、或砷化镓晶片。于此晶片上可利用有机金属化学气相沉积法(MOCVD )、分子束外延(MBE )、氢化物气相沉积法(HVPE)、蒸镀法或离子电镀方法形成一具有光电特性的半导体叠层，例如发光(light-emitting)叠层或光伏(photovoltaic)叠层。在晶片外延完成后,会经过蒸镀制作工艺形成电极，再经过黄光、蚀刻制作工艺形成切割道，最后沿着切割道经过刀切或激光切割步骤，使各管芯彼此分离，即形成多颗独立的管芯。承上所述，晶片经过切割形成多颗独立的管芯后，此多颗独立的管芯可贴附于一管芯承载部，其中管芯承载部可为具有黏性或是延展性的胶材，例如蓝膜胶带或紫外光胶带，在本专利技术的一实施例中是选用蓝膜胶带做为管芯承载部。前述的切割步骤也可于晶片贴附于管芯承载部之后再进行。图1是本专利技术一实施例中所揭示的管芯检测装置I的示意图。如图1所示，以单颗待测管芯为例，管芯检测装置I包含一第一待测管芯3b、一管芯承载部2以承载第一待测管芯3b，其中第一待测管芯3b包含一下表面S1、一上表面S3以及一侧表面S2。管芯检测装置I包含一背向光装置100和一正向光装置110以检测管芯缺陷，其中背向光装置100位于管芯承载部2下方,正向光装置110位于管芯承载部2上方。背向光装置100包含一可发出一第一光线141的第一光源14位于第一待测管芯3b下方、一可发出一第二光线131的第二光源13位于第一待测管芯3b下方，其中第一光线141是以一斜角入射第一待测管芯3b，第二光线131大致上垂直入射第一待测管芯3b，换言之，第二光线131入射下表面SI的角度小于第一光线141入射下表面SI的角度。具体而言，第一光线141是以一斜角，部分入射于下表面SI,部分入射于侧表面S2,而第二光线131大致上垂直入射于下表面SI。正向光装置110包含一可发出一第三光线151的第三光源15位于第一待测管芯3b上方，一可发出一第四光线121的第四光源12位于第一待测管芯3b上方，其中第四光线121是以一斜角入射第一待测管芯3b，第三光线151大致上垂直入射第一待测管芯3b，换言之，第三光线151入射上表面S3的角度小于第四光线121入射上表面S3的角度。管芯检测装置I包含一感光元件11位于第一待测管芯3b的上方以收集被第一待测管芯3b反射或折射的第一光线141、第二光线131、第三光线151、或第四光线121。在本专利技术的一实施例中，第一光源14、第二光源13、第三光源15、或第四光源12为一脉冲式氙气闪光灯。第一光源14或第四光源12为一具有一中央孔径的环形结构。如图1所示，在本专利技术的一实施例中，第一待测管芯3b包含一基板36，一半导体叠层30位于基板36的一侧上，以及一电极结构35b位于半导体叠层30的上表面S3上。基板36可为蓝宝石基板或II1- V族半导体基板。半导体叠层30包含一第一型半导体层31，一第二型半导体层32，以及一主动层33位于第一型半导体层31及第二型半导体层32之间。第一型半导体层31与第二型半导体层32,例如为包覆层(cladding layer)或限制层(confinement layer),可分别提供电子与空穴，电子与空穴于一电流驱动下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种管芯检测方法，包含：提供一第一待测管芯，包含一下表面、一侧表面和一上表面；以及提供一可发出一第一光线的第一光源位于该第一待测管芯下方，其中部分该第一光线经由该侧表面入射该第一待测管芯，部分该第一光线经由该下表面入射该第一待测管芯。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：关叡铉，苏咏乔，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71