本实用新型专利技术公开一种显示面板，包含：一基板；一第一遮光层位于基板上；一半导体层位于第一遮光层上；一绝缘层位于半导体层上；一栅极线位于绝缘层上；一接触孔贯穿绝缘层，以露出半导体层；以及一金属层，位于绝缘层上，且通过接触孔与半导体层电连接，其中第一遮光层包含有重叠金属层的一重叠区域，重叠区域于一第一方向上具有一第一宽度，且金属层于邻近栅极线的一边缘与接触孔底部之间于第一方向上的最短距离为一第二宽度，且其中第一方向垂直于栅极线的一延伸方向，且第一宽度与第二宽度的比值介于0.2至0.8之间。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种显示技术，且特别是涉及一种用于显示面板的像素单元。
技术介绍
显示装置(例如，液晶显示器(liquid crystal display, IXD)、主动式阵列有机发光显不器(active matrix organic light-emitting display, AMOLED)等等通常装配于电子装置中，例如手提电脑、个人数字助理(personal digital assistants, PDA)、电子书(electronic books)、投影机、及手机等。一般来说，显示面板通常利用薄膜晶体管(thin film transistor, TFT)作为像素区的开关元件。再者，周边电路区(即，驱动电路区)也需要使用由TFT所构成的CMOS电路。依据主动层所使用的材料分为非晶硅(a-Si)及多晶硅(poly-Si)TFT。相较于非晶硅TFT，多晶硅TFT具有高载流子迀移率及高驱动电路集成度的优势而常用于高速操作的产品。因此，低温多晶娃(low temperature polysilicon, LTPS)成为显示器技术的一种新的应用。作为像素区的开关元件的薄膜晶体管通常具有上栅极(top gate)或下栅极(bottom gate)结构。在具有上栅极结构的薄膜晶体管的显示面板中，来自背光模块的光线会通过显示装置的下基板(例如，TFT基板)照射于栅极下方的主动层上，因而在主动层中产生漏电流，降低薄膜晶体管的电特性。为了解决上述问题，会在主动层下方设置一遮光层。然而，上述遮光层并无法有效阻挡由背光模块所产生的散射光线，而无法维持薄膜晶体管的电特性。因此，有必要寻求一种显示面板，其可有效阻挡光线照射于栅极下方的主动层，以改善或维持TFT的电特性。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种显示面板，以解决上述问题。为达上述目的，本技术提供一种显示面板，包含:一基板；一第一遮光层，位于基板上；一半导体层，位于第一遮光层上；一绝缘层，位于半导体层上；一栅极线，位于绝缘层上；一接触孔，贯穿绝缘层，以露出半导体层；以及一金属层，位于绝缘层上，且通过接触孔与半导体层电连接；其中第一遮光层包含有重叠金属层的一重叠区域，重叠区域于一第一方向上具有一第一宽度，且金属层于邻近栅极线的一边缘与接触孔底部之间于第一方向上的最短距离为一第二宽度，其中第一方向垂直于栅极线的一延伸方向，且第一宽度与第二宽度的比值介于0.2至0.8之间。该第一遮光层具有与该栅极线重叠的一重叠区域，该重叠区域具有两个与该栅极线相对边缘重叠的重叠线段以及位于该两个重叠线段之间的一第一中央区域，该第一遮光层的该两个重叠线段其中之一于一第二方向上具有一第一长度，且该第一中央区域于该第二方向上具有一第二长度，且其中该第二方向平行于该栅极线的该延伸方向，且该第一长度大于该第二长度。该第一遮光层具有与该半导体层重叠的一重叠区域，该重叠区域具有两个与该半导体层相对边缘重叠的重叠线段以及位于该两个重叠线段之间的一第二中央区域，该第一遮光层的该两个重叠线段其中之一于该第一方向上具有一第三长度，且该第二中央区域于该第一方向上具有一第四长度，且其中该第三长度大于该第四长度。该显示面板还包含:第二遮光层，位于该基板与该半导体层之间，且具有一部分重叠于该半导体层与该栅极线的一区域。该显示面板还包含一缓冲层，位于该第一遮光层与该半导体层之间。