【技术实现步骤摘要】
本揭露涉及一种具有抗反射层的电子装置。
技术介绍
1、当电子装置中的基板包括转折面或曲面时，后续在形成抗反射膜于基板时，形成于不同的区域(例如平坦区以及转折区)的抗反射膜易具有不同的膜层厚度，当膜层厚度差异过大而可能使得电子装置具有色偏(color shift)等现象。
技术实现思路
1、根据本揭露的一些实施例提供的电子装置，其包括保护基板。保护基板包括基板以及抗反射层。抗反射层设置于所述基板上。抗反射层包括依序设置于基板上的第1子层至第n子层，n大于1，且第n子层的厚度与折射率的乘积范围介于100nm至170nm之间。
【技术保护点】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第n子层的所述厚度介于70nm至120nm之间。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中n为偶数，且所述第1子层至所述第n子层依序为高折射率子层与低折射率子层的依序堆栈。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其中n大于或等于4，所述第1子层的厚度与第2子层的厚度总合定义为第一总厚度，第n-1子层的厚度与所述第n子层的厚度总合定义为第二总厚度，且所述第一总厚度小于所述第二总厚度。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其中所述第二总厚度与所述第一总厚度的差值介于20nm至220nm之间。
6.根据权利要求4所述的电子装置，其中当n大于或等于6时，第3子层的厚度与第4子层的厚度总合定义为第三总厚度，且所述第三总厚度大于所述第一总厚度。
7.根据权利要求6所述的电子装置，其中所述第三总厚度与所述第一总厚度的差值介于20nm至220nm之间。
8.根据权利要求4所述的电子装置，其中当n大于或等于6时，第3子层的厚度与第4子层的厚度总
9.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述基板具有平坦区及转折区，且位于所述平坦区上的所述抗反射层的厚度不同于位于所述转折区上的所述抗反射层的厚度。
10.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第n子层的所述厚度与所述折射率的乘积范围介于120nm至140nm之间。
...【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第n子层的所述厚度介于70nm至120nm之间。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中n为偶数，且所述第1子层至所述第n子层依序为高折射率子层与低折射率子层的依序堆栈。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其中n大于或等于4，所述第1子层的厚度与第2子层的厚度总合定义为第一总厚度，第n-1子层的厚度与所述第n子层的厚度总合定义为第二总厚度，且所述第一总厚度小于所述第二总厚度。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其中所述第二总厚度与所述第一总厚度的差值介于20nm至220nm之间。
6.根据权利要求4所述的电子装置，其中当n大于...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈冠臻，马良成，范明儿，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。