【技术实现步骤摘要】
本揭露涉及一种电子装置及其制作方法。
技术介绍
1、现有的巨量转移(mass transfer)技术是利用转移头(transfer head)将多个电子单元转移至同一块基板上。若基于转移不良率或转移头不良率等考虑来准备转移头，会大幅增加预备的转移头数量，造成管理难度或成本的增加。
技术实现思路
1、本揭露提供一种电子装置及其制作方法，有助于降低预备的转移头数量。
2、根据本揭露的实施例，制作电子装置的方法包括：提供基板；将多个电子单元转移至基板上；检测多个电子单元，以取得m个第一缺陷地图；将m个第一缺陷地图整合为n个第二缺陷地图，其中n<m；根据n个第二缺陷地图提供m个修补群组，其中每一个修补群组包括至少一个修补电子单元；以及将m个修补群组转移至基板上；其中至少两个修补群组具有相同的修补电子单元的位置分布，且位置分布相符于其中一个第二缺陷地图的缺陷分布。
3、根据本揭露的实施例，电子装置包括基板、多个电子单元群组以及至少两个修补群组。基板包括多个转移区。多个转移区具有多个接合区。每一个接合区包括主要接合区以及备援接合区。多个电子单元群组分别设置在多个转移区上，且多个电子单元群组包括多个电子单元分别接合至多个主要接合区。至少两个修补群组分别设置在至少两个转移区上，且每一个修补群组包括至少一个修补电子单元接合至至少一个备援接合区。至少两个修补群组具有相同的修补电子单元的位置分布，且每一个修补群组的修补电子单元的数量小于每一个转移区的备援接合区的数量。>
4、为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
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1.一种制作电子装置的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制作电子装置的方法，其特征在于，所述第二缺陷地图包括至少一个缺陷位置，且所述修补电子单元的位置对应所述缺陷位置。
3.根据权利要求1所述的制作电子装置的方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的制作电子装置的方法，其特征在于，所述禁能的步骤是通过激光切割来执行。
5.根据权利要求1所述的制作电子装置的方法，其特征在于，其中一个所述第二缺陷地图的缺陷分布为至少两个所述第一缺陷地图的缺陷分布的并集。
6.根据权利要求1所述的制作电子装置的方法，其特征在于，所述基板包括多个主要接合区以及多个备援接合区，其中多个所述电子单元转移至多个所述主要接合区，且多个所述修补电子单元转移至多个所述备援接合区。
7.根据权利要求1所述的制作电子装置的方法，其特征在于，至少一个所述电子单元是通过转移头从载板转移至所述基板上。
8.根据权利要求7所述的制作电子装置的方法，其特征在于，至少一个所述修补电子单元是通过另一转移头从相同或相异于所述载
9.一种电子装置，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于，至少一个所述接合区的所述主要接合区以及所述备援接合区上分别设置有所述电子单元以及所述修补电子单元，且与所述电子单元以及所述修补电子单元的其中一个电性连接的线路具有激光切割痕。
...【技术特征摘要】
1.一种制作电子装置的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制作电子装置的方法，其特征在于，所述第二缺陷地图包括至少一个缺陷位置，且所述修补电子单元的位置对应所述缺陷位置。
3.根据权利要求1所述的制作电子装置的方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的制作电子装置的方法，其特征在于，所述禁能的步骤是通过激光切割来执行。
5.根据权利要求1所述的制作电子装置的方法，其特征在于，其中一个所述第二缺陷地图的缺陷分布为至少两个所述第一缺陷地图的缺陷分布的并集。
6.根据权利要求1所述的制作电子装置的方法，其特征在于，所述基板包括多个主要接合区以及多个备援接合区，其中多个所...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑凯，林芳莹，林明昌，谢朝桦，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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