本技术另一实施例提供一种显示面板，包含:一基板；一第一遮光层，位于基板上；一半导体层，位于第一遮光层上；一绝缘层，位于半导体层上；一栅极线，位于绝缘层上，且具有与半导体层重叠的一凸出部，凸出部沿一第一方向延伸，且第一方向垂直于栅极线的一延伸方向；一接触孔，贯穿绝缘层，以露出半导体层；以及一金属层，位于绝缘层上，且通过接触孔与半导体层电连接；其中第一遮光层包含有重叠金属层的一重叠区域，重叠区域于一第二方向上具有一第一宽度，且金属层于邻近凸出部的一边缘与接触孔底部之间于第二方向上的最短距离为一第二宽度，其中第二方向平行于栅极线的延伸方向，且第一宽度与第二宽度的比值介于0.2至0.8之间。该显示面板还包含一第二遮光层，位于该基板与该半导体层之间，其中该第一遮光层具有与该半导体层重叠的一第一弧形边缘，而该第二遮光层具有与该半导体层重叠的一第二弧形边缘，且该第一弧形边缘相邻该第二弧形边缘。该第一遮光层具有一部分重叠于该半导体层与该栅极线相交的一区域。该第一遮光层具有一部分重叠于该凸出部，且该第二遮光层具有一部分重叠于该半导体层与该栅极线相交的另一区域。该显示面板还包含一缓冲层，位于该第一遮光层与该半导体层之间。本技术的优点在于，由于用于显示面板的像素单元中，金属层与第一遮光层具有适当的重叠区域，因此可在不形成过大的杂散电容下，有效阻挡来自背光模块的散射光线照射于半导体层上，进而改善或降低漏电流。再者，由于第一遮光层及/或第二遮光层具有至少二个相对且内凹的边缘轮廓，因此可进一步降低遮光层与栅极线及/或遮光层与半导体层之间的杂散电容。另外，在具有凸出部的栅极线的情形中，第一及第二遮光层具有彼此相对且相邻弧形边缘，因此可缩短第一及第二遮光层之间的距离，进而增加像素单元的开口率。【附图说明】图1为本技术一实施例的用于显示面板的像素单元上视示意；图2为图1中沿2-2’线的剖面示意图；图3A为本技术一实施例的用于显不面板的像素单兀底视不意图；图3B为本技术一实施例的用于显不面板的像素单兀底视不意图；图4为本技术一实施例的用于显不面板的像素单兀底视不意图。符号说明10、10’、10”、20 像素单元100 基板102a,202a 第一遮光层102b,202b 第二遮光层104缓冲层106,206 半导体层108绝缘层110,210 栅极线110，、106，、114，、214，、220，边缘Illa第一中央区域llla’、lllb’ 重叠线段Illb第二中央区域112层间介电层113、117、121 接触孔114a 数据线114b、114c 金属层116平坦化层118下层透明电极120钝化保护层124上层透明电极203第一弧形边缘204第二弧形边缘220 凸出部A、C 第一宽度B、D 第二宽度Dl第一方向D2第二方向LI第一长度L2第二长度L3第三长度L4第四长度P像素区【具体实施方式】以下说明本技术实施例的显示面板。然而，可轻易了解本技术所提供的实施例仅用于说明以特定方法制作及使用本技术，并非用以局限本技术的范围。请参照图1及图2，其中图1绘示出根据本技术一实施例的用于显示面板的一像素单元10上视示意图，当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示面板，其特征在于，该显示面板包含︰基板；第一遮光层，位于该基板上；半导体层，位于该第一遮光层上；绝缘层，位于该半导体层上；栅极线，位于该绝缘层上；接触孔，贯穿该绝缘层，以露出该半导体层；以及金属层，位于该绝缘层上，且通过该接触孔与该半导体层电连接；其中该第一遮光层包含有重叠该金属层的一重叠区域，该重叠区域于一第一方向上具有一第一宽度，且该金属层于邻近该栅极线的一边缘与该接触孔底部之间于该第一方向上的最短距离为一第二宽度，且其中该第一方向垂直于该栅极线的一延伸方向，且该第一宽度与该第二宽度的比值介于0.2至0.8之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：颜崇纹，刘侑宗，李淂裕，王兆祥，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。