多芯片混合集成的三维封装结构及加工方法技术

本发明专利技术多芯片混合集成的三维封装结构及加工方法涉及一种用于不同形式芯片与无源器件之间混合集成的三维封装结构及加工方法。本发明专利技术多芯片混合集成的三维封装结构以一个BGA电路基板作为载体，将一颗QFN封装芯片、一颗裸芯片和若干无源器件进行三维高密度混合集成，其中裸芯片以堆叠的方式集成于QFN芯片上方，形成三维结构，无源器件包括电阻、电容或电感中的一种或多种。本发明专利技术多芯片混合集成的三维封装结构的加工方法是在BGA电路基板上表面通过回流焊贴装QFN封装芯片及周边无源器件；在QFN封装芯片上方堆叠裸芯片，形成三维叠层结构，通过金丝键合，将裸芯片与BGA电路基板互连；最后通过塑封和BGA植球完成模块的三维封装。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种三维封装结构，特别是涉及一种用于不同形式芯片与无源器件之间混合集成的三维封装结构；本专利技术还涉及该三维封装结构的加工方法。
技术介绍
随着微电子产品小型化的封装发展趋势，要求微电子芯片封装尺寸不断缩小、封装密度不断增大。三维封装是国际上近几年正在快速发展的一种高密度封装技术。由于封装外形尺寸的限制，用传统的二维平面封装方法，在封装体内放入不同功能模块的芯片，其封装体外形尺寸不可能做的很小，因此，芯片在高度方向的三维堆叠是一个大的趋势。三维封装结构不但使封装密度更高，也具有使其功能更多、传输速度更快、功耗更低、性能及可靠性更好等特点。目前，三维封装结构各式各样，如SiP(System in package)、PoP(package-on-package)、TSV(through-silicon-vias)等芯片级的封装。其形式包括不同尺寸裸芯片以金字塔的形式逐层往上堆叠，相近尺寸的芯片错位逐层堆叠等。大多数的三维封装设计主要面向的是裸芯片的堆叠和封装，然而，在实际的系统级封装设计中，会遇到需要将具有多个具有不同封装模式的芯片或无源器件高密度地混合集成在一起本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多芯片混合集成的三维封装结构，包括一个BGA基板(6)、一颗QFN封装芯片(5)、一颗裸芯片(2)，其特征在于：还包括若干无源器件(4)、环氧塑封料(1)、BGA植球(7)，所述BGA基板(6)上表面贴装QFN封装芯片(5)及若干无源器件(4)，若干无源器件(4)分布于QFN封装芯片(5)的周边，所述裸芯片(2)正面向上粘接于QFN封装芯片(5)上方，并通过键合金丝(3)将裸芯片(2)的管脚连接至BGA基板(6)上表面对应的焊盘处，所述环氧塑封料(1)将QFN封装芯片(5)、裸芯片(2)、无源器件(4)和BGA基板(6)包封起来，所述BGA焊球(7)植球在BGA基板(6)下表面的焊盘。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王波，兰欣，杨静，马强，陈利杰，潘茂云，赵潇，胡国俊，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第三十八研究所，
类型：发明
国别省市：安徽;34